芯片层 开放阅读

GDDR7

消费/边缘 AI

概念 ID
gddr7
更新时间
2026-05-28
来源数量
18

GDDR7

⏱️ 15 分钟阅读

1. 3 秒看懂(≤25 字)

GDDR7 是低成本 AI 显存,32-40Gbps 档位切入消费与边缘推理。1345

2. 3 分钟产业解释(120-180 字)

GDDR7 是 JEDEC 在 2024 年发布的图形显存标准,单颗器件带宽最高口径达 192GB/s,较 GDDR6 翻倍,核心变化是用 PAM3 信号与 4 个独立通道提高带宽/能效。1 它与 HBM 的边界不在“是否服务 AI”,而在成本、封装和带宽密度:HBM3E/HBM4 进入训练和高端加速卡,GDDR7 进入 GeForce RTX 50、工作站、游戏、AI PC、边缘推理和中低成本加速器。78 三星、SK hynix、Micron 均已披露 32Gbps 以上产品,24Gb/3GB 颗粒把 192-bit 卡容量从 12GB 抬到 18GB,把 256-bit 卡从 16GB 抬到 24GB。345

3. 15 分钟专家深入(400-600 字)

GDDR7 的产业位置是“HMB 不经济处的带宽补位”,2025-2026 年主要由 3 条需求线驱动:第一,NVIDIA GeForce RTX 50 官方规格已把 5090/5080/5070 Ti/5070 切到 GDDR7,其中 RTX 5090 为 32GB、1792GB/s,RTX 5080 为 16GB、960GB/s,RTX 5070 Ti 为 16GB、896GB/s,RTX 5070 为 12GB、672GB/s。7 第二,AI PC 与边缘推理需要比 DDR5/LPDDR5X 更高的本地带宽,但多数设备无法承担 HBM 的 2.5D 封装成本与供应链复杂度。26 第三,专业图形、创作工作站和轻量推理卡对容量的边际需求上升,24Gb 颗粒使同一 PCB 颗粒数下容量提升 50%,对 8-24GB 消费卡和 24-48GB 工作站卡的 BOM 弹性更直接。45

供给侧看,三星在 2023-07 披露 16Gb GDDR7,32Gbps per pin、系统带宽 1.5TB/s、较 GDDR6 1.1TB/s 提升约 1.4x;2024-10 披露 24Gb GDDR7,特定环境最高 42.5Gbps、能效提升 30%。34 SK hynix 在 2024-07 披露 GDDR7,32Gbps 起步、特定环境最高 40Gbps、较上一代速度提升 60%,并通过 6 层散热基板与 EMC 将热阻降低 74%。5 Micron 在 2024-06 披露基于 1β 工艺的 GDDR7,32Gbps、系统带宽超过 1.5TB/s、较 GDDR6 带宽提升最高 60%、功耗效率提升超过 50%、待机功耗降低最高 70%。2 到 2026-03,TrendForce 转述 Micron 正开发 stacked GDDR,若 2027 样品兑现,GDDR7 后续会向“介于标准 GDDR 与 HBM 之间”的 AI 推理容量层延伸。6

投资上,GDDR7 与 HBM 的关系是“竞争边界扩大但不完全替代”。训练卡需要 HBM 的 TB/s 级堆栈带宽、封装内短距互连和大规模并行,GDDR7 更适合 128/192/256/384/512-bit 板级总线上的成本敏感推理。可算公式是 GPU 出货 × 每卡颗粒数 × 单颗容量 × ASP × 供应份额 = GDDR7 收入;其中 RTX 50 规格、厂商速率/密度与三家总收入为 A/B 源,GPU 出货、GDDR7 ASP 和供应份额未披露,需标 [未核实 — 待补 A/B 源]27101112

4. 技术原理(200-300 字)

