HBM 集成
1. 3 秒看懂
HBM 集成把 AI GPU 的内存带宽瓶颈从板级搬到封装内，2026-2028 年核心变量是 HBM4 与 CoWoS 产能同步率。123
2. 3 分钟产业解释
HBM 集成由 3 个工艺层叠加：DRAM die 通过 TSV 垂直互连，HBM stack 通过 microbump 或混合键合接入 base die，GPU/ASIC 与多颗 HBM 再通过 CoWoS、EMIB、I-Cube 或 RDL interposer 形成 2.5D/3D 封装。124 代际上，HBM3/HBM3E 以 1024-bit 接口为主，JEDEC HBM4 把接口扩展到 2048-bit，公开口径显示最高带宽可到 2TB/s/stack，方向上是“同一封装面积内带宽翻倍、I/O 数翻倍、封装难度上升”。15 需求端，NVIDIA B200 披露 192GB HBM3e 与 8TB/s 内存带宽，GB300 NVL72 披露每 rack 20TB fast memory 与 1.1EB/s NVLink 带宽，说明 AI 系统性能越来越受 HBM 堆栈数、HBM 带宽和封装供给共同约束。67 产业研究框架中，HBM 集成涉及 SK hynix/Micron/Samsung 的 HBM 良率、TSMC CoWoS-S/R/L 与 SoIC 的扩产、Amkor/ASE 的外溢封装，以及 ASMPT/Besi 的 TCB/混合键合设备订单等变量。2389
3. 15 分钟专家深入
HBM 集成的第一层约束是内存堆栈本身，关键不是“容量更大”单项，而是带宽、功耗、die 数和良率的乘积。15 HBM3E 已经把 AI GPU 单卡带宽推到 8TB/s 等级，HBM4 再把接口宽度从 1024-bit 推到 2048-bit，封装侧必须承接更多 microbump、更多中介层走线、更高测试复杂度和更严格热路径。156 SK hynix 在 2025 年报中把 HBM 列为 AI 服务器需求核心，Micron 在 FY2025 10-K 中披露 HBM3E 已随 AI 产品组合放量，Samsung 2025 年报则把 HBM3E/HBM4 与先进封装列为 DS 业务修复方向，3 家存储厂的竞争焦点已经从“是否有 HBM”转向“HBM3E 供货份额、HBM4 客户认证、良率爬坡和封装协同”。81011
第二层约束是先进封装产能。TSMC 2025 年报披露 CoWoS-S 已量产多年，CoWoS-R 进入第 3 年量产，CoWoS-L 进入第 2 年量产，且 3nm SoIC stacking 已在 2025 年量产，这说明 AI 加速器交付的瓶颈已从单一晶圆制造转向“先进制程 wafer + HBM stack + CoWoS package”的联动交付。2 对客户而言，HBM4 的 2048-bit 接口会把 interposer 面积、RDL 密度、基板尺寸、翘曲控制和测试时间同步推高；对供应商而言，封装产能若领先 HBM 良率 2 个季度会形成闲置风险，HBM 若领先 CoWoS 2 个季度又会形成库存和客户交付风险。1212
第三层约束是设备与材料。ASMPT 2025 年先进封装收入 5.321 亿美元、同比增长 30.2%，其中 TCB 收入同比约增长 146%，显示 HBM/2.5D 的短期设备弹性仍集中在 thermo-compression bonding、贴装、临时键合、底填、检测和测试。9 但 HBM4 之后，microbump pitch 下探、die 厚度下降和堆栈高度上升会提高混合键合、翘曲管理和 known-good-die 测试价值，设备订单通常领先封装收入 2-4 个季度。913
可算传导要避免把“HBM 市场收入”直接等同于“封装公司收入”。合理链条是 AI 加速器出货 × 每颗加速器 HBM stack 数 × HBM ASP = 存储厂 HBM 收入，以及 AI 加速器出货 × CoWoS/2.5D 封装 ASP × 封装厂份额 = 封装收入；由于 HBM ASP、CoWoS wafer 月产能和单项目份额多数未由 A/B 源披露，本文把未披露项列为情景变量，并用公司已披露收入、毛利率、FCF 和 capex 作为硬底数。281014
4. 技术原理
HBM stack 先把 8-12 层甚至更高层数 DRAM die 通过 TSV 垂直连接，再用 microbump 把堆栈与 base die 或中介层连接，最后通过硅中介层、RDL interposer 或硅桥与 GPU/ASIC die 进行超宽 I/O 互连。145 与 GDDR 走板级总线相比，HBM 把信号距离从厘米级缩到毫米级，带宽密度上升、每 bit 能耗下降，但代价是中介层面积、热阻、翘曲和测试复杂度上升。112 HBM4 的 2048-bit 接口把封装 I/O 数量和电源完整性要求推高，CoWoS-S 的硅中介层、CoWoS-R 的 RDL interposer、CoWoS-L 的 local silicon interconnect 分别在带宽密度、成本和大面积扩展之间取舍。25 因此，HBM 集成的胜负不只由 DRAM 制程决定，还由 TCB 精度、底填可靠性、interposer 良率、基板供给和系统散热共同决定。2912
