湿法去胶 (Wet Strip)

1 3 秒看懂

湿法去胶是芯片制造中，使用特定化学药液去除晶圆表面光刻胶及残留物的关键清洗工艺。它直接决定了芯片电路的精度与良率，是连接光刻与刻蚀/注入等步骤的不可或缺的桥梁。

2 3 分钟产业解释

在芯片制造的光刻流程中，光刻胶如同一个精准的“电路图临时模板”，将设计图形转移到晶圆上。当刻蚀或离子注入等图形转移步骤完成后，这层光刻胶模板以及过程中产生的聚合物残留便完成了使命，必须被彻底、无损伤地清除，才能进入下一道工序。湿法去胶 (Wet Strip) 正是承担这一任务的主流技术方案。

其核心过程是利用特定的化学药液（去胶液/剥离液），通过浸泡或喷淋等方式，使光刻胶发生溶胀、溶解、分解，最终从晶圆表面脱离，并用超纯水冲洗干净。这并非简单的“水洗”，而是一套高度精密的表面工程科学。它要求去胶液具备极高的选择性——只攻击光刻胶，而对下层已形成的精细电路结构（如金属互连层、低介电常数介质层等）“秋毫无犯”。在7nm以下先进制程及3D封装中，这一挑战的难度被指数级放大。因此，湿法去胶是确保芯片洁净度、可靠性和最终性能的核心环节，是整个“链(设备材料)—芯(制造工艺)—片(芯片成品)”价值链条中承上启下的关键锚点。

3 技术原理

湿法去胶本质上是一个表/界面化学反应与传质过程，其技术原理可拆解为以下几个层面：

1. 化学溶解与分解机制 主流去胶液针对不同类型的光刻胶，主要有两种作用机理：

• 有机溶剂溶解型：光刻胶的主体通常为酚醛树脂或丙烯酸酯类聚合物，这类高分子材料在特定的极性有机溶剂（如N-甲基吡咯烷酮/NMP、二甲基亚砜/DMSO，以及新型环保溶剂）中会发生溶胀和溶解，从晶圆表面被“剥离”下来。这是多数正性光刻胶和部分负胶的主流去胶方式。
• 氧化分解型：对于经过高温烘烤、等离子体刻蚀或离子注入后高度交联碳化的顽固光刻胶，单纯溶解已不足以将其清除。此时需要使用强氧化性溶液，如热的硫酸-过氧化氢混合物(SPM)，将有机聚合物彻底氧化分解为二氧化碳和水。这一过程对药液配比和温度控制要求极高。

2. 工艺辅助与传质增强 仅靠化学浸泡，去除效率极低，尤其在图形密度高、线宽小的区域。因此需要物理手段辅助：

• 兆声波/超声波辅助：通过换能器在液体中产生高频振动，形成“空化效应”微气泡，有效轰击晶圆表面，加速药液渗透和残留物剥离，是去除纳米级沟槽内残留的关键技术。
• 喷淋技术：将加热的药液以一定压力喷淋到高速旋转的晶圆上，利用流体的剪切力与化学反应协同作用，实现单晶圆、高效率的去胶。
• 温度与流场控制：化学反应速率与温度强相关。精确控制去胶液的温度（通常室温至150°C）以及对槽式清洗中流场的模拟优化，能有效提升整片晶圆上去胶速率的一致性与均匀性。

4 关键参数

评估和选择一套湿法去胶工艺，行业关注的量化指标主要有：

注：上表具体数值随集成器件制造商(IDM)/代工厂具体工艺节点、光刻胶类型和设备配置不同而差异巨大，仅为行业追求的趋势性标杆目标。

5 技术路线

湿法去胶技术并非铁板一块，根据配置与工艺需求，已演进为两大主流路线，二者在先进工艺中往往配合使用。

路线一：槽式批量浸泡工艺

• 原理: 将多片(通常25片或50片)晶圆同时浸没于盛有化学药液的大槽中，辅以循环、过滤、兆声波，进行批量处理。
• 优势: 高产能、低单晶圆化学品成本。适用于剥离层数较简单、图形结构不那么“脆弱”的工艺步骤，如离子注入后、刻蚀后初始清洗。
• 局限: 药液浴寿命有限，需要频换液，药液槽内浓度和温度梯度易导致批次内去胶均匀性问题。在遇到高纵深比、极脆弱结构时，液体表面张力可能引发图案塌陷。
• 关键供应商: 日本SCREEN (SU系列)，东京电子(TEL)等，在成熟制程中仍占有大量市场份额。