GDDR7 是板级离散显存,每颗 DRAM 通过 GPU 周边走线连接,不需要 HBM 的 TSV 堆叠、silicon interposer 或 2.5D 封装,因此单位 bit 成本和封装门槛低于 HBM,但每 bit 能效和封装内带宽密度低于 HBM。18 JEDEC JESD239 定义 GDDR7 SGRAM 的功能、封装和引脚,PAM3 用 3 个电平在 2 个周期内传输 3 bit,较传统 NRZ 在高频下改善速率/信噪比折中。1 16Gb 与 24Gb 颗粒分别对应 2GB 与 3GB 单颗容量,32Gbps 颗粒在 384-bit 总线上可形成约 1.5TB/s 系统带宽,RTX 5090 的 1792GB/s 官方带宽显示首代量产板卡已接近 1.8TB/s 档位。27 主要瓶颈从“是否能跑到 32Gbps”转向 PCB 信号完整性、散热、功耗、24Gb 颗粒良率、客户降频策略和 GDDR 与 HBM 的 wafer allocation。456

5. 上游依赖 / 下游影响

上游依赖

  • DRAM 工艺:Micron GDDR7 使用 1β 工艺,32Gbps 与 24Gb 密度决定其在消费/边缘 AI 中的性价比斜率。2
  • 封装与散热:SK hynix 披露 GDDR7 用 6 层散热基板和 EMC 降低热阻 74%,若高端卡长期降频至 28-30Gbps,40Gbps 以上规格对收入贡献会后移。57
  • 标准生态:JEDEC JESD239 已覆盖 GDDR7 功能、封装和引脚,标准成熟度高于 stacked GDDR、低于已多年量产的 GDDR6。16
  • 晶圆分配:FY2025 三星收入 333.6 万亿韩元、SK hynix 收入 97.1467 万亿韩元 [SKH]、Micron 收入 373.78 亿美元,HBM/DDR5/GDDR7 会在同一 DRAM 产能池内竞争高毛利 wafer。101112

下游影响

  • 消费 GPU:RTX 50 官方使用 8-32GB 显存与 448-1792GB/s 带宽,GDDR7 把相同总线宽度的带宽曲线较上一代上移。7
  • 边缘 AI:Micron 明确把 GDDR7 定位于 gaming、AI inference 与 edge/client 组件,说明消费显卡外的推理需求正在进入产品叙事。2
  • 中端加速卡:若 24Gb 颗粒普及,192-bit 设计可从 12GB 升到 18GB,256-bit 设计可从 16GB 升到 24GB,降低新增 PCB 颗粒数的成本。45
  • HBM 边界:HBM4 面向 Rubin/MI400 等高端平台,GDDR7 面向成本敏感推理;若 stacked GDDR 2027 样品可用,HBM 在中低端推理中的 ASP 天花板会被压低。68

6. 技术路线对比表

路线速率功耗距离或维度标准成熟度量产概率 2026反证指标
16Gb GDDR732Gbps per pinMicron 称较 GDDR6 能效 > 50%;三星称较 GDDR6 能效 +20%2GB/颗,板级 mm-cm 走线JESD239 已发布,RTX 50 已商用90%RTX 50 后续 SKU 回退 GDDR6,或主流板卡长期低于 28Gbps
24Gb GDDR736-42.5Gbps 公开口径三星称 24Gb 方案能效 +30%3GB/颗,容量较 16Gb +50%厂商产品页/公告阶段70%24Gb 颗粒无法进入 2026 消费/工作站 SKU,或价格导致 Super/Refresh 延后
SK hynix 40Gbps GDDR732Gbps 起步,最高 40Gbps热阻降低 74%6 层散热基板 + EMC公司公告阶段70%客户仍以 30Gbps 以下运行,40Gbps 只停留在实验/展示
Samsung 42.5Gbps GDDR7最高 42.5Gbps24Gb 方案能效 +30%24Gb/3GB 颗粒公司公告 + 产品页阶段65%42.5Gbps 未在 2026 板卡规格中出现
Stacked GDDR4 层样品为媒体/TrendForce 转述待披露介于标准 GDDR 与 HBM 之间2027 样品预期30%2026H2 工艺测试未启动,或客户继续直接上 HBM
HBM3E/HBM4HBM4 单堆栈 2.0TB/s 以上每 bit 能效优于板级 GDDRTSV + 2.5D 封装,封装内短距JEDEC HBM4 已发布85%中端推理卡因成本转向 GDDR7/stacked GDDR

