Stripline(带状线)
3 秒看懂
Stripline(带状线) 是一种将导体条完全夹在两层接地平面之间的传输线结构,中间填充均匀介质。它是 PCB 上承载高速信号(PCIe、NVLink 等)的核心物理层拓扑之一——AI 服务器主板和加速卡上数以万计的高速差分走线,很大比例就工作在 stripline 模式下。
3 分钟产业解释
为什么 AI 产业需要关心一种”PCB 走线结构”?
在 AI 基础设施中,计算力的瓶颈不仅在芯片内部,也在芯片之间的信号传输质量上。一块 NVIDIA DGX 主板或 HGX 模组上,GPU 之间通过 NVLink 互连、网卡通过 PCIe 链路对接 CPU——这些信号在 PCB 铜箔走线中传播;GPU 与 HBM 之间的数千根数据线则位于封装内的硅中介层(interposer)或嵌入式多芯桥接(EMIB)上,属于封装级互连。所有高速信号均以 数十 GHz 的基频或数十 Gbps 的波特率 运行。
走线物理结构的选择,直接决定了:
- 信号完整性(SI):串扰、衰减、色散是否可控
- 电磁辐射(EMI):是否向外界泄漏干扰
- 阻抗控制精度:链路能否维持眼图张开
- 布线密度:单位面积能放多少条高速通道
Stripline 因其完全被两层参考地屏蔽的结构,在串扰抑制和 EMI 控制方面具有天然优势,是 高速数字互连 PCB 设计的主流内层走线方案。
产业定位一句话
Stripline 不是芯片,不是协议,而是让芯片间高速信号”走得好”的物理层基础工艺——类似于高速公路上的路面平整度,虽然不直接产出算力,但决定算力能否高效传递。
15 分钟专家深入
1. Stripline vs. 其他传输线:为什么选它
PCB 上的传输线主要有三种拓扑:
| 特性 | 微带线(Microstrip) | 带状线(Stripline) | 共面波导(CPW) |
|---|---|---|---|
| 导体位置 | PCB 表层,一侧参考地 | PCB 内层,两侧参考地 | PCB 表层,两侧共面接地 |
| 屏蔽性 | 差(开放结构) | 优(完全封闭) | 中等 |
| EMI 辐射 | 较高 | 极低 | 低 |
| 串扰抑制 | 一般 | 好 | 一般 |
| 阻抗控制精度 | 受表面粗糙度影响 | 受控性好 | 中等 |
| 制造成本 | 低 | 较高(需内层走线) | 中等 |
| 频率适用 | DC ~ 数十 GHz | DC ~ 数十 GHz | DC ~ 100+ GHz |
| 典型应用场景 | 射频前端、低速信号 | 高速数字信号内层走线 | 射频探针、毫米波 |
在 AI 加速卡/服务器主板上,绝大多数高速差分对(PCIe Gen5/Gen6、NVLink 等)选择在内层以 edge-coupled stripline differential pair 形式布线,正是因为在 32–64 GT/s 乃至更高速率下,串扰和 EMI 的控制要求极为苛刻。
2. AI 硬件中的 Stripline 实战
一块典型的 8-GPU AI 服务器主板(如 HGX/DGX 级别)的 PCB 通常有 16–24 层甚至更多。其中:
- 表层(L1/L24):元器件焊盘、较短的走线、射频前端等,常为 microstrip
- 内层信号层:高速信号走线,以 stripline 形式 夹在两个相邻参考地层之间
- 电源/接地层:提供低阻抗参考平面和供电
关键高速接口的走线策略:
| 接口 | 速率量级 | 典型走线形式 | Stripline 优势 |
|---|---|---|---|
| PCIe Gen5 x16 | 32 GT/s, NRZ | 内层 stripline 差分对 | EMI 控制,串扰抑制 |
| PCIe Gen6 x16 | 64 GT/s, PAM4 | 内层 stripline 差分对 | 更高的信号完整性要求 |
| NVLink (4th/5th gen) | 50+ GB/s 双向 | 内层 stripline | 多通道密集走线需低串扰 |
| 以太网 400G/800G MAC-to-PHY | 112G PAM4 | 内层 stripline 差分对 | 高频损耗与串扰控制 |
需要说明的是,HBM 与 GPU/ASIC 之间的数据通道位于封装内的硅中介层(interposer)或嵌入式多芯桥接(EMIB)上,并非传统 PCB 走线。在 GPU 与外部互连(如 NVLink、PCIe)的 PCB 走线中,密集内层 stripline 依然是关键挑战。
技术原理(最深)
1. 基本结构
Stripline 横截面示意图