路线二：单晶圆旋转喷淋工艺

• 原理: 将单片晶圆置于高速旋转卡盘上，通过移动式喷臂将新鲜且温度精确控制的化学药液直接喷淋到晶圆中心，药液在离心力作用下扫过整个表面，与胶层反应后迅速被甩出，最终用超纯水冲洗干燥。
• 优势: 极高的工艺可控性与均匀性。每片晶圆皆在“新鲜”药液环境下处理，完美解决了槽式寿命和交叉污染问题。可通过编程精确控制不同区域的喷淋时间，实现纳米级补偿。是14nm/10nm以下FinFET及纳米片晶体管(GAA)结构的绝对主流选择。
• 局限: 单机产能(WPH， Wafer Per Hour)相对低，设备及化学品单次使用成本高昂。
• 关键供应商: SCREEN (SU-3300系列)，TEL (CELLESTA™系列)，美国泛林半导体(Lam Research, EOS系列)等，其平台集成了先进的流体力学和化学配方。

前沿趋势：化学与干法的结合。对于极高剂量的离子注入或极顽固的蚀刻残留，干法去胶(等离子体灰化)与湿法清洗的“组合拳”已成为标准流程。先用干法将大部分胶体“灰化”，再用湿法精密去除无机聚合物残余。此外，为减少对超纯水和化学品的消耗，超临界二氧化碳清洗等绿色技术路线亦在持续研发中。

6 上游：核心原材料与设备

湿法去胶供应链上游呈现技术、资本和认证壁垒三重集中的特征。

1. 化学材料商：高纯去胶配方 此为“配方科学”的源头，技术壁垒极高。主要参与者分为全球综合化学品巨头和专注于半导体材料的专精厂商。

• 全球领导者:
  • Entegris， Inc. (美国): 全球半导体超纯材料和流体控制的绝对龙头。其湿法工艺化学品(包括多代去胶液)在逻辑芯片和存储芯片的先进制程中市占率极高。据其2023年财报，先进材料解决方案部门是其主要营收来源，服务于TSMC、三星、英特尔等。
  • TOK (东京应化工业，日本): 世界顶级光刻胶供应商，凭借对光刻胶成分的深刻理解，其配套去胶液产品在EUV光刻工艺等高端领域具备天然协同优势。
  • MGC (三菱瓦斯化学，日本): 在半导体用超纯过氧化氢等关键氧化剂方面占据绝对主导份额，是配制氧化型去胶液的核心供应商。
  • Avantor (美国)、富士胶片(日本)、关东化学(日本)、巴斯夫(德国)等亦在不同细分领域扮演重要角色。
• 中国本土突破者:
  • 安集科技: 国产CMP抛光液和光刻胶去除剂(去胶液)的领头羊。其铜及铜阻挡层抛光液已打入领先代工厂，基于相同的湿化学能力平台，多款去胶液在成熟制程(45nm及以上)实现量产销售，并正积极向28nm以下先进制程验证导入(依据其2023年报及投资者关系记录)。
  • 上海新阳: 围绕“电镀液+清洗液+光刻胶”布局，其在晶圆级封装用电镀液和清洗液领域进展迅速，亦涉足IC制造用去胶液/剥离液的开发。
  • 晶瑞电材、江化微等：亦在部分功能性湿电子化学品领域有产品布局，处于从光伏、面板级向IC级高纯产品升级的阶段。