7. 关键指标(5-7 项 + 怎么追)

  • RTX 50 attach:按季度跟踪 NVIDIA 官方 SKU 规格和 AIB 料号,若 70/60 档 GDDR7 容量从 12/8GB 上移到 18/12GB,则 24Gb 颗粒渗透加速。7
  • 24Gb 颗粒上板:跟踪 Samsung/SK/Micron 产品页与显卡拆解,若 2026H2 仍无 3GB 颗粒量产 SKU,则 2026 收入弹性下修。45
  • ASP:GDDR7 ASP 未被三家公司单列披露,所有单颗价格、溢价率和合约价均标 [未核实 — 待补 A/B 源],仅可用渠道价作 C 级辅助。2101112
  • HBM/GDDR 产能分配:跟踪三家财报中 HBM、conventional DRAM、graphics DRAM 的用词变化,若 HBM 满产挤压 GDDR7,消费卡供给会涨价或延后。101112
  • 速率落地:跟踪 32/36/40/42.5Gbps 在实际 SKU 的运行频率,若高端卡普遍停在 28-30Gbps,则高规格溢价兑现弱于公告口径。3457
  • Stacked GDDR:跟踪 TrendForce/ETNews 后续验证,若 2027 样品兑现,则 GDDR7 产业链从消费显存扩到 AI 推理专用内存层。6
  • 边缘 AI 软件需求:跟踪本地 LLM、游戏生成式 AI、创作软件显存占用,若 8-12GB 卡出现持续性能瓶颈,24Gb 颗粒需求会前移。27

8. 可算传导表

驱动变量MicronSamsung ElectronicsSK hynix
TAM图形 DRAM 2025 市场 143.2 亿美元、2034 年 387.4 亿美元为 C 源情景,关键 TAM 标 [未核实 — 待补 A/B 源]同左同左
出货GPU 出货 × 每卡 GDDR7 颗粒数;客户与出货未披露GPU 出货 × 每卡 GDDR7 颗粒数;24Gb 量产客户未披露GPU 出货 × 每卡 GDDR7 颗粒数;24Gb 计划需补 A/B 源
ASP单颗 ASP × 颗粒数;ASP 未披露,标 [未核实 — 待补 A/B 源]同左同左
份额GDDR7 份额未披露;用 RTX 50 拆解只能作 C 级辅助GDDR7 份额未披露;24Gb/42.5Gbps 是产品领先指标GDDR7 份额未披露;40Gbps 与热阻指标是产品领先指标
收入TAM × GDDR7 渗透率 × Micron 份额;FY2025 总收入 373.78 亿美元作基数TAM × GDDR7 渗透率 × Samsung 份额;FY2025 总收入 333.6 万亿韩元作基数TAM × GDDR7 渗透率 × SK 份额;FY2025 总收入 97.1467 万亿韩元作基数 [SKH]
毛利GDDR7 收入 × GDDR7 GM;公司 FY2025 GM 40%,GDDR7 GM 未披露GDDR7 收入 × GDDR7 GM;集团 FY2025 OPM 13.1%,GDDR7 GM 未披露GDDR7 收入 × GDDR7 GM;FY2025 OPM 49%,GDDR7 GM 未披露
PE42.3x(2026-05-27 16:00 EDT 收盘 895.86 美元 ÷ TTM EPS 21.18 美元,C 级行情口径)23.99x(2026-05-28 附近,KRW,StockAnalysis market cap ÷ TTM earnings,C 级)2026-05-28 KRX close 未锁定 hard value,不使用 2026-05-13 UTC 旧 PE [SKH]
估值情景市值框架 = FY26E 净利润 × 目标 PE;GDDR7 增量 EPS = 收入 × 净利率 ÷ 稀释股本情景市值框架 = FY26E 净利润 × 目标 PE;需区分普通股/优先股情景市值框架 = FY26E 净利润 × 目标 PE;需用韩股收盘与普通股口径