══════════════════════════════════
Ground Plane (上层接地面)
──────────────────────────────────
| 介质 (εr) |
| |
| ┌──────────┐ |
| │ 导体条 │ |
| │ (宽度 w) │ |
| └──────────┘ |
| (厚度 t,居中或偏置) |
| |
──────────────────────────────────
Ground Plane (下层接地面)
══════════════════════════════════
b = 两层接地面之间的总间距
h = 导体条到一侧地平面的距离
(对称情况下 h = b/2)
w = 导体条宽度
t = 导体条厚度
εr = 介质相对介电常数
- 导体条被两层接地平面完全包夹
- 介质均匀填充(实际 PCB 中为 FR-4、Megtron 6/7 等高速板材)
- 电磁场被完全约束在两层地之间,无边缘辐射
2. 传播模式
Stripline 的主模是 TEM(横电磁波)模式:
- 电场 E 和磁场 H 均垂直于传播方向
- 无截止频率,理论上可从 DC 传播到极高频率
- 在实际 PCB 中由于介质损耗和导体损耗,高频信号存在衰减,但传播模式在常用频率范围内仍近似 TEM(准 TEM)
传播速度:
v = c / √εr
其中 c ≈ 3×10⁸ m/s(光速)
以 FR-4(εr ≈ 4.2–4.5)为例:
- v ≈ 1.41–1.46 × 10⁸ m/s ≈ 光速的 47%–49%
- 传播延迟 ≈ 6.9–7.1 ps/cm(约 170–175 ps/inch)
对于高速板材如 Megtron 7(εr ≈ 3.0–3.4 [板材厂商数据]):
- v 更高,延迟更低,有利于高速信号传播
3. 特性阻抗
对于对称 stripline(导体条居中放置,h₁ = h₂ = b/2),当 t << b 时,特性阻抗的近似公式(IPC-2141)为:
Z₀ = (60 / √εr) × ln(1.9(2b + t) / (0.8w + t))
简化形式(极薄导体,t → 0):
Z₀ ≈ (30π / √εr) × [b / (w_eff + 0.441b)]
其中 w_eff ≈ w(当 t/b < 0.1)
注意:以上公式来源于经典的传输线理论近似解(参见 Pozar《Microwave Engineering》及 IPC 标准)。实际 PCB 设计中使用 2.5D/3D 电磁场仿真工具(HFSS、SIwave 等)获取精确阻抗值。
阻抗的定性依赖关系:
| 参数变化 | Z₀ 变化方向 | 原因 |
|---|---|---|
| 线宽 w 增大 | Z₀ 降低 | 导体与地平面耦合增强,电容增大 |
| 介质厚度 b 增大 | Z₀ 升高 | 导体与地平面距离增大,电容减小 |
| 介电常数 εr 增大 | Z₀ 降低 | 电容增大 |
| 导体厚度 t 增大 | Z₀ 略微降低 | 边缘场效应 |
4. 差分 Stripline(Edge-Coupled)
在 AI 硬件的高速串行链路中,几乎全部使用差分信号。两条导体条平行放置在两层地平面之间,构成 edge-coupled stripline differential pair:
Edge-Coupled Stripline 横截面
══════════════════════════════════
Ground Plane
──────────────────────────────────
| |
| ┌────┐ ┌────┐ |
| │ D+ │ │ D- │ |
| └────┘ └────┘ |
| ← s → |
| |
──────────────────────────────────
Ground Plane
══════════════════════════════════
w = 单根线宽
s = 差分对内间距(edge-to-edge)
b = 地平面间距
差分阻抗:
Z_diff = 2 × Z_odd
其中 Z_odd 为奇模阻抗
在 AI 服务器 PCB 中常见的差分阻抗目标:
- PCIe / NVLink:85Ω 或 100Ω 差分阻抗(依规范要求)
5. 损耗机制
Stripline 中信号衰减来自三个源头:
总损耗 α_total = α_d + α_c + α_r
α_d = 介质损耗(与频率近似成正比,tanδ 越大损耗越高)
α_c = 导体损耗(与 √频率 成正比,受铜箔粗糙度影响)
α_r = 辐射损耗(stripline 中 ≈ 0,因完全屏蔽)