2. 核心设备商：高精度去胶清洗装备 去胶功能通常集成在“湿法清洗机台”中，设备商需掌握精密流体传输、温度控制、兆声波发生、传输与旋转系统等多项核心技术。

• 全球主导者:
  • SCREEN Semiconductor Solutions (日本): 单晶圆清洗设备的全球头号霸主，其SU系列代表了行业最高产能与工艺水平的融合。在存储芯片(如NAND Flash)生产中拥有无与伦比的渗透率。
  • Tokyo Electron (TEL， 日本): 清洗设备另一巨头，其CELLESTA™系列提供极高的灵活性，与自身的涂胶显影一体机(Track)和刻蚀机协同效应强大，在逻辑芯片高端节点份额可观。
  • Lam Research (泛林半导体， 美国): 凭借在刻蚀和薄膜沉积的强大平台，其EOS系列在等离子体干法去胶后衔接的湿法清洗步骤中有强大生态地位。
• 中国本土追赶者:
  • 中国国产的湿法清洗设备商主要集中在槽式(批量)设备领域，并已具备较强竞争力，打入国内主流晶圆产线。代表公司包括至纯科技（单片及槽式）、北方华创（通过收购Akrion进入该领域）和盛美上海（以独创的空间交变相位移(SAPS/TEBO)兆声波清洗技术差异化竞争，在特定高端清洗/去胶步骤获得国际客户认可）。

7 下游：应用场景与工艺要求

湿法去胶并非孤立工序，其下游应用贯穿整个芯片前道工艺与先进后道封装，不同场景的需求差异巨大。

1. 前道制造(FEOL & BEOL)

• 离子注入后的去胶：这是最具挑战性的应用之一。高能离子注入使光刻胶表层高度碳化、交联，变得极其顽固。该步骤普遍采用“干法灰化 + 湿法SPM氧化清洗”的组合工艺，是去胶液消耗量和废液产生的最大头之一。
• 刻蚀后清洗：反应离子刻蚀(RIE)后，刻蚀产生的聚合物和改性的光刻胶残留物会附着在图形侧壁和底部。去除它们对去胶液的选择性提出极致要求，尤其是后道制程(BEOL)中与铜（Cu）和超低介电常数（ULK）材料(如多孔SiCOH)接触时。任何对ULK材料的侵蚀或对铜的腐蚀都直接导致器件性能劣化与成品率损失。
• CMP后清洗：在化学机械抛光(CMP)后，需用专用清洗液去除晶圆表面的大量研磨颗粒和化学残留。虽然不称为“去胶”，但它属于同一湿法清洗技术平台，相关配方与工艺互通有无。

2. 先进封装(ATP) 随着人工智能/高性能(AI/HPC)芯片对高速互连的需求，2.5D/3D先进封装成为湿法去胶的新“战场”。

• TSV硅通孔工艺: TSV中填充的光刻胶和电镀掩模胶需要从高纵深比的深孔/沟槽中完全去除，对去胶液的浸润性和传质能力提出前所未有的挑战。
• RDL重布线层工艺: 在聚合物电介质(如聚酰亚胺PI，聚苯并恶唑PBO)上制作精细的铜RDL线路，先要去除线路电镀用的光刻胶胶膜，同时必须避免对这些有机聚合物基底造成任何溶胀、开裂或分层。“零损伤”的温和型有机去胶液在此至关重要。

3. 化合物半导体与新型显示 在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体和Micro LED制造中，由于衬底与工艺化学品特性与硅差异巨大，需要完全定制的去胶方案。这部分市场虽然专业化，但增长迅猛，是许多特色化学品公司的蓝海。

8 受益公司

基于上述产业链分析，以下公司作为关键节点，其业务直接受益于全球芯片产能扩张及工艺复杂化对湿法去胶环节带来的技术与用量双重提升。

1. 全球核心材料与设备供应商

• Entegris (美国): 逻辑/存储/先进封装全版图受益。其制程化学品、流体处理系统和微环境污染控制产品组成的平台化解决方案，使其成为半导体先进制程“军火商”。2023年全年营收约35.2亿美元，其中微污染控制(MC)和先进材料处理(AMH)为两大支柱。
• SCREEN (日本): 其半导体解决方案部门(主要是清洗设备)是该集团最主要的利润中心。得益于全球晶圆厂，特别是中国大陆成熟制程的强劲资本开支，其SU系列单晶圆清洗设备订单额连创历史新高。2023财年(截至2024年3月)该部门营收超4,500亿日元。
• TOK (日本): 虽然光刻胶是明星业务，但其配套高端去胶液和抗反射涂层去除剂是“隐形冠军”产品，深度绑定全球一线逻辑和存储芯片巨头，增长确定性强。
• Lam Research (美国): 在三维器件结构(如GAA)中，其对选择性刻蚀和精准表面处理的深入理解，转化为湿法去胶步骤的工艺整合优势。

