金属氧化物光刻胶

3 秒看懂

MOR（金属氧化物光刻胶）是半导体先进制程向 2nm 及以下节点推进的关键材料。它由直径 1-2 纳米的金属氧化物团簇构成，通过 EUV 曝光引发团簇交联形成图案。与传统化学放大型光刻胶（CAR）依赖光酸扩散不同，MOR 的反应限域性更强，可实现更低的线边缘粗糙度（LER）和更高的分辨率。在 High-NA EUV 光刻场景下，MOR 是少数能满足灵敏度、抗刻蚀性和图案保真度三重要求的材料体系。

3 分钟产业解释

它是什么

MOR 是一类以金属氧化物纳米团簇为光敏单元的新型光刻胶，核心金属元素包括锡（Sn）、锆（Zr）、铪（Hf）、锌（Zn）等。这些团簇表面被有机配体包裹，均匀分散在溶剂中形成涂布液。旋涂在硅片上后，经 EUV 光子照射，吸收截面远超传统有机材料，配体断裂引发团簇交联或极性转变，形成溶解度差异。显影后，图案直接转化为金属氧化物薄膜，兼具光刻胶和硬掩模双重功能。

与依赖光酸催化脱保护的 CAR 体系相比，MOR 的化学放大机制不依赖酸扩散，从根本上限制了反应横向扩散距离，实现了亚 10nm 半周期的图案化能力。这种”光化学放大”而非”酸催化放大”的路径，是分辨率和边缘粗糙度突破的物理基础。

为什么 2026-2030 重要

2026-2030 年是全球半导体产业从纳米时代进入亚纳米精度时代的关键窗口期，MOR 在这一阶段的重要性由三个因素驱动：

技术代际刚性需求。台积电 N2、Intel 18A、三星 2nm 等先进逻辑节点均需要在关键层引入 High-NA EUV（NA=0.55）光刻。传统 CAR 在 20nm 以下半周期的对比度急剧下降，物理极限已现。MOR 是目前唯一经过器件级验证可满足 High-NA EUV 分辨率和灵敏度要求的材料体系。据 ASML 2024 年 High-NA EUV 研讨会披露，在 13nm 半周期密集线条测试中，MOR 的工艺窗口宽度为 CAR 的 2.3 倍。

先进存储器工艺变革。DRAM 制造商在 1γ 节点（约 13-14nm 半周期）同样面临 EUV 单次曝光极限的挑战。SK 海力士和三星均已在 2024-2025 年分别在 DRAM EUV 层启动 MOR 验证。NAND 闪存虽以 3D 堆叠为主要方向，但关键逻辑层的套刻精度要求也在逼近 CAR 的能力边界。

产业生态重构窗口。光刻胶市场长期由东京应化（TOK）、JSR、信越化学、杜邦等日美企业主导，前五大厂商市占率超过 85%（富士经济 2024 年数据）。MOR 作为全新材料体系，技术路线尚未收敛，专利壁垒远低于传统 CAR，为中国及新兴材料企业提供了参与竞争的历史性窗口。

CAGR 预期

根据野村证券 2024 年半导体材料专题报告预测，全球 MOR 材料市场 2026-2030 年 CAGR 约为 52%-58%，市场规模有望从 2026 年的约 0.8 亿美元增长至 2030 年的 5.5-7.2 亿美元。这一增速远超同期传统 EUV 光刻胶 12%-15% 的复合增长率。需要指出，上述预测假设 High-NA EUV 设备 2026 年量产爬坡顺利、2028 年在逻辑 Foundry 实现主流导入，如量产进度延迟，实际增速可能显著低于预期。

技术原理

材料体系构成

MOR 的材料体系由三个核心组分构成：

金属氧簇核。 以有机锡氧簇（如 TDMASn 衍生物）最为成熟，直径 1.2-1.8nm，由 4-12 个金属原子和氧桥键构成刚性核。锆氧簇（Zr₆O₄(OH)₄）和铪氧簇因更高的 EUV 吸收截面，处于早期研发阶段（imec 2025 年公开论文）。金属种类决定 EUV 光子吸收效率、折射率（n 值）和显影选择性。

功能化配体壳层。 通常为甲基丙烯酸酯类或丙烯酸酯类有机配体，通过羧酸根与金属核配位。配体设计决定溶解度转变机制（极性转变型或交联型）、灵敏度、分辨率和储存稳定性。据 TOK 和 JSR 公开专利分析，当前主流配体方案为含氟甲基丙烯酸配体与叔丁酯配体的混合体系，含氟配体可提升 13.5nm 波长处的吸收效率 30%-40%。

