TSV（Through-Silicon Via）
1. 3 秒看懂（≤25 字）
TSV 是把矽片打穿的 Z 軸互連，2025-2028 年的核心彈性來自 HBM 堆疊、CoWoS 中介層和 SoIC 邏輯 3D 的同步放量。123
2. 3 分鐘產業解釋（120-180 字）
TSV 的產業位置在“材料/裝置工藝”與“先進封裝平台”之間：它不是終端產品，而是 HBM、矽中介層、CMOS image sensor、3D NAND 以外的高密度晶片堆疊中最關鍵的垂直導通結構。14 對 AI 鏈條而言，TSV 至少對應 3 個營收池：HBM 堆疊內部的儲存 die 互連、CoWoS/2.5D 中矽中介層的垂直通孔、SoIC/Foveros/X-Cube 等邏輯 3D 的 die-to-die 連線與供電路徑。235 2025 年 JEDEC HBM4 標準把介面擴到 2048-bit、單堆疊最高頻寬推到 2TB/s，意味著 TSV 數量、良率和熱機械可靠性從“封裝細節”升級為 AI 加速器交付變數。6
3. 15 分鐘專家深入（400-600 字）
TSV 的投資判斷要從“孔”拆到“系統成本”。工藝上，TSV 通常經歷深矽刻蝕、絕緣/阻擋/種子層沉積、電鍍填銅、CMP、臨時鍵合、晶圓薄化、露銅和微凸點或混合鍵合連線；每一步都會把缺陷率、翹曲、熱膨脹係數和應力傳導到最終封裝良率。17 產業上，HBM 是 TSV 最清晰的量產場景，JEDEC 已把 HBM4 定義為 2048-bit 寬介面和最高 2TB/s/stack，SK hynix、Samsung、Micron 均圍繞 HBM3E/HBM4 把 TSV 作為頻寬密度的基礎工藝，而不是可選後段。68910
CoWoS 的 TSV 價值更隱蔽但同樣關鍵：TSMC CoWoS-S 使用矽中介層連線 SoC 與 HBM，矽中介層需要通過 TSV 把上層微凸點連線到底部基板；TSMC 揭露 CoWoS-S 已可支援最高 3.3 倍 reticle、約 2,700mm2 interposer，超過該尺寸時轉向 CoWoS-L/R，說明 TSV 數量、矽片面積和良率乘法關係會隨封裝面積非線性放大。2 SoIC 的 TSV 則更偏邏輯堆疊和垂直供電，TSMC 揭露 SoIC CoW Face-to-Back Gen-2 在 2024 年完成 qualification 並開始生產，且 2025 年 3nm SoIC stacking 進入量產，顯示 TSV 已從 HBM 專用走向 logic-on-logic 和 heterogeneous integration。35
可算口徑應分 2 層：第一層是裝置/工藝營收，公式為 HBM wafer starts × TSV 工序價值量 + interposer wafer starts × TSV 工序價值量 + SoIC wafer starts × TSV 工序價值量 = TSV 相關工藝營收；第二層是公司財務對映，公式為 公司相關營收 × TSV/HBM/先進封裝佔比 × 毛利率 × 稅後轉化率 × PE = SOTP 價值。81112 公開 A/B 源沒有揭露 HBM TSV 單孔成本、CoWoS interposer TSV 數量、SoIC TSV 良率和單片 ASP，因此關鍵單位經濟必須寫成情景假設或 [未核實 — 待補 A/B 源]，不能用供應鏈傳聞替代財報事實。238
4. 技術原理（200-300 字）
TSV 的物理本質是用銅或鎢等導體穿過矽襯底，把上層 die、下層 die、中介層和基板在 Z 軸連起來；與傳統 wirebond 的邊緣連線相比，TSV 把互連距離從毫米級方向壓到微米級方向，頻寬密度上升但工藝視窗明顯收窄。14 關鍵約束有 4 個：第一，深矽刻蝕的孔徑、深寬比和側壁形貌決定絕緣與填銅穩定性；第二，填銅和 CMP 決定 void、seam 和表面平坦度；第三，薄化和臨時鍵合決定 wafer handling 良率；第四，熱迴圈會把銅/矽熱膨脹差異轉成應力和裂紋風險。17 在 HBM 中，TSV 連線多層 DRAM die 並支撐 1024-bit 到 2048-bit 介面擴張；在 CoWoS 中，TSV 讓矽中介層把 HBM/logic 的高密度訊號引到底部基板；在 SoIC 中，TSV 與混合鍵合共同決定邏輯堆疊供電、散熱和測試策略。236
5. 上游依賴 / 下游影響
上游依賴
- 深矽刻蝕與沉積：TSV 需要 DRIE、絕緣層、barrier/seed、ECP 和 CMP 串聯，若電鍍 void 或側壁缺陷率高於客戶線控閾值，HBM 與 interposer 良率會同步下修。17
- 臨時鍵合與薄化：HBM 和 interposer 都需要 wafer thinning，若薄化後翹曲或 breakage 上升 1-2pct，最終封裝成本會被良率乘法放大。1
- 測試與量測：HBM 堆疊、CoWoS interposer 和 SoIC 都需要 wafer-level test、KGD 篩選和 X-ray/光學量測，任何無法前移檢測的 TSV defect 都會在最終封裝階段形成高成本報廢。713
- HBM 與先進封裝產能：JEDEC HBM4 最高 2TB/s/stack、2048-bit 介面推動 TSV 需求上行，TSMC 2025 年 3nm SoIC 量產和 CoWoS-L 多產品 2026 年量產會把 TSV 從儲存擴到邏輯與中介層。236
