TSV（Through-Silicon Via）
1. 3 秒看懂（≤25 字）
TSV 是把硅片打穿的 Z 轴互连，2025-2028 年的核心弹性来自 HBM 堆叠、CoWoS 中介层和 SoIC 逻辑 3D 的同步放量。123
2. 3 分钟产业解释（120-180 字）
TSV 的产业位置在“材料/设备工艺”与“先进封装平台”之间：它不是终端产品，而是 HBM、硅中介层、CMOS image sensor、3D NAND 以外的高密度芯片堆叠中最关键的垂直导通结构。14 对 AI 链条而言，TSV 至少对应 3 个收入池：HBM 堆栈内部的存储 die 互连、CoWoS/2.5D 中硅中介层的垂直通孔、SoIC/Foveros/X-Cube 等逻辑 3D 的 die-to-die 连接与供电路径。235 2025 年 JEDEC HBM4 标准把接口扩到 2048-bit、单堆栈最高带宽推到 2TB/s，意味着 TSV 数量、良率和热机械可靠性从“封装细节”升级为 AI 加速器交付变量。6
3. 15 分钟专家深入（400-600 字）
TSV 的投资判断要从“孔”拆到“系统成本”。工艺上，TSV 通常经历深硅刻蚀、绝缘/阻挡/种子层沉积、电镀填铜、CMP、临时键合、晶圆薄化、露铜和微凸点或混合键合连接；每一步都会把缺陷率、翘曲、热膨胀系数和应力传导到最终封装良率。17 产业上，HBM 是 TSV 最清晰的量产场景，JEDEC 已把 HBM4 定义为 2048-bit 宽接口和最高 2TB/s/stack，SK hynix、Samsung、Micron 均围绕 HBM3E/HBM4 把 TSV 作为带宽密度的基础工艺，而不是可选后段。68910
CoWoS 的 TSV 价值更隐蔽但同样关键：TSMC CoWoS-S 使用硅中介层连接 SoC 与 HBM，硅中介层需要通过 TSV 把上层微凸点连接到底部基板；TSMC 披露 CoWoS-S 已可支持最高 3.3 倍 reticle、约 2,700mm2 interposer，超过该尺寸时转向 CoWoS-L/R，说明 TSV 数量、硅片面积和良率乘法关系会随封装面积非线性放大。2 SoIC 的 TSV 则更偏逻辑堆叠和垂直供电，TSMC 披露 SoIC CoW Face-to-Back Gen-2 在 2024 年完成 qualification 并开始生产，且 2025 年 3nm SoIC stacking 进入量产，显示 TSV 已从 HBM 专用走向 logic-on-logic 和 heterogeneous integration。35
可算口径应分 2 层：第一层是设备/工艺收入，公式为 HBM wafer starts × TSV 工序价值量 + interposer wafer starts × TSV 工序价值量 + SoIC wafer starts × TSV 工序价值量 = TSV 相关工艺收入；第二层是公司财务映射，公式为 公司相关收入 × TSV/HBM/先进封装占比 × 毛利率 × 税后转化率 × PE = SOTP 价值。81112 公开 A/B 源没有披露 HBM TSV 单孔成本、CoWoS interposer TSV 数量、SoIC TSV 良率和单片 ASP，因此关键单位经济必须写成情景假设或 [未核实 — 待补 A/B 源]，不能用供应链传闻替代财报事实。238
4. 技术原理（200-300 字）
TSV 的物理本质是用铜或钨等导体穿过硅衬底，把上层 die、下层 die、中介层和基板在 Z 轴连起来；与传统 wirebond 的边缘连接相比，TSV 把互连距离从毫米级方向压到微米级方向，带宽密度上升但工艺窗口明显收窄。14 关键约束有 4 个：第一，深硅刻蚀的孔径、深宽比和侧壁形貌决定绝缘与填铜稳定性；第二，填铜和 CMP 决定 void、seam 和表面平坦度；第三，薄化和临时键合决定 wafer handling 良率；第四，热循环会把铜/硅热膨胀差异转成应力和裂纹风险。17 在 HBM 中，TSV 连接多层 DRAM die 并支撑 1024-bit 到 2048-bit 接口扩张；在 CoWoS 中，TSV 让硅中介层把 HBM/logic 的高密度信号引到底部基板；在 SoIC 中，TSV 与混合键合共同决定逻辑堆叠供电、散热和测试策略。236
5. 上游依赖 / 下游影响
上游依赖
- 深硅刻蚀与沉积：TSV 需要 DRIE、绝缘层、barrier/seed、ECP 和 CMP 串联，若电镀 void 或侧壁缺陷率高于客户线控阈值，HBM 与 interposer 良率会同步下修。17
- 临时键合与薄化：HBM 和 interposer 都需要 wafer thinning，若薄化后翘曲或 breakage 上升 1-2pct，最终封装成本会被良率乘法放大。1
- 测试与量测：HBM 堆栈、CoWoS interposer 和 SoIC 都需要 wafer-level test、KGD 筛选和 X-ray/光学量测，任何无法前移检测的 TSV defect 都会在最终封装阶段形成高成本报废。713
- HBM 与先进封装产能：JEDEC HBM4 最高 2TB/s/stack、2048-bit 接口推动 TSV 需求上行，TSMC 2025 年 3nm SoIC 量产和 CoWoS-L 多产品 2026 年量产会把 TSV 从存储扩到逻辑与中介层。236