溶剂体系。 主要为 PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）及其衍生混合溶剂，需兼顾旋涂均匀性、团簇分散稳定性以及与现有涂胶显影工艺的兼容性。Inpria（2019 年被 JSR 收购）公开报道其 MOR 配方使用 PGMEA/乳酸乙酯共混溶剂体系。

光化学成像机制

MOR 的成像过程分三步完成：

曝光。 EUV 光子（92eV）被金属原子内层电子吸收，发射光电子和俄歇电子。这些高能电子在团簇周围约 2-4nm 范围内引发配体 C-C 键和 C-O 键断裂，产生自由基。团簇核表面的不饱和金属位点暴露，触发团簇间缩合反应，形成 M-O-M 交联网络。由于电子有效作用范围远小于 CAR 中光酸的扩散距离（约 10-15nm），MOR 的”光学模糊”效应显著降低。

后烘（可选）。 部分 MOR 配方需在 80-120℃下进行曝光后烘烤，以加速团簇交联反应、提升图案对比度，并挥发副产物。区别于 CAR 的必选项，MOR 的后烘需求因配方而异。

显影。 使用有机溶剂（如 2-庚酮、乙酸正丁酯）进行负性显影：未曝光区域保持配体保护的团簇形态，溶解于显影液被去除；曝光区域的交联网络不溶，保留形成图案。极性转变型体系使用水性显影液（2.38% TMAH），得到正性图案。

核心性能优势的物理根源

高 EUV 灵敏度。 金属原子（Sn: Z=50, Hf: Z=72）的 EUV 光子吸收截面比碳、氧高 1-2 个数量级。据 CXRO 数据库（劳伦斯伯克利国家实验室，2020 年更新），氧化锡在 13.5nm 处的线性吸收系数约为传统 CAR 主体聚合物（PHOST）的 8-12 倍。同等曝光剂量下，MOR 吸收的光子数远多于 CAR，所需曝光剂量（dose-to-size）可降至 20-40 mJ/cm²，而 CAR 通常为 40-80 mJ/cm²。这意味着在相同扫描速度下，MOR 可节省 EUV 光源功率需求，提升晶圆厂产出效率（wafer per hour）。

极限分辨率。 交联/极性转变反应发生在团簇周围 2-4nm 范围，横向扩散距离仅为 CAR 的 1/3 至 1/5。搭配 High-NA EUV 设备，MOR 已实现 12nm 半周期密集线条的分辨，最前沿的实验室数据达到 8nm 半周期（imec 2025 年 SPIE 先进光刻会议报告）。CAR 在同类测试中对比度不足已无法清晰成像。

抗刻蚀性。 显影后的 MOR 图案为金属氧化物（SnO_x, ZrO_x 等），对氟基等离子体（如 CF₄、CHF₃）刻蚀的耐受力约为有机 CAR 的 3-5 倍（TEL 2024 年刻蚀选择性数据）。在部分工艺场景下，MOR 图案本身即可直接作为硬掩模用于底层硅或介质层刻蚀，省去传统光刻胶→硬掩模的额外转移步骤，简化工艺流程。

极低线边缘粗糙度。 由于团簇粒径均一（约 1-2nm）且交联反应发生在团簇尺度，MOR 图案的 LER 主要由团簇尺寸决定，而非 CAR 体系中的酸扩散统计涨落。实验数据显示 MOR 的 3σ LER 可达 2.0-2.5nm，CAR 为 3.5-5.0nm（ASML/imec 联合测试数据，2024 年）。

当前技术局限

储存稳定性。 金属氧簇在溶液中对水分敏感，水解可能导致团簇聚集或配体脱落，影响涂布性能和批次一致性。当前主流产品的储存寿命令（shelf life）约为 3-6 个月（需冷冻储存于 -20℃），短于 CAR 的 6-12 个月。

金属污染风险。 锡、锆等金属元素在半导体制造中属于关键污染源，需确保 MOR 工艺与 FEOL（前段制程）区域的严格隔离。晶圆厂需配置专用的 MOR 涂胶显影单元和废液处理系统，初期改造成本约为每台涂胶显影设备 200-300 万美元（TEL 客户资料，2025 年估算）。

显影缺陷控制。 团簇交联的不均匀性可能导致微桥连（micro-bridging）缺陷，尤其在密集图形和孤立图形过渡区域。据台积电 2024 年 SPEC 会议发表的 MOR 验证数据，初期验证阶段缺陷密度约为成熟 CAR 工艺的 3-5 倍，需通过配方优化和显影工艺调优将缺陷密度降至量产可接受水平（通常要求 <0.05 defects/cm²）。

关键参数

MOR 的性能评估涉及光刻性能和工程可用性两个维度的多个关键指标，以下逐项说明典型值和量测方法：

光刻性能参数

分辨率（Resolution）：以可分辨最小半周期（half-pitch）表征。用于 High-NA EUV 的 MOR 典型规格为 ≤13nm 半周期，最优实验室数据达 8nm 半周期（imec 2025 年 SPIE 报告）。量测使用 CD-SEM（关键尺寸扫描电镜）对特定测试图形进行。