下游影響
- AI GPU/ASIC：HBM stack 數、介面位寬和 CoWoS 面積上升，會使 TSV 從“儲存工藝”變成整卡交付約束；若 HBM4 認證推遲 2 個季度，AI 加速器頻寬升級節奏會同步後移。689
- Foundry/OSAT：TSMC 掌握 CoWoS/SoIC 平台定義權，ASE/Amkor 更多承接測試、SiP、fan-out 與區域化先進封裝外溢，TSV 單項價值需要通過平台營收和毛利率間接對映。21112
- 裝置材料：ASMPT、Besi、Camtek、ACM Research 等裝置/檢測公司通常領先封裝營收 2-4 個季度，TSV 相關訂單若連續 2 個季度低於 2025 高基數 20%，2026-2027 年擴產情景需下修。131415
6. 技術路線對比表
| 路線 | 速率 / 頻寬口徑 | 功耗 / 熱口徑 | 距離或維度 | 標準成熟度 | 2026 量產機率 | 主要受益公司 | 反證指標 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM TSV 堆疊 | HBM4 2048-bit、最高 2TB/s/stack | 單 stack 功耗待揭露；熱密度隨 Hi 數上升 | 8-16Hi 情景；Z 軸 DRAM die 堆疊 | JEDEC HBM4 已釋出 | 85% | SK hynix、Samsung、Micron、TSMC、ASE/Amkor 測試 | HBM4 客戶認證推遲 2 個季度或良率低於計劃68910 |
| CoWoS-S 矽中介層 TSV | SoC + HBM 高密度互連；最高 3.3x reticle、約 2,700mm2 interposer | 大矽中介層熱機械應力上升 | 2.5D silicon interposer | TSMC 已多年量產 | 90% | TSMC、檢測/電鍍/CMP 裝置 | CoWoS-L/R 放量後 CoWoS-S 高階訂單低於 2025 水平2 |
| CoWoS-L/R 低矽面積路線 | 大尺寸 AI package；具體 TSV 數待揭露 | 成本低於全矽 interposer 情景，但翹曲更敏感 | 2.5D RDL + local silicon bridge | CoWoS-L 2025 年第 2 年量產，多產品 2026 年量產 | 75% | TSMC、ASE、材料與基板廠 | 大尺寸產品量產延後 2 個季度以上23 |
| SoIC Face-to-Back TSV + hybrid bonding | sub-10µm bond pitch；logic-on-logic 頻寬待揭露 | 垂直熱阻增加，TSMC 揭露 Gen-2 熱效能改善 | 3D chip-on-wafer | Gen-2 已 2024 年生產，3nm SoIC 2025 年量產 | 65% | TSMC、AMD、Besi、ASMPT | 2026 年新客戶少於 2 個或 3D attach rate 低於 10% 情景35 |
| Intel Foveros / EMIB + TSV | EMIB/Foveros 引數待揭露；18A 平台匯入 | PowerVia/3D 熱設計待產品驗證 | 2.5D + 3D heterogenous | EMIB-T 2026 年 scale，Foveros-B/R 2027 年目標高量產 | 45% | Intel、裝置/基板供應鏈 | 外部 foundry/assembly/test 營收仍低於 10 億美元情景16 |
| Samsung X-Cube / HBM TSV | HBM 已有數千萬級 TSV 生產經驗；X-Cube 引數待揭露 | HCB under preparation，熱口徑待揭露 | 3DIC + HBM | X-Cube silicon-proven，HBM TSV 高量產 | 55% | Samsung、HBM 裝置材料鏈 | HBM4 或 Foundry 客戶認證落後 2 個季度917 |
7. 關鍵指標（5-7 項 + 怎麼追）
- HBM4 客戶認證：追蹤 JEDEC 2048-bit / 2TB/s 標準落地、SK hynix/Samsung/Micron 量產公告和主要 GPU 客戶驗證；若認證推遲 2 個季度，TSV 需求斜率下修。68910
- TSV defect density：公開公司通常不揭露單孔缺陷率，實際追蹤應用 wafer-level yield、stack yield 和 RMA；若供應鏈只揭露產能不揭露良率，應把出貨和毛利情景下調 1 檔。17
- CoWoS 等效產能：追蹤 TSMC CoWoS-S/L/R 量產節點和 2026 年大尺寸 interposer 進度；若 CoWoS-L 延後 2 個季度，TSV 裝置和中介層營收兌現後移。23
- SoIC 量產客戶數：追蹤 TSMC 3nm SoIC、AMD MI300/MI350、N2/A16 相關客戶揭露；若 2026 年新增客戶少於 2 個，logic TSV 仍是小量高價而非規模營收。3518