9. 同业硬指标对比表

公司收入增速GM/OPM净利FCF margin客户集中度技术代际PE TTM反证条件
MicronFY2025 373.78 亿美元FY2025 较 FY2024 251.11 亿美元 +48.9%GM 40%、OPM 26%85.39 亿美元,NM 23%调整后 FCF 37.2 亿美元,约 10.0%GDDR7 客户未单列,HBM4 面向 NVIDIA Vera Rubin1β GDDR7 32Gbps,24Gb/36Gbps 需产品页复核42.3x,2026-05-27,美股收盘/EPS,C 源GDDR7 ASP 不升、HBM 挤占 wafer、24Gb 颗粒无法上板
Samsung ElectronicsFY2025 333.6 万亿韩元FY2025 收入较 FY2024 300.9 万亿韩元 +10.9%OPM 13.1%2025 净利 45.2068 万亿韩元FCF margin 待 2025 年报逐项复核GDDR7 客户未披露,AI 相关 DDR5/SOCAMM2/GDDR7 并行16Gb 32Gbps、24Gb 最高 42.5Gbps23.99x,2026-05-28 附近,KRW,C 源24Gb 颗粒停留样品、HBM4 优先挤压 GDDR7
SK hynixFY2025 97.1467 万亿韩元 [SKH]FY2025 较 FY2024 66.1930 万亿韩元 +46.8%OPM 49% [SKH]42.9479 万亿韩元,NM 44% [SKH]字典不以二级估算填数 [SKH]NVIDIA/HBM 客户集中度高,GDDR7 客户未单列GDDR7 32Gbps 起步、最高 40Gbps、热阻 -74%2026-05-28 KRX close 未锁定 hard value [SKH]HBM 优先导致 GDDR7 供给不足,或 40Gbps 无 SKU 采用
NVIDIAFY2026 收入需 10-K 口径复核RTX 50 带动 GDDR7 从 2025 起商用数据中心 GM 待 10-K 复核待 10-K 复核待 10-K 复核GeForce/AIB 分散,AI 数据中心更集中RTX 50 使用 8-32GB GDDR7、448-1792GB/s32.7x,2026-05-27,美股收盘/EPS,C 源50 系销量弱、GDDR7 成本上行压制板卡毛利
AMDFY2025 收入需 10-K 口径复核RDNA/专业卡采用节奏待官方确认GM 待 10-K 复核待 10-K 复核待 10-K 复核游戏 GPU 和半定制客户分散GDDR7 采用节奏待披露,AI 高端仍偏 HBM165.1x,2026-05-27,美股收盘/EPS,C 源下一代游戏卡继续推迟 GDDR7,或 AI 预算全部转向 HBM
SK/Samsung/Micron 合计2025 三家公司合计收入约 4700 亿美元等值需汇率复核2025 均受 AI DRAM 周期拉动OPM 从 Samsung 13.1% 到 SK 49% 分化净利率从 Micron 23% 到 SK 44% 分化FCF 受扩产周期压制GPU 客户议价强于内存厂GDDR7 32-42.5Gbps 全覆盖同业 PE 中位约 30x,C 源价格周期下行快于 GDDR7 渗透率上行

10. 投资逻辑 + 业绩传导(200-300 字 + ASCII 传导图)

GDDR7 的投资逻辑不是“替代 HBM”,而是把 AI 终端和成本敏感推理的显存带宽从 GDDR6 的 1TB/s 附近推到 1.5-1.8TB/s 档位。127 对 Micron、Samsung、SK hynix,最重要的 3 个财报变量是 24Gb 颗粒渗透率、32Gbps 以上 ASP 溢价、HBM 与 GDDR7 的产能分配;对 NVIDIA/AMD/AIB,最重要的是单卡容量提升能否覆盖更高显存 BOM。4567 2026 年模型不应写死 GDDR7 份额,因为三家公司未披露客户 allocation;更可执行的方式是用 RTX 50/工作站 SKU 数量、显存容量和拆解颗粒供应商做季度验证。7