- 介质损耗 α_d:在频率超过 ~10 GHz 后成为主导损耗。普通 FR-4 的损耗因子(Df / tanδ)约为 0.01–0.02 [板材供应商数据], 高速板材 Megtron 6 约 0.002–0.004, Megtron 7 更低
- 导体损耗 α_c:受铜箔表面粗糙度影响显著。光滑铜(reverse-treated copper)可降低约 20%–30% 的导体损耗 [行业文献估算];在 28 GHz 以上频率,铜箔粗糙度的影响变得非常显著
- 辐射损耗 α_r:stripline 中理论上为零——这是相比 microstrip 的重要优势之一
在 112G PAM4(56 GHz Nyquist 频率)的场景下,stripline 的损耗控制是决定走线最大长度、是否需要 retimer 的关键因素。
6. Stripline 与 Microstrip 的关键区别——物理机制
Microstrip:
┌──────────┐
│ 导体条 │ ←→ 电磁场部分暴露在空气中
└──────────┘ → 有效介电常数是空气+基板的混合
██████████████
████████████████ 接地平面
Stripline:
████████████████ 上层接地面
┌──────────┐
│ 导体条 │ ←→ 电磁场完全约束在均匀介质中
└──────────┘ → 有效介电常数 = 基板介电常数
████████████████ 下层接地面
Microstrip 的有效介电常数 ε_eff 介于 1(空气)和 ε_r(基板)之间,而 stripline 的 ε_eff ≈ ε_r。这意味着 stripline 的色散(频率相关的相速变化)更小,信号脉冲在传播中保持波形完整性的能力更强——这在 PAM4 等对信噪比敏感的调制方式中至关重要。
技术演进史
| 年代 | 里程碑 | 与 AI 硬件的关联 |
|---|---|---|
| 1952 | Robert M. Barrett 等人在 AFCRC 首次发表 stripline 概念(当时称 “strip transmission line”) | 军事雷达系统中的微波互连 |
| 1960s | TEM 模式理论分析完善,成为微波工程教科书标准内容 | 通信基础设施的 PCB 设计 |
| 1970s–80s | 多层 PCB 工艺成熟,stripline 开始广泛用于商用 PCB | 早期计算机总线设计 |
| 1990s | EDA 工具(如早期的 HyperLynx)开始支持 stripline 阻抗计算与仿真 | 高速数字设计时代来临 |
| 2000s | 差分 stripline 设计方法论成熟,PCIe 1.0–3.0 推动 | 服务器主板高速串行链路 |
| 2010s | PCIe Gen4 (16 GT/s)、56G PAM4 出现,对损耗和串扰要求急剧提高 | AI 训练集群开始兴起,NVLink 引入 |
| 2020s | PCIe Gen5 (32 GT/s)、Gen6 (64 GT/s)、112G SerDes;HBM3/3E 的封装内(硅中介层/EMIB)互连挑战 | GPU 互连密度爆炸,stripline 设计精度要求达到前所未有的水平 |
| 2025+ | 224G SerDes、PCIe Gen7 研讨中;低损耗超低粗糙度铜箔与超低 Df 材料成为必需 | 下一代 AI 加速器互连带宽持续翻倍 |
趋势:每一代数据速率翻倍,对 stripline 的要求就严苛一个量级——损耗预算收紧、阻抗公差缩小、走线间距压缩。
技术路线对比
PCB 内高速传输线拓扑量化对比
| 参数 | 对称 Stripline | 偏置 Stripline(导体不居中) | Microstrip(表层) | 共面波导 GCPW |
|---|---|---|---|---|
| 屏蔽性 | ★★★★★ 完全屏蔽 | ★★★★ 高 | ★★ 较差 | ★★★ 中 |
| EMI 辐射 | ≈ 0 | 极低 | 较高 | 低 |
| 传播速度 | c/√εr(较低) | c/√ε_eff(略高于对称) | c/√ε_eff(较高) | c/√ε_eff |
| 损耗(@28 GHz) | 中高(全在介质中) | 中高 | 中(部分在空气中) | 中低 |
| 色散 | 极低 | 低 | 中等 | 低 |
| 走线密度 | 高(内层) | 高 | 中(需间距) | 中 |
| 制造复杂度 | 高(需精确内层蚀刻与层压对准) | 中高 | 低 | 中 |