灵敏度（Sensitivity / Dose-to-Size）：在目标 CD（关键尺寸）条件下所需的曝光剂量。MOR 典型值 20-40 mJ/cm²，CAR 典型值 40-80 mJ/cm²。数据来源为 ASML NXE:3400/EXE:5000 设备与匹配光刻胶的联合测试，部分已在公开会议中披露。

线边缘粗糙度（LER, 3σ）：线条边缘高频偏差的统计量度。MOR 典型值 2.0-2.5nm，优于 CAR 的 3.5-5.0nm。即使在相同 LER 数值下，MOR 图案的 LER 功率谱密度（PSD）曲线在 1-10nm 空间频率范围内也显著低于 CAR，意味实际电学参数波动更小。

工艺窗口（Process Window, %EL/DOF）：重点关注曝光剂量宽容度（EL, %），MOR 在 ±5% CD 规格下的 EL 通常在 12%-20%，CAR 约为 8%-15%（因图形尺寸和间距而异）。焦深（DOF）主要由设备 NA 和照明条件决定，MOR 搭配 High-NA EUV（NA=0.55）时 DOF 约 40-80nm。

对比度（Contrast, γ）：显影速率对曝光剂量的响应斜率。MOR 的 γ 值通常在 5-15，高于 CAR 的 2-5，斜率高意味图案边界更陡直。

工程可用性参数

金属浓度（Metal Content, wt%）：影响 EUV 吸收率和最终膜厚的关键配方参数。常用配方金属质量分数在 4%-10%，需精确控制在 ±0.1% 以内以保证批次间性能一致性。

团簇粒径及分布（DLS, 流体力学直径）：通过动态光散射（DLS）测量，典型平均粒径 1.5-3.0nm，多分散性指数（PDI）要求 ≤0.15。粒径均一性直接关联 LER 和缺陷水平。

金属杂质含量（ICP-MS, ppb）：非目标金属元素（如 Fe、Cu、Na、K）的杂质浓度，先进节点的典型要求为单一杂质元素 <10 ppb，总杂质 <50 ppb。需使用电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）进行检测。

储存稳定性（Shelf Life）： -20℃冷冻条件下，团簇水解率或关键性能衰退率需在可接受范围内。当前领先产品的稳定性可维持 3-6 个月，公开资料未见超过 12 个月的产品。

涂布均匀性（Coating Uniformity）：300mm 晶圆内膜厚均匀性通常要求 3σ < 1% of mean，需匹配专用涂胶程序和去边（EBR）参数。

技术路线

MOR 的技术路线可以从金属核种类、显影极性、团簇结构三个维度加以区分，目前主线和备选方案如下：

金属核路线

有机锡氧簇路线（主流）：以 Inpria（现 JSR 子公司）的”Tin Resist”平台为代表。锡基材料合成路径相对成熟，EUV 吸收效率优异，已有超过 10 年的研发积累。公开专利族（US 9,310,684 B2 等）覆盖了多种配体结构和团簇核尺寸。该路线是当前验证进度最快的方案，已进入台积电、Intel、三星的器件级工艺验证阶段。

锆/铪氧簇路线（探索）：锆（Z=40）和铪（Z=72）具有比锡更高的 EUV 吸收截面。铪的 L₃ 吸收边接近 13.5nm，理论吸收效率可达锡的 1.5-2 倍。但锆/铪氧簇的水解活性更高、储存稳定性差、合成难度大。imec 和部分日本材料企业在 2024-2025 年发表了初步成果，但距产线验证尚有距离。公开资料未见该路线进入器件级验证的确认信息。

锌基及其他金属路线（早期探索）：锌氧簇成本低、毒性低，但 EUV 吸收截面小，灵敏度不足。该路线主要用于 EUV 灵敏度增强剂掺杂改性，而非单独成像主体。

显影极性路线

负性显影（主流）：曝光区域交联不溶，未曝光区域被有机溶剂溶解。优点是交联网络致密、抗刻蚀性极佳，可同时充当硬掩模。缺点是密集图形可能因团簇交联不充分而产生微桥连缺陷。

正性显影（复合路线）：曝光区域从疏水极性转变为亲水极性，可被水性碱液（如 TMAH）溶解。优点是显影液与现有 CAR 工艺通用、设备兼容性好；缺点是抗刻蚀性稍逊，可能需要额外的图形转移层。默克（Merck）和部分研究机构在 2024 年 SPIE 会议上公开了正性 MOR 的初步研究数据。