下游影响
- AI GPU/ASIC：HBM stack 数、接口位宽和 CoWoS 面积上升，会使 TSV 从“存储工艺”变成整卡交付约束；若 HBM4 认证推迟 2 个季度，AI 加速器带宽升级节奏会同步后移。689
- Foundry/OSAT：TSMC 掌握 CoWoS/SoIC 平台定义权，ASE/Amkor 更多承接测试、SiP、fan-out 与区域化先进封装外溢，TSV 单项价值需要通过平台收入和毛利率间接映射。21112
- 设备材料：ASMPT、Besi、Camtek、ACM Research 等设备/检测公司通常领先封装收入 2-4 个季度，TSV 相关订单若连续 2 个季度低于 2025 高基数 20%，2026-2027 年扩产情景需下修。131415
6. 技术路线对比表
| 路线 | 速率 / 带宽口径 | 功耗 / 热口径 | 距离或维度 | 标准成熟度 | 2026 量产概率 | 主要受益公司 | 反证指标 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM TSV 堆叠 | HBM4 2048-bit、最高 2TB/s/stack | 单 stack 功耗待披露；热密度随 Hi 数上升 | 8-16Hi 情景；Z 轴 DRAM die 堆叠 | JEDEC HBM4 已发布 | 85% | SK hynix、Samsung、Micron、TSMC、ASE/Amkor 测试 | HBM4 客户认证推迟 2 个季度或良率低于计划68910 |
| CoWoS-S 硅中介层 TSV | SoC + HBM 高密度互连；最高 3.3x reticle、约 2,700mm2 interposer | 大硅中介层热机械应力上升 | 2.5D silicon interposer | TSMC 已多年量产 | 90% | TSMC、检测/电镀/CMP 设备 | CoWoS-L/R 放量后 CoWoS-S 高阶订单低于 2025 水平2 |
| CoWoS-L/R 低硅面积路线 | 大尺寸 AI package；具体 TSV 数待披露 | 成本低于全硅 interposer 情景，但翘曲更敏感 | 2.5D RDL + local silicon bridge | CoWoS-L 2025 年第 2 年量产，多产品 2026 年量产 | 75% | TSMC、ASE、材料与基板厂 | 大尺寸产品量产延后 2 个季度以上23 |
| SoIC Face-to-Back TSV + hybrid bonding | sub-10µm bond pitch；logic-on-logic 带宽待披露 | 垂直热阻增加，TSMC 披露 Gen-2 热性能改善 | 3D chip-on-wafer | Gen-2 已 2024 年生产，3nm SoIC 2025 年量产 | 65% | TSMC、AMD、Besi、ASMPT | 2026 年新客户少于 2 个或 3D attach rate 低于 10% 情景35 |
| Intel Foveros / EMIB + TSV | EMIB/Foveros 参数待披露；18A 平台导入 | PowerVia/3D 热设计待产品验证 | 2.5D + 3D heterogenous | EMIB-T 2026 年 scale，Foveros-B/R 2027 年目标高量产 | 45% | Intel、设备/基板供应链 | 外部 foundry/assembly/test 收入仍低于 10 亿美元情景16 |
| Samsung X-Cube / HBM TSV | HBM 已有数千万级 TSV 生产经验；X-Cube 参数待披露 | HCB under preparation，热口径待披露 | 3DIC + HBM | X-Cube silicon-proven，HBM TSV 高量产 | 55% | Samsung、HBM 设备材料链 | HBM4 或 Foundry 客户认证落后 2 个季度917 |
7. 关键指标（5-7 项 + 怎么追）
- HBM4 客户认证：跟踪 JEDEC 2048-bit / 2TB/s 标准落地、SK hynix/Samsung/Micron 量产公告和主要 GPU 客户验证；若认证推迟 2 个季度，TSV 需求斜率下修。68910
- TSV defect density：公开公司通常不披露单孔缺陷率，实际跟踪应用 wafer-level yield、stack yield 和 RMA；若供应链只披露产能不披露良率，应把出货和毛利情景下调 1 档。17
- CoWoS 等效产能：跟踪 TSMC CoWoS-S/L/R 量产节点和 2026 年大尺寸 interposer 进度；若 CoWoS-L 延后 2 个季度，TSV 设备和中介层收入兑现后移。23
- SoIC 量产客户数：跟踪 TSMC 3nm SoIC、AMD MI300/MI350、N2/A16 相关客户披露；若 2026 年新增客户少于 2 个，logic TSV 仍是小量高价而非规模收入。3518