- 裝置訂單前瞻性：追蹤 ASMPT advanced packaging、Besi hybrid bonding/TCB、Camtek CoWoS-like 訂單和 ACMR ECP/advanced packaging 營收；若訂單連續 2 個季度低於 2025 均值 20%，擴產預期需下修。13141519
- 封裝毛利率：TSMC 2025 GM 59.9% [TSM]、Amkor 2025 GM 14.0%、ASE 2025 GM 17.7%，若先進封裝營收增長但 OSAT 毛利率低於 12%-14%，說明 TSV 工藝難度被折舊和良率吞噬。111220
- 估值驗證：美股統一用 2026-05-27 16:00 EDT 收盤，市值/PE 只作為 C 級估值口徑；若 PE 擴張快於訂單和毛利率 2 個季度以上，只說明估值假設與經營驗證之間的偏離擴大，不輸出配置判斷。21
8. 可算傳導表
說明：TSV 單孔成本、HBM TSV 數量、interposer TSV 數量和 SoIC TSV ASP 均未由公司 A/B 源公開揭露；下表用 A/B 級公司營收和毛利率作底數，用情景佔比作傳導，不把情景假設寫成事實。281112
| 傳導變數 | TSMC：CoWoS/SoIC TSV | Micron：HBM TSV | Amkor：先進封裝/測試 TSV | 公式 / 口徑 |
|---|---|---|---|---|
| TAM proxy | 2025 營收 US$122.42B [TSM] | FY2025 營收 US$373.8 億 | 2025 營收 US$67.08 億 | 公司營收池，不等於 TSV TAM111012 |
| TSV/先進封裝 attach rate | 10% 中性情景 | 20% 中性情景 | 18% 中性情景 | 情景假設，非公司揭露 |
| 可服務營收池 | US$122.42 億 = 122.42 × 10% | US$74.76 億 = 373.8 × 20% | US$12.07 億 = 67.08 × 18% | TAM proxy × attach rate |
| 出貨 | CoWoS/SoIC wafer starts 待揭露 | HBM bit/stack 出貨待揭露 | TSV 相關 package/test 出貨待揭露 | 未揭露項不倒填 |
| ASP / 單位價值量 | [未核實 — 待補 A/B 源] | [未核實 — 待補 A/B 源] | [未核實 — 待補 A/B 源] | 公司未揭露 |
| 份額 | 70% 情景 | 15% 情景 | 10% 情景 | 份額為情景假設 |
| 營收對映 | US$85.69 億 = 122.42 × 70% | US$11.21 億 = 74.76 × 15% | US$1.21 億 = 12.07 × 10% | 可服務營收池 × 份額 |
| 毛利率 | 59.9% [TSM] 公司 GM | 39.8% 公司 GM | 14.0% 公司 GM | 公司級 GM，不等於 TSV 專項 GM101112 |
| 毛利對映 | US$51.33 億 = 85.69 × 59.9% [TSM] | US$4.46 億 = 11.21 × 39.8% | US$0.17 億 = 1.21 × 14.0% | 營收對映 × GM |
| PE / 市值口徑 | TSM ADR US$422.73 [TSM]、PE 31.74x [TSM]、市值 US$2.19T [TSM]，2026-05-27 16:00 EDT | MU US$155.22、PE 18.39、市值約 US$1744 億，2026-05-27 16:00 EDT | AMKR US$72.19、PE 41.52、市值約 US$178.9 億，2026-05-27 16:00 EDT | StockAnalysis C 級行情口徑21 |
| 估值對映 | US$1059 億 = 51.33 × 65% 稅後 × 31.74 | US$53 億 = 4.46 × 65% 稅後 × 18.39 | US$4.6 億 = 0.17 × 65% 稅後 × 41.52 | 毛利 × 稅後轉化 × PE，僅作敏感性 |
9. 同業硬指標對比表
| 公司 | 營收 | 增速 | GM | 淨利 / OP | FCF margin | 客戶集中度 | 技術代際 | PE TTM | 反證條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSMC | 2025 US$122.42B [TSM] | +35.9% 美元口徑 | 59.9% [TSM] | 淨利 US$552.1 億 | 待揭露 | 534 個客戶 [TSM]、12,682 個產品 [TSM] | CoWoS-S/R/L、SoIC、3nm SoIC | 31.74x [TSM]，2026-05-27，美股 ADR | CoWoS-L 或 SoIC 大客戶量產延後 2 個季度1121 |
| SK hynix | 2025 營收 KRW96.8 萬億 | +45% 附近 | 公司 GM 待補 A 源 | OP KRW37.8 萬億 | 待揭露 | HBM 客戶集中度待揭露 | HBM3E/HBM4、TSV DRAM stack | 待補 C 源 | HBM4 客戶認證低於 Samsung/Micron 或 ASP 下行8 |