5. 上游依赖 / 下游影响
| 环节 | 量化约束 | 对 HBM 集成的影响 | 怎么验证 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| DRAM die | HBM4 接口 2048-bit、最高 2TB/s/stack | die 良率和功耗决定 8Hi/12Hi/16Hi 堆栈供给斜率 | SK hynix/Micron/Samsung HBM3E/HBM4 客户认证与 capex | 1581011 |
| TSV 与 microbump | bump pitch 与 TSV 数未由公司统一披露 | 互连密度越高，TCB、清洗、底填和检测价值越高 | ASMPT/Besi/K&S 先进封装订单领先 2-4 个季度 | 913 |
| CoWoS/2.5D | TSMC CoWoS-R 第 3 年量产、CoWoS-L 第 2 年量产 | 封装产能决定 HBM 能否转化为 AI GPU 出货 | TSMC HPC 收入、先进封装 capex 和客户交付周期 | 2 |
| 先进基板 | 大面积 ABF 基板供需未按 HBM 项目披露 | 封装尺寸扩大后，翘曲和层数约束放大 | Ibiden/Unimicron/AT&S capex 与 AI 客户订单 | [未核实 — 待补 A/B 源] |
| 下游 GPU/ASIC | B200 为 192GB HBM3e、8TB/s；GB300 NVL72 为 20TB fast memory/rack | 每颗加速器 HBM stack 数是需求一阶变量 | NVIDIA/AMD/ASIC 客户 BOM 与 rack 配置 | 67 |
下游影响分 3 条。第一，HBM3E/HBM4 供给决定 NVIDIA、AMD 和云端 ASIC 的实际交付上限，带宽不足会直接影响训练和推理利用率。67 第二，CoWoS 与 HBM 若任一环节滞后 1-2 个季度，GPU wafer 已产出也难以及时转化为整卡收入。212 第三，HBM4 的封装难度上升会把利润池从单纯 DRAM 扩展到 interposer、TCB、底填、检测和热管理材料。19
6. 技术路线对比表
| 路线 | 速率 / 带宽 | 功耗 / 热约束 | 距离或维度 | 标准成熟度 | 量产概率 2026 | 主要受益公司 | 反证指标 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM3E + CoWoS-S | B200 8TB/s 系统口径；单 stack 带宽随供应商规格变化 | 热路径成熟但 interposer 面积大 | 2.5D 硅中介层 | HBM3E 已量产、CoWoS-S 多年量产 | 90% | SK hynix、Micron、TSMC、ASE | HBM3E 供货份额下滑且 CoWoS 交期缩短 |
| HBM3E + CoWoS-L/R | 带宽接近 HBM3E 主流，成本/面积取舍不同 | RDL/LSI 降低大面积硅压力 | 2.5D RDL 或 local silicon interconnect | TSMC 披露 R 第 3 年、L 第 2 年量产 | 75% | TSMC、Amkor、ASE、基板厂 | CoWoS-L 良率或客户导入慢于 2 个季度 |
| HBM4 + CoWoS-L/S | HBM4 2048-bit、最高 2TB/s/stack | I/O 与供电压力上升 | 2.5D 大面积封装 | JEDEC HBM4 已发布，客户认证推进 | 60% | SK hynix、Samsung、Micron、TSMC | HBM4 客户认证推迟到 2027H2 以后 |
| HBM4 + logic 3D / SoIC | stack 带宽提升叠加 logic-on-logic 短互连 | 热点更集中，可维修性更难 | 2.5D + 3D 混合 | TSMC 3nm SoIC 2025 年量产 | 35% | TSMC、Besi、ASMPT、EVG | SoIC 产能未随 HPC 收入放大 |
| EMIB / EMIB-T + HBM | 带宽取决于 bridge 数和 HBM 代际 | 局部桥降低全硅中介层面积 | embedded bridge | Intel EMIB 已量产，EMIB-T 2026 起 scale | 45% | Intel Foundry、Amkor、基板厂 | 外部 AI 客户 tape-out 或封装收入低于情景 |
| I-Cube/X-Cube + HBM | HBM3E/HBM4 取决于 Samsung 认证节奏 | foundry+memory 协同带来供应链一体化 | 2.5D/3D | Samsung 平台可用，客户份额待验证 | 40% | Samsung Electronics、Samsung Electro-Mechanics | HBM3E/HBM4 份额未恢复且 foundry 外部订单不足 |
7. 关键指标（5-7 项 + 怎么追）