- 设备订单前瞻性：跟踪 ASMPT advanced packaging、Besi hybrid bonding/TCB、Camtek CoWoS-like 订单和 ACMR ECP/advanced packaging 收入；若订单连续 2 个季度低于 2025 均值 20%，扩产预期需下修。13141519
- 封装毛利率：TSMC 2025 GM 59.9% [TSM]、Amkor 2025 GM 14.0%、ASE 2025 GM 17.7%，若先进封装收入增长但 OSAT 毛利率低于 12%-14%，说明 TSV 工艺难度被折旧和良率吞噬。111220
- 估值验证：美股统一用 2026-05-27 16:00 EDT 收盘，市值/PE 只作为 C 级估值口径；若 PE 扩张快于订单和毛利率 2 个季度以上，只说明估值假设与经营验证之间的偏离扩大，不输出配置判断。21
8. 可算传导表
说明：TSV 单孔成本、HBM TSV 数量、interposer TSV 数量和 SoIC TSV ASP 均未由公司 A/B 源公开披露；下表用 A/B 级公司收入和毛利率作底数，用情景占比作传导，不把情景假设写成事实。281112
| 传导变量 | TSMC：CoWoS/SoIC TSV | Micron：HBM TSV | Amkor：先进封装/测试 TSV | 公式 / 口径 |
|---|---|---|---|---|
| TAM proxy | 2025 收入 US$122.42B [TSM] | FY2025 收入 US$373.8 亿 | 2025 收入 US$67.08 亿 | 公司收入池，不等于 TSV TAM111012 |
| TSV/先进封装 attach rate | 10% 中性情景 | 20% 中性情景 | 18% 中性情景 | 情景假设，非公司披露 |
| 可服务收入池 | US$122.42 亿 = 122.42 × 10% | US$74.76 亿 = 373.8 × 20% | US$12.07 亿 = 67.08 × 18% | TAM proxy × attach rate |
| 出货 | CoWoS/SoIC wafer starts 待披露 | HBM bit/stack 出货待披露 | TSV 相关 package/test 出货待披露 | 未披露项不倒填 |
| ASP / 单位价值量 | [未核实 — 待补 A/B 源] | [未核实 — 待补 A/B 源] | [未核实 — 待补 A/B 源] | 公司未披露 |
| 份额 | 70% 情景 | 15% 情景 | 10% 情景 | 份额为情景假设 |
| 收入映射 | US$85.69 亿 = 122.42 × 70% | US$11.21 亿 = 74.76 × 15% | US$1.21 亿 = 12.07 × 10% | 可服务收入池 × 份额 |
| 毛利率 | 59.9% [TSM] 公司 GM | 39.8% 公司 GM | 14.0% 公司 GM | 公司级 GM，不等于 TSV 专项 GM101112 |
| 毛利映射 | US$51.33 亿 = 85.69 × 59.9% [TSM] | US$4.46 亿 = 11.21 × 39.8% | US$0.17 亿 = 1.21 × 14.0% | 收入映射 × GM |
| PE / 市值口径 | TSM ADR US$422.73 [TSM]、PE 31.74x [TSM]、市值 US$2.19T [TSM]，2026-05-27 16:00 EDT | MU US$155.22、PE 18.39、市值约 US$1744 亿，2026-05-27 16:00 EDT | AMKR US$72.19、PE 41.52、市值约 US$178.9 亿，2026-05-27 16:00 EDT | StockAnalysis C 级行情口径21 |
| 估值映射 | US$1059 亿 = 51.33 × 65% 税后 × 31.74 | US$53 亿 = 4.46 × 65% 税后 × 18.39 | US$4.6 亿 = 0.17 × 65% 税后 × 41.52 | 毛利 × 税后转化 × PE，仅作敏感性 |
9. 同业硬指标对比表
| 公司 | 收入 | 增速 | GM | 净利 / OP | FCF margin | 客户集中度 | 技术代际 | PE TTM | 反证条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSMC | 2025 US$122.42B [TSM] | +35.9% 美元口径 | 59.9% [TSM] | 净利 US$552.1 亿 | 待披露 | 534 个客户 [TSM]、12,682 个产品 [TSM] | CoWoS-S/R/L、SoIC、3nm SoIC | 31.74x [TSM]，2026-05-27，美股 ADR | CoWoS-L 或 SoIC 大客户量产延后 2 个季度1121 |
| SK hynix | 2025 收入 KRW96.8 万亿 | +45% 附近 | 公司 GM 待补 A 源 | OP KRW37.8 万亿 | 待披露 | HBM 客户集中度待披露 | HBM3E/HBM4、TSV DRAM stack | 待补 C 源 | HBM4 客户认证低于 Samsung/Micron 或 ASP 下行8 |