消费 GPU / 边缘 AI 出货 × GDDR7 attach rate
        ↓
每卡颗粒数 × 单颗容量 × ASP
        ↓
Micron / Samsung / SK hynix 供应份额
        ↓
GDDR7 收入 × GDDR7 毛利率
        ↓
EPS 增量 × PE = 情景市值框架 / 股价

11. 常见误读纠偏

误读 1:GDDR7 会替代 HBM。

实际情况:GDDR7 的板级总线适合 448-1792GB/s 级别消费/边缘 AI,HBM4 的封装内堆栈适合单堆栈 2.0TB/s 以上的高端训练/推理平台,二者在成本和封装维度分层。178

证据:RTX 5090 官方 GDDR7 带宽为 1792GB/s,而 HBM4 标准和厂商产品面向 Rubin/MI400 的堆栈式高带宽内存,不是同一封装形态。78

误读 2:32Gbps 公告等于所有显卡都跑 32Gbps。

实际情况:厂商披露的是颗粒能力或特定环境上限,实际 SKU 会因功耗、散热、PCB 和良率降到 28-30Gbps 区间,RTX 50 官方带宽必须按具体总线和运行速率倒算。3457

证据:Samsung 披露 24Gb 最高 42.5Gbps、SK hynix 披露最高 40Gbps,但 NVIDIA 官方规格只给 SKU 带宽,未承诺每张卡都使用最高颗粒速率。457

误读 3:24Gb 颗粒只影响游戏显卡。

实际情况:24Gb 把单颗容量从 2GB 提到 3GB,192-bit 卡从 12GB 到 18GB、256-bit 卡从 16GB 到 24GB,这对本地 LLM、创作工作站和边缘推理的容量约束更直接。45

证据:Samsung 24Gb GDDR7 公告明确指向 next-generation AI computing,Micron 把 GDDR7 放入 CPU/NPU/GPU 的 edge AI inference 产品组合。24

12. 最新事件

  • [已发生] 2024-03-05:JEDEC 发布 JESD239 GDDR7,标准称单设备最高带宽可达 192GB/s,并首次在 JEDEC DRAM 标准中采用 PAM3。1
  • [已发生] 2024-06-04:Micron 披露 1β GDDR7 样品,32Gbps、系统带宽超过 1.5TB/s、能效较 GDDR6 提升超过 50%。2
  • [已发生] 2024-07-30:SK hynix 披露 GDDR7,32Gbps 起步、最高 40Gbps、热阻降低 74%,目标覆盖高规格 3D 图形、AI 和自动驾驶。5
  • [已发生] 2024-10-17:Samsung 披露 24Gb GDDR7,最高 42.5Gbps、能效提升 30%,容量较 16Gb 颗粒提升 50%。4
  • [已发生] 2025-01-06:NVIDIA 发布 GeForce RTX 50 系列,RTX 5090 官方配置 32GB GDDR7 与 1792GB/s 带宽,GDDR7 进入消费旗舰商用。7
  • [行业预测] 2026-03-31:TrendForce 转述 Micron 正开发 stacked GDDR,预计 2026H2 工艺测试、2027 年样品,定位 AI 推理的 HBM/GDDR 中间层。6

13. 来源 footnotes(A/B/C 标注)

1 JEDEC Publishes GDDR7 Graphics Memory Standard / JESD239 — JEDEC / BusinessWire — 2024-03-05 — https://www.businesswire.com/news/home/20240305637931/en/JEDEC-Publishes-GDDR7-Graphics-Memory-Standard — (A)

2 Micron Samples Next-Gen Graphics Memory for Gaming and AI — Micron Technology — 2024-06-04 — https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-samples-next-gen-graphics-memory-gaming-and-ai — (B)

3 Samsung Develops Industry’s First GDDR7 DRAM To Unlock the Next Generation of Graphics Performance — Samsung Global Newsroom — 2023-07-19 — https://news.samsung.com/global/samsung-develops-industrys-first-gddr7-dram-to-unlock-the-next-generation-of-graphics-performance — (B)

4 Samsung Develops Industry’s First 24Gb GDDR7 DRAM for Next-Generation AI Computing — Samsung Global Newsroom — 2024-10-17 — https://news.samsung.com/global/samsung-develops-industrys-first-24gb-gddr7-dram-for-next-generation-ai-computing — (B)