| 阻抗控制精度 | ±5%–10%(视工艺) | ±5%–10% | ±8%–15% | ±8%–12% |
| 典型 Z₀ 范围 | 30–100Ω | 30–100Ω | 30–100Ω | 20–120Ω |
| 差分阻抗控制 | ★★★★★ | ★★★★ | ★★★ | ★★★ |
| 典型 AI 硬件应用 | PCIe、NVLink 等 GPU 互连内层走线 | 对层叠受限时的折中 | 射频前端、短距离 | 射频探针、芯片封装级 |
上下游
产业链图谱
上游材料 中游设计与制造 下游应用
┌─────────────┐ ┌──────────────────┐ ┌─────────────────┐
│ 高速覆铜板 │ │ PCB 设计 (EDA) │ │ AI 服务器/加速卡 │
│ (CCL) │─────→│ │─────→│ (DGX, HGX) │
│ - 生益科技 │ │ - Cadence Allegro│ │ │
│ - 联茂/台耀 │ │ - Siemens Xpedition │ 数据中心交换机 │
│ - 松下(M系列)│ │ - Ansys SIwave │ │ (400G/800G) │
└─────────────┘ │ - Keysight ADS │ │ │
└──────────────────┘ │ 基站/通信设备 │
┌─────────────┐ ↑ └─────────────────┘
│ 铜箔 │ ┌──────────────────┐
│ - 低粗糙度铜 │─────→│ 高端 PCB 制造商 │
│ - Mitsui矿业 │ │ - 深南电路 │
│ - Furukawa │ │ - 沪电股份 │
└─────────────┘ │ - TTM Technologies│
│ - AT&S │
┌─────────────┐ │ - Unimicron │
│ 半固化片 │ └──────────────────┘
│ (Prepreg) │─────→ ↑
└─────────────┘ ┌──────────────────┐
│ 电磁仿真/测试 │
│ - Ansys HFSS │
│ - Keysight │
│ - Tektronix │
└──────────────────┘
关键上游材料与 Stripline 性能的关系
| 材料 | 关键参数 | 对 Stripline 的影响 |
|---|---|---|
| 高速覆铜板(CCL) | 介电常数 εr、损耗因子 Df/tanδ | 直接决定信号损耗和传播速度;Df 越低越好 |
| 铜箔 | 表面粗糙度(Rz) | 粗糙度越大,高频导体损耗越大;超低粗糙度铜是高端 PCB 必需 |
| 半固化片(Prepreg) | εr 一致性、厚度均匀性 | 影响阻抗控制精度和层间对准 |
| 绿油/阻焊膜 | εr(表层影响 microstrip,对 stripline 影响小) | Stripline 因在内层,受阻焊膜影响较小 |
关键指标
衡量 Stripline 走线质量的核心参数
| 指标 | 定义 | AI 硬件典型要求(量级) | 备注 |
|---|---|---|---|
| 特性阻抗 Z₀ | 单端阻抗 | 50Ω(±5%–10%) | 公差由 PCB 制造工艺控制 |
| 差分阻抗 Z_diff | 差分对阻抗 | 85Ω 或 100Ω(±10%) | 依接口规范(PCIe 等) |
| 插入损耗 IL | 信号经走线后的功率衰减 | 与走线长度和频率相关;PCIe Gen5 在 16 GHz 处有链路损耗预算 | 越低越好 |
| 回波损耗 RL | 阻抗不匹配导致的反射 | > 15–20 dB(在工作频带内) | 越高越好 |
| 串扰(NEXT/FEXT) | 相邻走线间的耦合干扰 | < -30 至 -40 dB | 越低越好 |
| 走线 skew | 差分对内两条线的时延差 | PCIe Gen5: < 5 mils [规范参考值] | 影响信号时序裕量 |
| 走线长度公差 | 差分对长度匹配 | < 2–5 mils(视速率) | 高速信号对匹配极敏感 |
| 介质厚度控制 | 参考平面间距 b 的均匀性 | ±8%–10% | 直接影响 Z₀ 均匀性 |
供需与市场数据
与 Stripline 相关的产业数据
说明:以下数据为产业链关联估算,不构成精确财务数据。Stripline 本身不独立成为产品类别,其价值嵌入在整个 PCB 和板材产业链中。
| 数据维度 | 数值/量级 | 来源口径 |
|---|---|---|