| Samsung Electronics | 2025 收入 KRW333.6 万亿 | +10.88% | 待披露 | OP KRW43.6 万亿 | 待披露 | Memory/Foundry/DX 多业务 | HBM TSV、X-Cube、I-Cube | 24.03x，2026-05-28 KRX | HBM4 良率或 Foundry 客户认证后移91721 |
| Micron | FY2025 US$373.8 亿 | +48.9% | 39.8% | 净利 US$85.4 亿 | 待披露 | 前 10 大客户占比待补 | HBM3E/HBM4、TSV memory | 18.39x，2026-05-27，美股 | HBM ramp 不及预期或 NAND/DRAM 周期拖累 GM1021 |
| ASE Technology | 2025 收入 NT$6453.9 亿 | +8.39% | 17.7% | 净利率 6.2% | 待披露 | 大客户待披露 | VIPack、FOCoS、测试、2.5D/3DIC | 59.28x，2026-05-27，美股 ADR | 高端封装收入增长但 GM 不升2021 |
| Amkor | 2025 US$67.08 亿 | +6.2% | 14.0% | 净利 US$3.74 亿 | 4.6% = 3.08/67.08 | 第一大客户 29.8%、第二大客户 11.1% | Advanced SiP、2.5D、HDFO、Arizona | 41.52x，2026-05-27，美股 | 先进封装 capex 高增但 GM 低于 12%1221 |
| BESI | 2025 收入 EUR7.56 亿 | 同比待补 A 源 | 63% 左右 | 净利待补 A 源 | 待披露 | hybrid bonding 客户待披露 | Hybrid bonding、TCB | 135.24x，2026-05-27 OTC/ADR | 2027-2030 AI 订单未转收入或移动端占比回升1421 |
10. 产业传导与财务映射（200-300 字 + ASCII 传导图）
TSV 的产业传导不是“每个孔涨价”，而是 AI 加速器把带宽、面积和供电同时推向 3D：HBM4 把接口扩到 2048-bit、CoWoS-L 把大尺寸 interposer 推向 2026 年量产、SoIC 把逻辑堆叠推到 3nm 量产，三者都会增加高良率 TSV、薄化、电镀、量测和测试需求。236 公司财务映射分为 3 类：TSMC 把 TSV 工艺计入 CoWoS/SoIC 平台和先进制程收入，SK hynix/Samsung/Micron 把 TSV 计入 HBM 价格和份额，ASE/Amkor/Besi/Camtek/ACMR 把 TSV 计入外溢封测、设备与检测订单。8101213 反证阈值有 4 个：HBM4 认证延后 2 个季度、CoWoS-L 量产延期、SoIC 新客户少于 2 个、设备订单连续 2 个季度环比下滑且毛利率未改善。23614
AI GPU/ASIC 带宽需求上升
↓
HBM stack 数 × HBM4 2048-bit × CoWoS/SoIC 面积上升
↓
TSV 孔数、薄化、电镀、量测、测试步骤增加
↓
公司相关收入 × TSV attach rate × 份额
↓
收入 × 良率 × 毛利率 × 税后转化
↓
EPS × PE / SOTP = 情景市值框架或反证下修
11. 常见误读纠偏
误读 1：TSV 只是 HBM 里的存储工艺
实际情况：HBM 是 TSV 最大量产场景之一，但 CoWoS 硅中介层、SoIC 逻辑堆叠和 Samsung X-Cube/Intel Foveros 等 3DIC 都依赖垂直互连；因此 TSV 的需求弹性来自 HBM、2.5D interposer 和 3D logic 三条线叠加。236
证据：TSMC CoWoS 页面披露 CoWoS-S 支持约 2,700mm2 silicon interposer，TSMC 年报披露 3nm SoIC 2025 年量产，JEDEC 披露 HBM4 2048-bit 接口和最高 2TB/s/stack，三者都对应 TSV 或 TSV 相关垂直互连需求。236
误读 2：HBM4 带宽翻倍等于 TSV 收入线性翻倍
实际情况：HBM4 的 2048-bit 接口证明带宽密度上升，但单 stack TSV 数、良率、ASP、封装毛利率和厂商份额均未被公司 A/B 源逐项披露；若把位宽翻倍直接写成 TSV 收入翻倍，就是把技术参数误读成财务参数。6810
证据：Micron、Samsung、SK hynix 公开披露的是 HBM 产品和公司收入，不披露单孔 TSV 成本；本页所有单位价值量均写 [未核实 — 待补 A/B 源] 或情景假设。8910
误读 3：先进封装扩产会让 OSAT 利润率同步上升
实际情况：Amkor 2025 年收入 US$67.08 亿、GM 14.0%、FCF margin 4.6%，ASE 2025 年 GM 17.7%，与 TSMC 2025 年 GM 59.9% [TSM] 差距明显；OSAT 只有在高端利用率、良率和客户认证同步改善时才会把 TSV/先进封装收入转成利润率上行。111220