| Samsung Electronics | 2025 營收 KRW333.6 萬億 | +10.88% | 待揭露 | OP KRW43.6 萬億 | 待揭露 | Memory/Foundry/DX 多業務 | HBM TSV、X-Cube、I-Cube | 24.03x，2026-05-28 KRX | HBM4 良率或 Foundry 客戶認證後移91721 |
| Micron | FY2025 US$373.8 億 | +48.9% | 39.8% | 淨利 US$85.4 億 | 待揭露 | 前 10 大客戶佔比待補 | HBM3E/HBM4、TSV memory | 18.39x，2026-05-27，美股 | HBM ramp 不及預期或 NAND/DRAM 週期拖累 GM1021 |
| ASE Technology | 2025 營收 NT$6453.9 億 | +8.39% | 17.7% | 淨利率 6.2% | 待揭露 | 大客戶待揭露 | VIPack、FOCoS、測試、2.5D/3DIC | 59.28x，2026-05-27，美股 ADR | 高階封裝營收增長但 GM 不升2021 |
| Amkor | 2025 US$67.08 億 | +6.2% | 14.0% | 淨利 US$3.74 億 | 4.6% = 3.08/67.08 | 第一大客戶 29.8%、第二大客戶 11.1% | Advanced SiP、2.5D、HDFO、Arizona | 41.52x，2026-05-27，美股 | 先進封裝 capex 高增但 GM 低於 12%1221 |
| BESI | 2025 營收 EUR7.56 億 | 年增率待補 A 源 | 63% 左右 | 淨利待補 A 源 | 待揭露 | hybrid bonding 客戶待揭露 | Hybrid bonding、TCB | 135.24x，2026-05-27 OTC/ADR | 2027-2030 AI 訂單未轉營收或行動端佔比回升1421 |
10. 產業傳導與財務對映（200-300 字 + ASCII 傳導圖）
TSV 的產業傳導不是“每個孔漲價”，而是 AI 加速器把頻寬、面積和供電同時推向 3D：HBM4 把介面擴到 2048-bit、CoWoS-L 把大尺寸 interposer 推向 2026 年量產、SoIC 把邏輯堆疊推到 3nm 量產，三者都會增加高良率 TSV、薄化、電鍍、量測和測試需求。236 公司財務對映分為 3 類：TSMC 把 TSV 工藝計入 CoWoS/SoIC 平台和先進製程營收，SK hynix/Samsung/Micron 把 TSV 計入 HBM 價格和份額，ASE/Amkor/Besi/Camtek/ACMR 把 TSV 計入外溢封測、裝置與檢測訂單。8101213 反證閾值有 4 個：HBM4 認證延後 2 個季度、CoWoS-L 量產延期、SoIC 新客戶少於 2 個、裝置訂單連續 2 個季度季增率下滑且毛利率未改善。23614
AI GPU/ASIC 頻寬需求上升
↓
HBM stack 數 × HBM4 2048-bit × CoWoS/SoIC 面積上升
↓
TSV 孔數、薄化、電鍍、量測、測試步驟增加
↓
公司相關營收 × TSV attach rate × 份額
↓
營收 × 良率 × 毛利率 × 稅後轉化
↓
EPS × PE / SOTP = 情景市值架構或反證下修11. 常見誤讀糾偏
誤讀 1：TSV 只是 HBM 裡的儲存工藝
實際情況：HBM 是 TSV 最大量產場景之一，但 CoWoS 矽中介層、SoIC 邏輯堆疊和 Samsung X-Cube/Intel Foveros 等 3DIC 都依賴垂直互連；因此 TSV 的需求彈性來自 HBM、2.5D interposer 和 3D logic 三條線疊加。236
證據：TSMC CoWoS 頁面揭露 CoWoS-S 支援約 2,700mm2 silicon interposer，TSMC 年報揭露 3nm SoIC 2025 年量產，JEDEC 揭露 HBM4 2048-bit 介面和最高 2TB/s/stack，三者都對應 TSV 或 TSV 相關垂直互連需求。236
誤讀 2：HBM4 頻寬翻倍等於 TSV 營收線性翻倍
實際情況：HBM4 的 2048-bit 介面證明頻寬密度上升，但單 stack TSV 數、良率、ASP、封裝毛利率和廠商份額均未被公司 A/B 源逐項揭露；若把位寬翻倍直接寫成 TSV 營收翻倍，就是把技術引數誤讀成財務引數。6810
證據：Micron、Samsung、SK hynix 公開揭露的是 HBM 產品和公司營收，不揭露單孔 TSV 成本；本頁所有單位價值量均寫 [未核實 — 待補 A/B 源] 或情景假設。8910
誤讀 3：先進封裝擴產會讓 OSAT 獲利率同步上升
實際情況：Amkor 2025 年營收 US$67.08 億、GM 14.0%、FCF margin 4.6%，ASE 2025 年 GM 17.7%，與 TSMC 2025 年 GM 59.9% [TSM] 差距明顯；OSAT 只有在高階利用率、良率和客戶認證同步改善時才會把 TSV/先進封裝營收轉成獲利率上行。111220