| 全球高端 PCB 市场(含 AI 服务器用) | 数百亿美元量级 | [行业报告估算] |
| AI 服务器单板 PCB 层数 | 16–24+ 层 | [PCB 设计实践] |
| AI 服务器 PCB 单板价值(8-GPU 级) | 数千至近万美元(视规格) | [供应链估算] |
| 高速 CCL 市场增速 | 双位数年增长(受 AI 需求拉动) | [行业报告估算] |
| 低损耗 CCL(Df < 0.005)需求趋势 | 快速增长,AI 服务器为最大拉动力 | [行业报告估算] |
| PCB 板材中 Megtron 系列市占率 | 在高端服务器 PCB 领域占主导地位(具体份额未充分披露) | [行业观察] |
核心逻辑:AI 大模型训练/推理集群 → 高速互连带宽需求翻倍 → 要求更低损耗、更精确阻抗控制的 stripline 走线 → 拉动高端 CCL(低 Df 材料)和高端 PCB 制造(更严格公差)的需求。
代表公司与资本映射
上游材料
| 公司 | 角色 | 与 Stripline 的关系 | 上市信息 |
|---|---|---|---|
| 松下电工(Panasonic) | Megtron 6/7 系列高速 CCL | 行业标杆级低损耗板材,AI 服务器 PCB 首选 | TYO: 6752 |
| 生益科技 | 国产高速 CCL 龙头 | 高频高速板材产品线,受益于国产替代 | SH: 600183 |
| 联茂电子(ITEQ) | 台湾高速 CCL 厂 | 高频板材供应商,供应全球 PCB 厂 | TWSE: 6213 |
| 台耀科技(TUC) | 台湾 CCL 厂 | 高频板材,AI 相关订单增长 | TWSE: 6274 |
| Mitsui Mining & Smelting(三井金属) | 超低粗糙度铜箔 | 高端 stripline 走线需要超低粗糙度铜箔 | TYO: 5706 |
中游 PCB 制造
| 公司 | 角色 | 与 Stripline 的关系 | 上市信息 |
|---|---|---|---|
| 深南电路 | 中国高端 PCB 龙头 | AI 服务器用多层板,stipline 工艺核心能力 | SZ: 002916 |
| 沪电股份 | 高端 PCB 制造商 | 高速通信/AI 服务器 PCB | SZ: 002463 |
| TTM Technologies | 北美最大 PCB 厂 | 供应美国 AI 硬件厂商的高端 PCB | NASDAQ: TTMI |
| AT&S | 欧洲高端 PCB/IC 载板厂 | AI 相关高端 PCB | VIE: ATS |
| Unimicron(欣兴电子) | 台湾高端 PCB/IC 载板 | AI 服务器 PCB 供应商 | TWSE: 3037 |
EDA/仿真工具
| 公司 | 产品 | 作用 |
|---|---|---|
| Cadence | Allegro PCB SI | PCB 级信号完整性分析,stripline 阻抗建模 |
| Siemens EDA | HyperLynx / Xpedition | 高速信号完整性仿真 |
| Ansys | HFSS / SIwave | 3D 全波电磁仿真,精确建模 stripline 结构 |
| Keysight | ADS / PathWave | 射频/高速信号仿真与测量 |
投资逻辑
核心投资线索
1. AI 算力爆发 → 高速 PCB 需求链式传导
AI 训练/推理需求增长
→ 更多 GPU/加速卡(如 NVIDIA B200/GB300)
→ 更高带宽互连(NVLink 5th gen, PCIe Gen6)
→ PCB 需更多层数、更高速板材、更精确走线控制
→ 高端 CCL + 高端 PCB 制造双重受益
2. 每一代速率升级 = 材料单价提升 + 板材用量增加
- 从 PCIe Gen4 到 Gen5 到 Gen6,所需板材等级从标准高速提升到超低损耗,单价显著提升
- 层数从 16 层可能增加到 20+ 层,板材用量增加
- “量价齐升”逻辑
3. 国产替代逻辑(中国市场)
- 高端 CCL 领域松下 Megtron 系列长期占主导
- 生益科技等国产厂商正加速追赶,AI 服务器 PCB 需求增长为国产替代提供窗口
风险提示
- Stripline 的技术壁垒更多在 PCB 制造工艺和板材配方,而非设计方法论本身(后者已有成熟 EDA 工具)
- 高端 CCL 市场集中度高,松下等日本厂商的技术领先在缩小但未消失
- AI 需求的周期性波动会直接影响 PCB 订单
常见误读纠偏
误读 ❶:“Stripline 和 Microstrip 只是叫法不同,本质一样”