证据：TSMC 同时控制前道、CoWoS 和 SoIC 平台，Amkor/ASE 更多承接外溢和区域化封装，商业模式决定了同一 TSV 趋势下利润池分配不同。21112
12. 最新事件（3-5 条）
- [已发生] 2025：JEDEC 公布 HBM4 标准公开口径，接口扩至 2048-bit、最高带宽达 2TB/s/stack，TSV 需求随 HBM 代际升级向上。6
- [已发生] 2025：TSMC 2025 年报披露 3nm SoIC stacking 已在 2025 年进入量产，CoWoS-R 进入第 3 年量产，CoWoS-L 进入第 2 年量产且多个大尺寸 interposer 产品预计 2026 年量产。3
- [已发生] 2026-02-09：Amkor 披露 2025 年收入 US$67.08 亿、GM 14.0%、FCF US$3.08 亿，并给出 2026 年 capex US$25-30 亿指引，显示先进封装扩产先体现为现金流压力。12
- [已发生] 2026-03-04：ASMPT 披露 2025 年 advanced packaging 收入 US$5.321 亿、同比 +30.2%，TCB 收入同比约 +146%，说明 TSV/HBM/3D 堆叠设备链先于封装收入兑现。13
- [指引] 2026-05-28：本文估值统一使用美股 2026-05-27 16:00 EDT 完整收盘，TSM/MU/AMKR 分别为 US$422.73 [TSM]、US$155.22、US$72.19；A 股/台股/韩股使用 2026-05-28 收盘或写待补，避免把未发生交易日收盘写成事实。21
13. 来源 footnotes（A/B/C 标注）
1 Through Silicon Via Technology — Institute of Microelectronics / TSV process overview — accessed 2026-05-28 — https://www.ime.a-star.edu.sg/rd/advanced-packaging/through-silicon-via/ (B)
2 CoWoS Technology Page — TSMC 3DFabric — accessed 2026-05-28 — https://3dfabric.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/cowos.htm (A)
3 TSMC 2025 Annual Report Chapter 5 R&D Accomplishments — TSMC — 2026 — https://investor.tsmc.com/static/annualReports/2025/english/pdf/2025_tsmc_ar_e_ch5.pdf (A)
4 TSMC 3DFabric Technology Overview — TSMC — accessed 2026-05-28 — https://3dfabric.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/3DFabric.htm (A)
5 TSMC 2024 Annual Report, 3DIC and TSMC-SoIC section — TSMC — 2025 — https://investor.tsmc.com/static/annualReports/2024/english/ebook/files/basic-html/page102.html (A)
6 JEDEC finalizes HBM4 standard / JESD270-4 public coverage — JEDEC / EDN — 2025 — https://www.edn.com/jedec-finalizes-hbm4-standard/ (A)
7 Through Silicon Via Reliability and Process Integration — IEEE Xplore topic landing / packaging literature — accessed 2026-05-28 — https://ieeexplore.ieee.org/ (A)
8 SK hynix 2025 Annual Results / HBM business update — SK hynix Newsroom — 2026 — https://news.skhynix.com/ (B)
9 Samsung Electronics Announces Fourth Quarter and FY 2025 Results — Samsung Semiconductor Newsroom — 2026-01-29 — https://news.samsungsemiconductor.com/global/samsung-electronics-announces-fourth-quarter-and-fy-2025-results/ (B)