| 指标 | 当前口径 | 怎么追 | 反证阈值 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| HBM4 标准带宽 | 2048-bit、最高 2TB/s/stack | JEDEC、存储厂产品页、客户认证公告 | HBM4 大客户量产从 2026 后移 2 个季度 | 15 |
| 单 GPU HBM 容量/带宽 | B200 192GB HBM3e、8TB/s | NVIDIA/AMD 官方产品页和系统 BOM | 新平台 HBM stack 数低于市场情景 20% | 6 |
| CoWoS 平台进度 | CoWoS-R 第 3 年量产、CoWoS-L 第 2 年量产 | TSMC 年报、技术论坛和季度法说 | 先进封装供给不再被客户列为瓶颈 | 2 |
| HBM 收入披露 | Micron 披露 HBM3E 随 AI 产品放量，具体 HBM 收入需季度追踪 | Micron 10-K/10-Q、SK hynix/Samsung 年报 | HBM 收入环比低于 AI capex 增速 2 季度 | 81011 |
| TCB/混合键合订单 | ASMPT 2025 AP 收入 5.321 亿美元、TCB +146% | ASMPT、Besi、K&S 订单和 backlog | TCB/HB 订单连续 2 季度低于 2025 均值 20% | 913 |
| OSAT capex 与 GM | Amkor 2025 收入 67.08 亿美元、GM 14.0%、2026 capex 25-30 亿美元 | Amkor/ASE 季报和先进封装项目投产 | capex 上升但 GM 低于 12% 超 2 季度 | 1415 |
| 客户集中度 | AI GPU/HBM 需求高度集中于前 3-5 家云客户 | 10-K 风险因素、前五客户披露和订单节奏 | 单客户延期导致季度收入环比转负 | 81014 |
8. 可算传导表
说明：HBM ASP、每颗 GPU 的真实 HBM stack 数、CoWoS package ASP 和项目份额多数未由 A/B 源完整披露；下表用 A 级公司收入和毛利率做硬底数，情景输入均标为公式变量，不把推算写成事实。281014
| 驱动变量 | SK hynix | Micron | TSMC | 来源/公式 |
|---|---|---|---|---|
| TAM | AI GPU 出货 × stack/GPU × HBM ASP；HBM 市场规模待补 A/B 源 | 同左 | AI GPU 出货 × CoWoS ASP × 份额；先进封装 TAM 待补 A/B 源 | 公式；未披露项不可倒填 |
| 出货 | HBM3E/HBM4 stack 出货待披露 | HBM3E/HBM4 stack 出货待披露 | CoWoS package/wafer 出货待披露 | 公司未披露单项出货 2810 |
| ASP | HBM ASP 待披露 | HBM ASP 待披露 | CoWoS ASP 待披露 | [未核实 — 待补 A/B 源] |
| 份额 | HBM 份额待披露；行业称高份额需 A/B 补源 | HBM 份额待披露 | CoWoS 份额待披露；AI 龙头客户依赖度高 | 公司未披露项目份额 |
| 2025 收入底数 | 2025 consolidated revenue 待用年报页码复核；HBM 收入未单列 | FY2025 revenue 373.8 亿美元 | 2025 revenue NT$3.809054 万亿 [TSM] | 210 |
| 相关收入 | HBM stack 出货 × HBM ASP × 份额，待披露 | HBM stack 出货 × HBM ASP × 份额，待披露 | CoWoS 出货 × ASP × 份额，待披露 | 公式 |
| 毛利率 | 2025 GM 待年报财务表复核 | FY2025 GM 134.58/373.78 = 36.0% | 2025 GM NT$2.281 万亿/NT$3.809054 万亿 [TSM] = 59.9% [TSM] | 210 |
| → 毛利 | 相关收入 × GM，相关收入待披露 | 若 HBM 收入情景为 50 亿美元，则毛利 50 × 36.0% = 18.0 亿美元 | 若 CoWoS 相关收入情景为 NT$3,000 亿，则毛利 3,000 × 59.9% [TSM] = NT$1,797 亿 | 情景推算，不是事实 |
| PE | 2026-05-28 韩国收盘口径待补 | MU 2026-05-27 收盘 895.86 美元，PE TTM 29.00x，美元，price/EPS | TSM 2026-05-27 收盘 412.33 美元，PE TTM 约 36.3x，美元，C 级行情口径 | 1617 |
| → 估值 | HBM 净利 × PE + 非 HBM DRAM/NAND 价值 | HBM 净利 × 29.00x + 非 HBM 存储价值 | 先进封装净利 × 36.3x + foundry wafer 价值 | 公式 |
9. 同业硬指标对比表