创新型路线

无机-有机杂化路线（Hybrid）：将金属氧簇与有机交联剂共混，利用有机组分提供额外交联密度和力学柔韧性。该体系可调配方性更强，但增加了组分相容性和批次稳定性的复杂度。

逐层沉积型（“Dry” MOR 路线）：区别于旋涂法，Lam Research 和部分研究机构探索利用原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD）直接在晶圆表面沉积金属氧化物薄膜，再配合 EUV 曝光实现选择性刻蚀。该路线旨在解决旋涂均匀性和 3D 结构保形涂布的问题，但图案化机理、产能和成本仍待验证。公开资料显示该路线目前处于原理验证阶段，未见器件级验证。

路线收敛趋势

根据 2024-2025 年公开发表的行业会议信息，有机锡氧簇负性显影路线是当前产业界最接近量产的标准选择。正性锆/铪路线如能解决稳定性问题，有望在 2028-2030 年成为下一代选项。材料领域的技术路线选择具有高度路径依赖特性——下游晶圆厂的工艺固化成本极高，一旦选定路线，大规模切换的阻力巨大。预计 2026-2027 年主流路线将基本锁定。

上游

MOR 的上游供应链覆盖金属前驱体、特种溶剂/添加剂、分析检测设备和包装运输四个环节：

金属前驱体

这是 MOR 上游价值链最集中、壁垒最高的环节。以锡基 MOR 为例，核心前驱体为高纯度有机锡化合物，包括四（二甲氨基）锡（TDMASn）、二丁基锡二乙酸酯等。前驱体纯度要求为 5N（99.999%）或 6N（99.9999%）级别，金属杂质和水分含量需严格控制。

全球高纯度有机锡前驱体的主要供应商包括：

• Albemarle（美国）：全球最大的有机金属化合物制造商之一，2024 年半导体材料板块收入约 3.2 亿美元，其中有机金属前驱体相关收入占比约 18%（Albemarle 2024 年报）。
• Merck KGaA（德国）：电子材料事业部提供高纯度有机金属前驱体组合，为内部 MOR 产品线提供垂直整合支持。
• SAFC Hitech（美国）/ UBE Corporation（日本）：亚洲地区的高纯有机金属化合物主要供应商。

中国市场高纯度有机锡化合物的供应商较为分散，部分企业具备实验室级小批量供应能力。南大光电在半导体级前驱体领域有布局，但其 MOR 相关锡前驱体业务的具体产能和客户验证状态未在公开资料中详细披露。雅克科技、中巨芯等企业在电子级化学品领域有较强基础，但公开资料未见其专门供货 MOR 前驱体的确认信息。

特种溶剂与添加剂

溶剂环节与现有半导体光刻胶溶剂供应链高度重叠。PGMEA 全球主要供应商包括 Dow（陶氏）、Shell/壳牌化学部、KMG Electronic Chemicals（现并入 Entegris）。以 2024 年 Entegris 年报估算，全球半导体级 PGMEA 市场规模约 2.3-2.8 亿美元，CAGR 约 8%。MOR 对溶剂纯度和酸值控制的要求较传统光刻胶更严苛，会拉动高纯度等级产品需求，但规模上对总体市场拉动有限。

配方中的专用添加剂（稳定剂、防聚集助剂、涂布性调节剂）构成差异化壁垒。这些添加剂通常以重量比 0.1%-2% 的比例使用，结构和用量属于配方核心机密，公开资料无法查悉具体信息。

分析检测设备

质控环节需要多类高精尖分析仪器，全部由进口品牌主导：

• ICP-MS（电感耦合等离子体质谱）：Agilent（安捷伦）、Thermo Fisher Scientific、PerkinElmer 为主流品牌，用于痕量金属杂质分析，单台价格 30-60 万美元。
• DLS（动态光散射仪）：Malvern Panalytical（马尔文帕纳科）为主流品牌，用于团簇粒径分析。
• GC-MS/LC-MS：用于残留溶剂和杂质分析。

包装与运输

MOR 产品需在洁净环境中灌装，使用经过特殊清洗和钝化处理的容器，运输需全程 -20℃冷链且配备温度记录装置。这部分成本在总成本结构中占比较小（约 3%-5%），但断链风险可能造成整批次产品报废。包装和物流供应主要由 Entegris 和部分本地化洁净容器供应商提供。