5 SK hynix Enhances Leadership in Graphics Memory With Introduction of Industry’s Best GDDR7 — SK hynix Newsroom — 2024-07-30 — https://news.skhynix.com/sk-hynix-enhances-leadership-in-graphics-memory-with-introduction-of-industry-best-gddr7/ — (B)

6 Micron Reportedly Pursues Stacked GDDR for AI Inference, Prototype Expected in 2027 — TrendForce — 2026-03-31 — https://www.trendforce.com/news/2026/03/31/news-micron-reportedly-pursues-stacked-gddr-for-ai-inference-prototype-expected-in-2027/ — (C; TrendForce 转述 ETNews/Global Economic,非公司披露)

7 Compare Current and Previous GeForce Series of Graphics Cards — NVIDIA — 2026-05 抓取 — https://www.nvidia.com/en-us/geforce/graphics-cards/compare — (B)

8 HBM4 概念页已核来源:JEDEC JESD270-4 / NVIDIA Rubin / AMD MI400 / Micron HBM4 / Samsung HBM4 / SK hynix HBM4 — 本项目 chain-hbm/concept/02-hbm4.md — 2026-05-28 — _codex_output/chain-hbm/concept/02-hbm4.md — (A/B/C 混合,逐项见原页)

9 Graphics DRAM (GDDR6, GDDR7) Market 2026 — SemiconductorInsight — 2026 抓取 — https://semiconductorinsight.com/report/graphics-dram-gddr6-gddr7-market/ — (C)

10 Form 10-K for Micron Technology Inc. filed 10/03/2025 — Micron / SEC filing — 2025-10-03 — https://micron.gcs-web.com/static-files/7a1f8c6f-1ce9-4efe-bc6e-722b6b9c4550 — (A)

11 Samsung Electronics Announces Fourth Quarter and FY 2025 Results — Samsung Semiconductor Global Newsroom — 2026-01 — https://news.samsungsemiconductor.com/global/samsung-electronics-announces-fourth-quarter-and-fy-2025-results/ — (B)

12 SK hynix Announces FY25 Financial Results — SK hynix / PRNewswire — 2026-01-28 — https://www.prnewswire.com/news-releases/sk-hynix-announces-fy25-financial-results-posts-record-high-results-and-delivers-highest-shareholder-returns-302672384.html — (B)

13 Samsung GDDR product page — Samsung Semiconductor — 2026-05 抓取 — https://semiconductor.samsung.com/dram/gddr/ — (B)

14 Micron GDDR7 product page / product brief — Micron — 2026-05 抓取 — https://www.micron.com/products/memory/graphics-memory/gddr7 — (B)

15 Samsung Electronics Statistics & Valuation Metrics — StockAnalysis — 2026-05-27/28 抓取 — https://stockanalysis.com/quote/krx/005930/statistics/ — (C)

16 SK hynix Inc. P/E Ratio (TTM) — Atlantis Data — 2026-05-13 — https://atlantisdatasolutions.com/south_korea/000660/pe-ratio — (C)

17 Micron / NVIDIA / AMD market data — OpenAI finance snapshot — 2026-05-28 抓取;美股 PE 使用 2026-05-27 16:00 EDT previous close ÷ TTM EPS — local finance tool — (C)

18 Gartner Forecasts Worldwide Semiconductor Revenue to Exceed $1.3 Trillion in 2026 — Gartner — 2026-04-08 — https://www.gartner.com/en/newsroom/press-releases/2026-04-08-gartner-forecasts-worldwide-semiconductor-revenue-to-exceed-us-dollars-one-point-3-trillion-in-2026 — (A; 付费研究摘要)

source: 公开披露与公开资料整理 本页仅用于产业链学习、信息检索和研究辅助;不构成投资建议,不预测涨跌,不提供买卖、仓位或目标价建议。
完整概念页 复盘 13 节结构 公司投研页 沿产业链找到受益公司 投资课 把概念转成可跟踪模型