證據：TSMC 同時控制前道、CoWoS 和 SoIC 平台，Amkor/ASE 更多承接外溢和區域化封裝，商業模式決定了同一 TSV 趨勢下獲利池分配不同。21112
12. 最新事件（3-5 條）
- [已發生] 2025：JEDEC 公佈 HBM4 標準公開口徑，介面擴至 2048-bit、最高頻寬達 2TB/s/stack，TSV 需求隨 HBM 代際升級向上。6
- [已發生] 2025：TSMC 2025 年報揭露 3nm SoIC stacking 已在 2025 年進入量產，CoWoS-R 進入第 3 年量產，CoWoS-L 進入第 2 年量產且多個大尺寸 interposer 產品預計 2026 年量產。3
- [已發生] 2026-02-09：Amkor 揭露 2025 年營收 US$67.08 億、GM 14.0%、FCF US$3.08 億，並給出 2026 年 capex US$25-30 億展望，顯示先進封裝擴產先體現為現金流量壓力。12
- [已發生] 2026-03-04：ASMPT 揭露 2025 年 advanced packaging 營收 US$5.321 億、年增率 +30.2%，TCB 營收年增率約 +146%，說明 TSV/HBM/3D 堆疊裝置鏈先於封裝營收兌現。13
- [展望] 2026-05-28：本文估值統一使用美股 2026-05-27 16:00 EDT 完整收盤，TSM/MU/AMKR 分別為 US$422.73 [TSM]、US$155.22、US$72.19；A 股/臺股/韓股使用 2026-05-28 收盤或寫待補，避免把未發生交易日收盤寫成事實。21
13. 來源 footnotes（A/B/C 標註）
1 Through Silicon Via Technology — Institute of Microelectronics / TSV process overview — accessed 2026-05-28 — https://www.ime.a-star.edu.sg/rd/advanced-packaging/through-silicon-via/ (B)
2 CoWoS Technology Page — TSMC 3DFabric — accessed 2026-05-28 — https://3dfabric.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/cowos.htm (A)
3 TSMC 2025 Annual Report Chapter 5 R&D Accomplishments — TSMC — 2026 — https://investor.tsmc.com/static/annualReports/2025/english/pdf/2025_tsmc_ar_e_ch5.pdf (A)
4 TSMC 3DFabric Technology Overview — TSMC — accessed 2026-05-28 — https://3dfabric.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/3DFabric.htm (A)
5 TSMC 2024 Annual Report, 3DIC and TSMC-SoIC section — TSMC — 2025 — https://investor.tsmc.com/static/annualReports/2024/english/ebook/files/basic-html/page102.html (A)
6 JEDEC finalizes HBM4 standard / JESD270-4 public coverage — JEDEC / EDN — 2025 — https://www.edn.com/jedec-finalizes-hbm4-standard/ (A)
7 Through Silicon Via Reliability and Process Integration — IEEE Xplore topic landing / packaging literature — accessed 2026-05-28 — https://ieeexplore.ieee.org/ (A)
8 SK hynix 2025 Annual Results / HBM business update — SK hynix Newsroom — 2026 — https://news.skhynix.com/ (B)
9 Samsung Electronics Announces Fourth Quarter and FY 2025 Results — Samsung Semiconductor Newsroom — 2026-01-29 — https://news.samsungsemiconductor.com/global/samsung-electronics-announces-fourth-quarter-and-fy-2025-results/ (B)