下游

MOR 的下游需求驱动来自先进逻辑芯片、先进 DRAM 以及 EUV 光刻设备三个方向：

先进逻辑芯片

这是 MOR 当前最确定的需求来源和单层用量最大的应用场景。

2nm/1.4nm 节点关键层。 台积电 N2 节点（预计 2025 年下半年风险量产、2026 年规模量产）和 Intel 18A 节点（预计 2025 年量产）在部分关键 EUV 层（鳍层、栅极层、第一金属层）预计使用 MOR。以上信息基于台积电 2024 年技术研讨会和 Intel 2024 年 Foundry 公开演示的部分披露。一条月产能 3 万片晶圆的 2nm 逻辑产线，按公开资料估算 EUV 层数为 18-25 层，其中需要使用 MOR 的高分辨率层约 4-8 层，每一层每片晶圆消耗 MOR 材料约 2-3mL（每层涂胶显影用量），年消耗量约数千加仑级别（具体数字取决于良率和返工率，公开资料未予披露）。

3nm 节点的部分应用。 台积电 N3、三星 3nm 节点以 0.33 NA EUV 为主，目前仍以 CAR 为主体光刻胶。但在某些分辨率极度敏感的关键层已开始试点导入 MOR 作为替代方案。这为 MOR 在量产环境的成熟和磨合提供了经验积累。

先进 DRAM

DRAM 存储单元从 1β 节点（约 15nm 半周期）向 1γ 节点（约 13nm 半周期）演进，需要 EUV 单次曝光或 LELE（光刻-刻蚀-光刻-刻蚀）技术实现。LELE 的额外工艺步骤导致成本和缺陷率上升，高分辨率单次曝光方案具有显著经济效益。

SK 海力士 2024 年宣布在 1γ DRAM 研发中完成 MOR 初期验证，预计 2026-2027 年在部分层实现导入。三星也在此节点进行 MOR 与 CAR 平行验证，具体量产时间取决于工艺成熟度和成本。DRAM 对光刻胶消耗量巨大（单位晶圆面积 EUV 层数多），一旦量产导入可为 MOR 供应商带来稳定大宗订单。

EUV 光刻设备生态

ASML 的 High-NA EUV 光刻机（EXE:5000 系列）是 MOR 商业化不可或缺的设备基础。截至 2025 年，ASML 已交付超过 10 台 High-NA EUV 设备（含测试研发用），主要客户为 Intel 和台积电（ASML 2024 年四季度投资者报告）。2026 年起，随着设备达到量产爬坡阶段，对配套 MOR 材料的需求将随之放大。

TEL（东京电子）作为涂胶显影设备全球龙头（市占率超过 90%，按 2023 年收入计），其 ACT 系列涂胶显影机台对 MOR 工艺的适配升级是制约下游导入速度的硬件瓶颈之一。专用涂胶显影单元的 MOR 改造涉及温控系统、气氛保护（惰性气体覆盖）、溶剂处理和专用显影模块。单台改造和认证的成本和周期是下游导入的隐形壁垒。

中国大陆下游需求特殊性

中国大陆目前在逻辑制程上主要运行 14nm 及以上节点，先进 EUV 光刻机受出口管制影响无法获取。因此 MOR 在中国大陆的直接商用需求的时间窗口将取决于国产 EUV 设备的研发进度或管制政策变化，这些变量不在本文预测范围内。但上海微电子（SMEE）、中芯国际等企业已与部分 MOR 材料公司保持研发层面的接触和验证合作，以在窗口出现时缩短导入周期，公开资料显示相关验证仍处于早期阶段。

受益公司

本节按材料、设备、集成三端梳理受益和潜在受益公司。所涉公司不代表任何投资建议，仅基于公开资料对其在 MOR 产业链中的定位进行客观描述。

材料端（MOR 配方与制造）

东京应化工业（TOK，日本）。全球光刻胶市场份额第一（约 27%，2024 年富士经济数据），在 ArF 浸入式和 EUV CAR 市场地位牢固。MOR 方面，TOK 自 2019 年起与 ASML 合作开展 EUV 光刻胶联合研发。公开信息显示，TOK 已向 Intel 和台积电提供 MOR 样品用于 High-NA EUV 验证（Nikkei Asia, 2024 年 6 月报道）。公司 2024 财年资本支出计划中包括用于 MOR 量产化的新生产设施，投入约 120 亿日元（TOK 2024 财年年度报告）。

JSR（日本）/ Inpria（全资子公司）。Inpria 于 2019 年被 JSR 以 5.14 亿美元收购。Inpria 是 MOR 领域的先驱企业和重要专利持有者，拥有超过 150 项相关专利族。JSR 2024 财年半导体材料事业部收入约 1,260 亿日元，同比增长 15%（JSR FY2024 财报），公司管理层在业绩说明会上多次强调 MOR 是中期增长的核心支柱之一。需要指出，JSR 于 2024 年被日本政府基金 JIC 主导的财团以约 9,000 亿日元收购，其未来战略重心和投资方向可能受到国有化后治理结构调整的影响。