纠偏:二者在电磁场分布、辐射特性、色散行为和串扰特性上有本质差异。
- Microstrip 是开放结构,电磁场部分暴露在空气中,会辐射电磁能量;有效介电常数是频率相关的(色散),在极高速率下影响信号完整性
- Stripline 是全封闭结构,电磁场完全约束在两层地之间,辐射为零,色散极小
- 在 32 GT/s 及以上速率的 AI 互连中,这个差异不是学术上的,而是决定链路能否工作的工程差异
误读 ❷:“Stripline 损耗比 Microstrip 低,因为它没有辐射损耗”
纠偏:Stripline 的辐射损耗确实约为零,但总损耗不一定比 microstrip 低。
- Stripline 中电磁场完全在介质中传播,有效介电常数 = ε_r(全介质)
- Microstrip 中部分场在空气中,有效介电常数 < ε_r,介质损耗更低
- 在相同长度、相同频率下,stripline 的介质损耗可能高于 microstrip
- Stripline 的优势在于可控性和可预测性(无色散、无辐射、串扰可精确建模),而非绝对损耗更低
- 实际设计中需根据链路损耗预算和 EMI/串扰要求做 trade-off,不是无脑选 stripline
误读 ❸:“Stripline 设计只关注阻抗,只要 Z₀ 对了就没问题”
纠偏:阻抗匹配只是基本门槛,远非全部。
- 在 56 GHz+ 频率下(112G PAM4 的 Nyquist 频率),损耗预算 通常比阻抗更紧张
- 差分对内 skew(时延匹配)、对间串扰、过孔/连接器处的阻抗不连续性 都是关键挑战
- 铜箔粗糙度在极高频率下的影响可能比阻抗偏差更大
- PCB 设计是系统性工程,stripline 走线只是其中一环,但往往是最长、损耗占比最大的一环
学习路径
入门(1–2 周)
- 阅读 David Pozar《Microwave Engineering》 第3章(Transmission Lines)——理解 TEM 传输线基本理论
- 阅读 Howard Johnson《High-Speed Digital Design: A Handbook of Black Magic》——理解高速数字设计中传输线的实际问题
- 在 EDA 工具中画一条 stripline 走线,计算阻抗,感受参数变化的影响
进阶(1–2 月)
- 学习 IPC-2141(Controlled Impedance Circuit Boards and High Speed Logic Design)标准
- 掌握 Ansys SIwave 或 Cadence Sigrity 中的 PCB 级信号完整性仿真
- 阅读 Eric Bogatin《Signal and Power Integrity – Simplified》——SI/PI 工程实战
深入(持续)
- 研究 PCIe Gen5/Gen6 物理层规范中的走线要求
- 学习 HBM 接口 PCB 设计(JEDEC 规范 + 各厂商应用笔记)
- 关注 224G SerDes 相关的技术讨论和标准化进展
- 动手做 TDR(时域反射计)测量,对比仿真与实测的差异
一句话总结
Stripline 是 AI 高速互连的”隐形高速公路路基”——它不直接产生算力,但 PCB 上每一条被两层地平面夹住的铜箔走线,都在默默决定着 GPU 间数十 GB/s 数据流的信号质量和传输距离,其材料选择和工艺精度已成为 AI 基础设施算力释放的关键瓶颈之一。
延伸阅读与来源
经典教材
- David M. Pozar, Microwave Engineering, 4th Edition —— 传输线理论权威教材
- Howard W. Johnson & Martin Graham, High-Speed Digital Design —— 高速数字设计”黑魔法”圣经
- Eric Bogatin, Signal and Power Integrity – Simplified —— SI/PI 实战入门
标准与规范
- IPC-2141A: Controlled Impedance Circuit Boards and High Speed Logic Design
- IPC-TM-650: 测试方法手册(特性阻抗测试方法 2.5.5.7)
- PCIe CEM(Card Electromechanical)规范:对 PCB 走线阻抗、损耗的量化要求
- JEDEC HBM 规范(JESD235 系列)—— 定义 HBM 互连电特性(虽不直接规定 PCB stripline,但对系统级信号完整性有关联影响)