10 Micron FY2025 Form 10-K — Micron / SEC — 2025 — https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/723125/000072312525000104/mu-20250828.htm (A)
11 TSMC 2025 Annual Report Website — TSMC — 2026 — https://investor.tsmc.com/static/annualReports/2025/english/index.html (A)
12 Amkor Technology FY2025 Form 10-K / financial release — Amkor / SEC — 2026 — https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1047127/000104712726000014/amkr-20251231.htm (A)
13 ASMPT Announces 2025 Annual Results — ASMPT — 2026 — https://www.asmpt.com/en/investor-relations/news-events/asmpt-announces-2025-annual-results/ (A)
14 BE Semiconductor Industries Annual Report 2025 — Besi — 2026 — https://www.besi.com/investor-relations/annual-reports/ (A)
15 Camtek Announces Results for the First Quarter of 2026 — Camtek — 2026-05-12 — https://www.camtek.com/news-and-events/camtek-announces-results-for-the-first-quarter-of-2026/ (B)
16 Intel 2025 Form 10-K — Intel / SEC — 2026 — https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/50863/000005086326000011/intc-20251227.htm (A)
17 Samsung Advanced Heterogeneous Integration / X-Cube — Samsung Semiconductor — accessed 2026-05-28 — https://semiconductor.samsung.com/us/foundry/advanced-package/advanced-heterogeneous-integration/ (B)
18 AMD Instinct MI300 Series Microarchitecture — AMD Instinct Docs — accessed 2026-05-28 — https://instinct.docs.amd.com/develop/gpu-arch/mi300.html (B)
19 ACM Research Reports First Quarter 2026 Results — ACM Research — 2026-05-07 — https://ir.acmr.com/news-releases/news-release-details/acm-research-reports-first-quarter-2026-results (B)
20 ASE Technology Holding FY2025 Results — ASE / PR Newswire — 2026-02 — https://www.prnewswire.com/news-releases/ase-technology-holding-co-ltd-reports-its-unaudited-consolidated-financial-results-for-the-fourth-quarter-and-the-full-year-of-2025-302679779.html (B)
21 StockAnalysis quote pages for TSM, MU, AMKR, ASX and Samsung KRX — accessed 2026-05-28, using 2026-05-27 16:00 EDT U.S. close and 2026-05-28 Asia close where applicable — https://stockanalysis.com/ (C)
22 Yole Group Advanced Packaging Market Forecast via Microwave Journal — Yole Group / Microwave Journal — 2025 — https://www.microwavejournal.com/articles/44658-advanced-packaging-market-set-to-reach-794b-by-2030 (A)