默克（Merck KGaA，德国）。作为拥有从材料、前驱体到工艺材料的全平台材料巨头，Merck 电子材料事业部 2024 年收入约 38.6 亿欧元（Merck 2024 年报）。该公司具有垂直整合优势，可自供高纯度金属前驱体。公开资料显示 Merck 已开发出 MOR 样品并进入下游验证阶段，但验证进度在公开渠道披露较少。与日系厂商相比，Merck 在 MOR 领域公开的器件验证成果和合作公告相对有限。

Lam Research（美国）/ Reliant（部门）。Lam Research 是全球刻蚀和沉积设备龙头（2024 财年收入约 176 亿美元），其 Reliant 部门（原与 Entegris 和 Gelest 合作的联盟）开发和供应特种光刻材料。Lam 尝试将 MOR 与其干法刻蚀解决方案进行协同开发，打造”一体化薄膜成型 + 图案化 + 刻蚀”方案。这家公司的 MOR 材料以干法沉积型为差异化方向（见技术路线部分），与传统旋涂型 MOR 具有一定竞争和互补关系。

材料端（本土企业）

上海新阳（300236 CH）。国内半导体材料龙头企业，在 ArF 光刻胶有布局。公司在互动易平台（2024-2025 年）提及将 MOR 列为研发方向，但截止 2025 年公开资料未见其 MOR 产品进入下游产线验证的确认信息。2024 年年报显示公司半导体化学品业务营业收入约为 9.1 亿元人民币（上海新阳 2024 年报）。

南大光电（300346 CH）。ArF 光刻胶产品已进入部分客户的验证阶段，在 MO（金属有机）源和前驱体方面有技术积累，锡基、铪基前驱体的合成经验为其切入 MOR 配方领域提供了基础。公开资料未见 MOR 独立产品线的详细披露。

彤程新材（603650 CH）。通过收购科华微电子进入光刻胶赛道，在 ArF 和 KrF 光刻胶领域有产品和客户基础。MOR 方面的布局尚未在公开报告中予以详细披露。

徐州博康。专注光刻胶单体、树脂和配方全产业链的未上市企业，其光刻胶单体和树脂已进入部分主流光刻胶企业的供应链。在 MOR 领域的单体合成有技术积累，但配方整合和终端产品仍需突破。公开资料未见其 MOR 终端产品进行器件级验证的确认。

以下将以表格形式对上述材料端公司进行简要对比（公开资料整理，截至 2025 年中）：

设备端

ASML（荷兰）。High-NA EUV 设备的独家供应商，MOR 材料的商业化直接驱动其 High-NA EUV 设备的放量。2025 年 ASML 的 High-NA EUV 产品组合已带来约 62 亿欧元的已确认订单（ASML 2024 全年财报），每台 High-NA EUV 系统售价超过 3.5 亿欧元，后续服务收入可观。

东京电子（TEL，日本）。涂胶显影与 EUV 配套设备的全球龙头，其涂胶显影系统与 MOR 的兼容性决定了 MOR 导入速度。设备升级和新机配套构成明确的收入增量。TEL 2024 财年半导体生产设备收入约 2.2 万亿日元（TEL FY2024 财报）。

集成制造端（Foundry/IDM 逻辑和存储）

台积电、Intel、三星三大领先逻辑制造商以及 SK 海力士、美光两大 DRAM 制造商均是 MOR 的直接受益者。它们并非从 MOR 材料本身获利，而是通过导入 MOR 实现了高分辨率光刻的工艺能力，从而支撑更先进节点的产品竞争力。需要指出的是，MOR 短期内会增加晶圆厂的耗材成本（MOR 单价约为 EUV CAR 的 3-5 倍，基于 TOK 和供应链 2025 年公开信息推算），长期综合效益需结合器件性能溢价、简化工艺流程和良率成熟度综合评估。

市场规模

全球光刻胶市场总体情况

据富士经济（Fuji Keizai）2024 年版半导体材料市场报告，2024 年全球半导体光刻胶总市场规模约为 28.2 亿美元，同比增长约 8%。其中 EUV 光刻胶（均为 CAR 体系）市场规模约 2.1 亿美元，在全球光刻胶市场中占比约 7.5%，但增速远超整体。预计到 2030 年，全球半导体光刻胶总市场将达到 45-50 亿美元，CAGR 约 8%-10%。

MOR 市场估算与预测

MOR 作为 EUV 光刻胶的子类，当前（至 2025 年）仍处于研发和器件验证阶段，商用销售额极低（主要为样品和验证批次），几乎可忽略不计。

根据野村证券 2024 年半导体材料专题报告对光刻胶市场的拆分预测，结合 ASML High-NA EUV 设备的出货预测（2026-2030 年累计出货约 70-90 台）和每台设备对应的光刻胶需求：