10 Micron FY2025 Form 10-K — Micron / SEC — 2025 — https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/723125/000072312525000104/mu-20250828.htm (A)
11 TSMC 2025 Annual Report Website — TSMC — 2026 — https://investor.tsmc.com/static/annualReports/2025/english/index.html (A)
12 Amkor Technology FY2025 Form 10-K / financial release — Amkor / SEC — 2026 — https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1047127/000104712726000014/amkr-20251231.htm (A)
13 ASMPT Announces 2025 Annual Results — ASMPT — 2026 — https://www.asmpt.com/en/investor-relations/news-events/asmpt-announces-2025-annual-results/ (A)
14 BE Semiconductor Industries Annual Report 2025 — Besi — 2026 — https://www.besi.com/investor-relations/annual-reports/ (A)
15 Camtek Announces Results for the First Quarter of 2026 — Camtek — 2026-05-12 — https://www.camtek.com/news-and-events/camtek-announces-results-for-the-first-quarter-of-2026/ (B)
16 Intel 2025 Form 10-K — Intel / SEC — 2026 — https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/50863/000005086326000011/intc-20251227.htm (A)
17 Samsung Advanced Heterogeneous Integration / X-Cube — Samsung Semiconductor — accessed 2026-05-28 — https://semiconductor.samsung.com/us/foundry/advanced-package/advanced-heterogeneous-integration/ (B)
18 AMD Instinct MI300 Series Microarchitecture — AMD Instinct Docs — accessed 2026-05-28 — https://instinct.docs.amd.com/develop/gpu-arch/mi300.html (B)
19 ACM Research Reports First Quarter 2026 Results — ACM Research — 2026-05-07 — https://ir.acmr.com/news-releases/news-release-details/acm-research-reports-first-quarter-2026-results (B)
20 ASE Technology Holding FY2025 Results — ASE / PR Newswire — 2026-02 — https://www.prnewswire.com/news-releases/ase-technology-holding-co-ltd-reports-its-unaudited-consolidated-financial-results-for-the-fourth-quarter-and-the-full-year-of-2025-302679779.html (B)
21 StockAnalysis quote pages for TSM, MU, AMKR, ASX and Samsung KRX — accessed 2026-05-28, using 2026-05-27 16:00 EDT U.S. close and 2026-05-28 Asia close where applicable — https://stockanalysis.com/ (C)
22 Yole Group Advanced Packaging Market Forecast via Microwave Journal — Yole Group / Microwave Journal — 2025 — https://www.microwavejournal.com/articles/44658-advanced-packaging-market-set-to-reach-794b-by-2030 (A)