估值口径：美股使用 2026-05-27 16:00 EDT 完整收盘，A 股/台股/韩股若未取得 2026-05-28 完整收盘则标待补；市值/PE 为 C 级行情辅助，不支撑关键出货、份额或利润率。1617
| 公司 | 收入 | 增速 | GM | 净利 | FCF margin | 客户集中度 | 技术代际 | PE TTM | 反证条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SK hynix | 2025 收入待年报财务表页码复核；HBM 未单列 | 待补 A 源 | 待补 A 源 | 待补 A 源 | 待补 A 源 | AI/HBM 客户集中，比例待披露 | HBM3E 主供、HBM4 认证 | 2026-05-28 韩股 PE 待补 | HBM4 认证后移 2 个季度或份额下降 |
| Micron | FY2025 373.8 亿美元 | +48.9% | 36.0% | 85.4 亿美元 | FCF margin 待 10-K 现金流复核 | 10-K 披露少数大客户风险 | HBM3E 放量、HBM4 规划 | 29.00x，2026-05-27 美元 | HBM 收入环比低于 AI 需求 2 季度 |
| Samsung Electronics | 2025 集团收入待年报财务表复核；DS/HBM 未单列 | 待补 A 源 | 待补 A 源 | 待补 A 源 | 待补 A 源 | HBM/Foundry 客户认证集中 | HBM3E/HBM4、I-Cube/X-Cube | 2026-05-28 韩股 PE 待补 | HBM3E/HBM4 客户认证继续落后 |
| TSMC | 2025 NT$3.809054 万亿 [TSM] | +31.6% | 59.9% [TSM] | NT$1.718 万亿 | FCF margin 待年报现金流复核 | 最大客户占比待年报复核 | CoWoS-S/R/L、SoIC | 31.74x [TSM]，2026-05-27 16:00 EDT，USD C | CoWoS/SoIC 不能支撑 HPC 增长 |
| Amkor | 2025 67.08 亿美元 | +6.2% | 14.0% | 3.74 亿美元 | 4.6% = 3.08/67.08 | 大客户集中，比例待 10-K 复核 | Advanced SiP、2.5D、Arizona | 73.47x，2026-05-27 美元 | capex 上升但 GM 低于 12% |
| ASE Technology | 2025 包装收入 NT$3,083 亿 | +17.8% | 集团 GM 待 20-F 表格复核 | 归母净利 NT$400 亿 | FCF margin 待 20-F 复核 | AI/HPC 客户待披露 | VIPack、FOCoS、2.5D/3DIC | 38.93x，2026-05-27 美元 | 先进封装增长无法抵消 EMS 波动 |
| ASMPT | 2025 收入 18.63 亿美元 | +9.8% | 38.0% | HK$9.019 亿 | FCF 待年报复核 | HBM/TCB 客户待披露 | TCB、hybrid bonding | 港股 PE 待补 | TCB/HB 订单低于 2025 均值 20% |
10. 投资逻辑 + 业绩传导
HBM 集成的投资逻辑是“带宽密度成为 AI 加速器出货和利用率的硬约束”。B200 已经把 192GB HBM3e 与 8TB/s 带宽写成产品规格，HBM4 又把接口宽度提升到 2048-bit 和最高 2TB/s/stack，导致 AI GPU/ASIC 的价值量从逻辑 die 扩散到 HBM stack、CoWoS interposer、TCB 设备、底填材料和测试服务。156 2026-2028 年最强的验证不是单个公司喊扩产，而是“存储厂 HBM 良率、TSMC CoWoS 产能、设备订单和下游 GPU 交付”4 条曲线是否同向上行。28910
如果 HBM4 认证提前且 CoWoS-L/S 同步扩产，利润会先进入 SK hynix/Micron/Samsung，再通过先进封装稼动率进入 TSMC/ASE/Amkor，设备端 ASMPT/Besi 则在订单和收入上领先 2-4 个季度。2914 如果 HBM 份额转移、CoWoS 供给放松或 GPU 客户降规格，估值会从“瓶颈溢价”转向“周期品 ASP 下行”。81014
AI GPU/ASIC 出货 × 每颗 HBM stack 数
↓
HBM3E/HBM4 stack 出货 × HBM ASP
↓
存储厂 HBM 收入 × HBM 毛利率
↓
CoWoS/2.5D package 出货 × 封装 ASP
↓
TSMC/ASE/Amkor 收入 × GM；ASMPT/Besi 设备收入 × GM
↓
EPS × PE（2026-05-27/05-28 收盘口径）= 情景市值 / 股价
11. 常见误读纠偏
误读 1：HBM 短缺只等于 DRAM 产能短缺
实际情况：HBM 供给至少包含 DRAM die、TSV 堆叠、TCB/microbump、CoWoS/2.5D 封装、基板和测试 6 个环节，任一环节滞后 1-2 个季度都会让 HBM 不能转化为 GPU 出货。2912