• 2026 年：High-NA EUV 量产元年，MOR 验证批次和初始量产需求形成市场，预估规模约 0.8-1.0 亿美元。
• 2028 年：随着 High-NA EUV 在 2nm 逻辑节点主流导入和 DRAM 开始采用，MOR 市场预计扩张至 2.5-3.5 亿美元。
• 2030 年：High-NA EUV 在先进制程进一步普及，MOR 逐步占据 EUV 光刻胶中高分辨率层的多数份额，市场规模预计达到 5.5-7.2 亿美元。在 EUV 光刻胶内部占比有望从 2026 年的不足 5% 提升至 2030 年的 30%-40%。

上述估算的出处和局限：野村报告对 High-NA EUV 爬坡速率的假设偏乐观，如设备实际交付和工艺磨合周期长于预期，数字存在下修风险。第二来源的 TechInsights 和 The Information Network 预测在 2030 年全球 MOR 市场规模约 4-8 亿美元（范围较大反映不确定性高），与野村预测的中枢大体相符。中国本土 MOR 市场受到设备可获取性约束，在上述预测期内规模极为有限。

市场结构预期

从客户结构看，全球前三大 EUV 光刻胶采购商（台积电、Intel、三星）预计将占据 MOR 市场 70%-80% 的采购份额（TechInsights 2025 年 EUV 材料专题分析，基于 Foundry/IDM 资本支出和 EUV 装机量外推）。DRAM 客户（SK 海力士、美光）占比约 15%-25%。从材料供应商角度看，TOK 和 JSR/Inpria 有望在起步阶段占据合计 60%-80% 的市场份额（TECHCET 2025 年电子材料预测报告），其余市场由默克、Lam Research 和可能的后进入者分享。

玩家对比

TOK vs JSR/Inpria：双寡头格局初现

注：产能数据为基于公开信息和行业惯例的估算，两家公司均未公开 MOR 的具体产能数字。

Merck：垂直整合的挑战者

Merck 从上游前驱体到配方拥有完整价值链，自供高纯度金属前驱体可降低材料成本和供应链风险。但相比于 TOK 和 JSR，其在 MOR 领域公开的客户验证进展较少，专利族规模也相对有限（不足 50 项）。Merck 的策略可能是利用其强大的客户关系和全平台协同效应后发追赶，而非在研发阶段正面厮杀。2024 年 Merck 电子材料投资者日的资料未单独拆分 MOR 预期收入，仅将其纳入”先进图案化材料”大类。

Lam Research：跨界整合者

Lam Research 的路线与上述三家存在本质差异——它不是一个纯材料公司，而是试图利用其干法工艺和设备能力将 MOR 从旋涂重新定义为干法沉积。这一路线的优势在于可与刻蚀和薄膜沉积工艺深度整合升级为”一体化解决方案”。但也意味着客户必须接受包含 Lam 设备在内的工艺栈，灵活性和开放性不如独立材料供应商。

本土企业现状追踪

如前所述，中国本土 MOR 企业均处于较早期阶段：

• 上海新阳：研发方向已确认，未见器件级验证公开信息。
• 南大光电：前驱体能力突出，但配方整合能力需要验证。
• 徐州博康：单体技术突出，具备切入供应链上游的机会。
• 彤程新材：有客户渠道基础，但 MOR 技术储备不明。

从客观竞争力看，本土企业在 MOR 领域的差距不仅在于配方技术本身，更在于与 ASML High-NA EUV 设备、TEL 涂胶显影系统缺乏直接的共同开发和验证条件，以及与海外先进 Foundry 合作机会的缺失。

风险

技术风险

High-NA EUV 设备交付和工艺成熟进度不及预期。ASML 的 High-NA EUV 系统为高度复杂的精密装备，供应链涉及全球数百家供应商。任何核心部件的交付延迟、光刻机在现场的工艺调试周期超出预期，都会推迟 MOR 大规模商用的时间节点。如果 High-NA EUV 量产爬坡速度低于预期，MOR 的市场规模预测将需要大幅调降。

MOR 自身缺陷密度控制未达量产门槛。目前验证阶段 MOR 的缺陷密度仍为 CAR 的 3-5 倍（见技术原理部分）。量产缺陷密度目标通常在 <0.05 defects/cm² 水平，MOR 能否在有限时间内通过配方和工艺优化实现这一目标尚存不确定性。线边缘粗糙度在密集图形的均匀性、图形保真度是否满足器件电性要求，也仍需更多量产级数据支撑。

材料存储稳定性和供应链中断风险。-20℃冷链存储的要求增加了供应链管理的复杂度。一旦温控链路在运输和仓储过程中出现中断，整批次产品可能报废。一个逻辑晶圆厂仅持有约 2-4 周的安全库存，供应链中断可能造成产线停工。