证据：TSMC 2025 年报同时披露 CoWoS-S/R/L 与 SoIC 量产进度，ASMPT 2025 年 TCB 收入同比约 +146%，说明封装和设备是 HBM 集成的独立瓶颈。29
误读 2：HBM4 带宽翻倍会让所有公司收入线性翻倍
实际情况：HBM4 的 2048-bit 与最高 2TB/s/stack 只证明带宽密度上行，不证明出货、ASP、份额和毛利率线性上行；如果良率或 CoWoS 产能不足，收入会被延后而不是消失。15
证据：Micron FY2025 毛利率为 36.0%，TSMC 2025 毛利率为 59.9% [TSM]，同一 HBM 集成链条中不同环节的利润率差异超过 20 个百分点，说明价值分配取决于瓶颈位置而非带宽单项。210
误读 3：CoWoS 扩产就能解决所有 HBM 集成问题
实际情况：CoWoS 解决 GPU 与 HBM 的 2.5D 集成，但 HBM stack 良率、HBM4 客户认证、基板翘曲、热管理和系统 BOM 仍会限制出货斜率。1212
证据：B200 的 192GB HBM3e 与 8TB/s 带宽把需求端规格拉高，JEDEC HBM4 又把接口扩到 2048-bit，封装扩产必须与 HBM 堆栈和客户平台同步。156
12. 最新事件
- [已发生] 2025：JEDEC 发布 HBM4 标准，公开口径显示 HBM4 接口宽度为 2048-bit、最高带宽为 2TB/s/stack，HBM 集成从 1024-bit 代际进入更高 I/O 密度阶段。15
- [已发生] 2025：TSMC 披露 CoWoS-R 进入第 3 年量产、CoWoS-L 进入第 2 年量产、3nm SoIC stacking 在 2025 年量产，先进封装产能继续围绕 AI/HPC 扩张。2
- [已发生] 2025：Micron FY2025 收入 373.8 亿美元、毛利率 36.0%，并在 10-K 中把 HBM3E 与 AI 数据中心需求列为增长驱动。10
- [已发生] 2026-02-09：Amkor 披露 2025 年收入 67.08 亿美元、毛利率 14.0%、FCF 3.08 亿美元，并给出 2026 capex 25-30 亿美元指引，OSAT 侧进入重投入阶段。14
- [已发生] 2026-03-04：ASMPT 披露 2025 年先进封装收入 5.321 亿美元、同比 +30.2%，TCB 收入同比约 +146%，设备端继续领先封装收入兑现。9
13. 来源 footnotes
1 JEDEC Publishes HBM4 Standard / JESD270-4 public summary — JEDEC / EDN — 2025 — https://www.edn.com/jedec-finalizes-hbm4-standard/ （A）
2 TSMC 2025 Annual Report / 3DFabric, CoWoS and SoIC disclosures — TSMC — 2026 — https://investor.tsmc.com/static/annualReports/2025/english/index.html （A）
3 TSMC 3DFabric Advanced Packaging Technology — TSMC — 2026 — https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/3DFabric （B）
4 UCIe 2.0 Specification and 3D packaging support — UCIe Consortium — 2024 — https://www.uciexpress.org/specifications （A）
5 JEDEC HBM4 Coverage: 2048-bit interface and up to 2TB/s per stack — EDN — 2025 — https://www.edn.com/jedec-finalizes-hbm4-standard/ （A）
6 NVIDIA B200 Tensor Core GPU product page: 192GB HBM3e and 8TB/s memory bandwidth — NVIDIA — 2025 — https://www.nvidia.com/en-us/data-center/b200/ （B）
7 NVIDIA GB300 NVL72 product page / fast memory and NVLink rack bandwidth — NVIDIA — 2026 — https://www.nvidia.com/en-us/data-center/gb300-nvl72/ （B）
8 SK hynix 2025 Annual Report / HBM and AI memory discussion — SK hynix — 2026 — https://www.skhynix.com/eng/ir/annualReport.jsp （A）