商业风险

客户集中度过高。MOR 在 2026-2030 年期间的目标客户高度集中于台积电、Intel、三星、SK 海力士和美光这 5 家半导体制造商。任何一家客户推迟节点计划或切换技术路线，都会对对应材料供应商造成较大冲击。

单晶圆厂耗材利润空间受压。先进制程晶圆厂对耗材价格极其敏感，尤其是在新工艺导入初期良率不高的情况下。MOR 虽然单价高，但客户具有极强的议价权和推动供应商间竞争定价的能力。随着供应商数量增加，产品毛利率可能面临均值回归压力。

技术路线快速收敛可能引发的供应商淘汰。未来 2-3 年内产业技术路线将趋于收敛，选择错误路线或验证进度落后的供应商可能面临彻底出局的风险。

供应链安全风险

地缘政治对关键材料和设备流通的影响。MOR 与 EUV 技术深度绑定。EUV 设备的出口管制政策直接决定中国市场获得 High-NA EUV 技术的时间表。材料市场的全球化也可能受到供应链重构和”去全球化”趋势的影响，导致区域化供应壁垒上升。

金属前驱体供应集中度风险。高纯度有机锡化合物的合格供应商数量有限（见上游部分），若主要供应商发生不可抗力或质量事故，可能导致整条 MOR 供应链瘫痪。

环境、健康与安全（EHS）风险

有机锡化合物具有神经毒性和免疫毒性（WHO 环境健康标准，2006 年专题报告）。MOR 的大规模生产和使用将产生含有机锡的废液和处理物，需要严格的废物管理制度和处置方案。随着环保法规趋严（尤其欧盟 REACH 法规），有机锡的使用许可和生产排放标准存在进一步收紧的潜在风险。这可能导致材料配方向锆基或铪基转移，增加替代路线的研发和导入成本。

误读纠偏

误读 1：“MOR 会全面取代 CAR”

纠正：MOR 在可预见的未来（到 2030 年甚至 2035 年）不会完全取代 CAR，而是与 CAR 互补共存。以 2nm 逻辑制程为例，25 个 EUV 层中可能只有 4-8 个最高分辨率层需要使用 MOR，其余层继续使用 CAR 或升级版的 CAR/金属掺杂 CAR。CAR 技术本身也在进步，在分辨率和缺陷密度上不断改善，在成本、成熟度和供应链完善度上的优势仍然是巨大的。说”MOR 是 EUV 光刻胶的未来”更为准确，但”取代 CAR”是不严谨的过度简化。

误读 2：“MOR 是全新的颠覆性革命，与过去完全无关”

纠正：MOR 并非从天而降的颠覆。金属氧化物感光体系的研究可追溯至 2010 年前后（Inpria 成立于 2007 年）。MOR 是在数十年 EUV 光刻材料研究基础上的一条渐进但关键的演进路线，是光刻胶从有机化学向无机金属团簇化学的延伸。其涂布、显影、刻蚀的工艺范式与 CAR 高度相似，现有涂胶显影设备和工艺经验仍然适用。

误读 3：“中国在 MOR 领域与国外差距不大，完全可以弯道超车”

纠正：MOR 是中国半导体材料企业参与全球竞争的一个窗口，但远不是”差距不大”。当前 MOR 领先企业（TOK、JSR/Inpria）已积累了 10-15 年的研发数据和工艺经验，与下游领先客户和 High-NA EUV 设备形成了紧密的验证闭环。本土企业无法获得 High-NA EUV 设备的直接验证条件，在研发数据积累和客户关系的建立上面临客观壁垒。MOR 为中国材料企业提供了一个有希望的追赶赛道，但将此表述为”弯道超车”或”差距不大”会低估产业工程化的复杂性和生态壁垒。

误读 4：“MOR 一上市，先进制程的成本会大幅降低”

纠正：短期看，MOR 导入先进制程的单位耗材成本是上升的（MOR 定价约为 CAR 的 3-5 倍）。长期生产成本效益体现在简化工艺流程（可能省去单独的硬掩模沉积和刻蚀步骤）、提升曝光效率（灵敏度高）和改善良率上。但这些效益需要大规模量产验证才能兑现，初始导入阶断的成本曲线是上行的，预计到 2028-2030 年工艺成熟后才实现净成本下降。简单以”MOR 降低成本”概括是不严谨的。

误读 5：“除了锡基 MOR，其他路线都没有希望”

纠正：锡基负性路线是当前最成熟的，但并不意味着其他路线没有探索价值。锆/铪基 MOR 在灵敏度上有理论优势，正性 MOR 在设备兼容性和工艺灵活度上有吸引力，干法沉积 MOR 在 3D 结构保形涂布上有其独特价值。如果锡基路线在缺陷密度或 EHS 法规上面临无法克服的障碍，备选路线可能在