9 ASMPT Announces 2025 Annual Results — ASMPT — 2026 — https://www.asmpt.com/en/investor-relations/news-events/asmpt-announces-2025-annual-results/ （A）
10 Micron Technology FY2025 Form 10-K — Micron / SEC — 2025 — https://www.sec.gov/ixviewer/doc/action?doc=Archives/edgar/data/723125/000072312525000086/mu-20250828.htm （A）
11 Samsung Electronics 2025 Annual Report / DS, HBM and advanced package discussion — Samsung Electronics — 2026 — https://www.samsung.com/global/ir/reports-disclosures/annual-reports/ （A）
12 Thermal Implications of Non-Uniform Power in BSPDN-Enabled 2.5D/3D Chiplet-based SiP — arXiv — 2025 — https://arxiv.org/abs/2508.02284 （B）
13 BE Semiconductor Industries Q1 2026 Results / hybrid bonding and advanced packaging equipment — Besi — 2026 — https://www.besi.com/investor-relations/financial-reports/ （B）
14 Amkor Technology Reports Q4 and Full Year 2025 Results — Amkor — 2026 — https://ir.amkor.com/news-releases/news-release-details/amkor-technology-reports-financial-results-fourth-quarter-and-11 （A）
15 ASE Technology FY2025 20-F / packaging revenue discussion — ASE Technology — 2026 — https://www.sec.gov/edgar/browse/?CIK=1122411 （A）
16 Market data snapshot for MU, AMKR, ASX, TSM, INTC; 2026-05-27 16:00 EDT prior close and PE TTM — public market data API — 2026-05-28 （C）
17 StockAnalysis / public quote ratio pages for TSM and peer PE cross-check — StockAnalysis — 2026 — https://stockanalysis.com/ （C）
18 Intel 2025 Form 10-K / EMIB-T, Foveros and packaging roadmap — Intel / SEC — 2026 — https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/50863/000005086326000011/intc-20251227.htm （A）
19 Samsung Advanced Heterogeneous Integration: I-Cube, X-Cube and H-Cube — Samsung Semiconductor — 2026 — https://semiconductor.samsung.com/us/foundry/advanced-package/advanced-heterogeneous-integration/ （B）
20 NVIDIA Blackwell Architecture Technical Overview — NVIDIA — 2025 — https://resources.nvidia.com/en-us-blackwell-architecture （B）
21 Micron Investor Relations FY2025 Results Materials — Micron — 2025 — https://investors.micron.com/ （B）
22 TSMC 2025 Annual Report / Consolidated financial statements — TSMC — 2026 — https://investor.tsmc.com/static/annualReports/2025/english/index.html （A）