2. 中国产业链核心突破者

• 安集科技 (688019.SH): 作为国内最接近“国际队”水平的湿化学选手，是本土晶圆厂建立自主供应链的明确首选。去胶液产品是其第二大产品线，增长逻辑清晰，直接受益于总需求扩张和国产替代的双重红利。
• 盛美上海 (688082.SH): 其差异化SAPS/TEBO兆声波技术，在特定高难度清洗/去胶场景(如3D NAND的深孔、先进封装TSV)形成技术“利基”(niche)。据其2023年报披露，已获得国际主流存储和代工厂的重复订单，单晶圆清洗设备是其营收占比过半的主力产品。
• 至纯科技/北方华创 (002371.SZ): 作为中国湿法清洗设备(含去胶功能)的头部平台型企业，其在成熟制程产能建设大潮中获得批量化订单，并正迭代开发性能更强、适用节点更先进的产品。

(注：上述公司仅为基于公开信息的产业环节例举，不构成任何投资建议。)

9 市场规模

湿法去胶市场可从其依附的两个核心市场进行交叉估算：半导体湿法工艺化学品 与 半导体湿法清洗设备。公开资料中未见完全以“wet strip”为独立口径的权威统计，行业惯例将其纳入上述大类别中。

• 全球半导体湿化学品市场: 根据美国市场研究机构TECHCET 2024年发布的报告预测，包括去胶液、刻蚀液、CMP液在内的全球半导体湿化学品市场总规模在2024年将超过160亿美元，预计到2028年将超过210亿美元。其中，光刻胶辅助化学品（包括去胶液、显影液等）是其中重要组成部分，受EUV层数增加和3D NAND堆叠层数增加驱动，增速显著高于行业均值。
• 全球半导体清洗设备市场: 据Gartner 2023年第四季度数据，全球半导体清洗设备市场约为110亿美元，其中单晶圆清洗设备份额持续提升，已超过70亿美元。得益于全球范围内数十座新建晶圆厂的设备采购，以及技术升级带来的设备替换需求，该市场预测在2025年后将恢复强劲增长。
• 中国市场细分: 根据中国电子专用设备工业协会(CEPEA)等本土机构数据测算，在中国国内年芯片制造化学品需求中，湿电子化学品占比最大。2023年中国半导体湿化学品市场规模约45亿美元，预计其在全球市场份额将随本土晶圆厂产能比重一同攀升，于2027年接近30%。
• 增长驱动力: 一是 3D架构驱动，GAA晶体管、3D NAND堆叠和2.5D/3D封装，使得去胶步骤数量和对化学品/设备的要求倍数增长；二是 EUV光刻普及，复杂的光刻胶配方使去胶难度和参数单价同时提升；三是 供应链安全考虑，中国本土市场为国产供应商提供了额外、独立于全球周期之外的导入与增长窗口。

10 玩家对比

将湿法去胶产业链不同环节的代表性全球与中国企业进行横向对比，可清晰辨识其竞争位势。

材料环节: Entegris vs. 安集科技

• Entegris：具备“超纯材料+流体控制+微污染过滤”的三位一体平台能力。它对标的不是单一产品，而是为3nm/2nm的台积电、三星等巨头提供整体解决方案。优势在于数十年积累的材料科学know-how、全球数一数二的超纯化学品生产设施，以及深度的客户共同开发(customer co-development)关系。
• 安集科技：从CMP抛光液单点突破，正将能力复制到清洗/去胶配方。其优势在于一是灵活的定制化服务和快速响应，紧密贴近本土重点客户的产能与工艺开发节奏；二是原料自主可控程度相对较高，更受益于中国供应链安全主题。其差距在于品牌信任度和先进制程（14nm以下）大批量验证数据的积累，以及全球化的应用技术支持网络。

设备环节: SCREEN vs. 盛美上海

• SCREEN：其SU系列单晶圆设备代表行业“金标准”。优势在于超高的量产可靠性(Uptime > 95%)、极高的产能(WPH)，以及数十年与全球顶级存储器厂在复杂液流动力学上磨合出的海量工艺数据库。其策略是围绕成熟可靠平台迭代，构筑起极高的客户转移成本。
• 盛美上海：作为颠覆者，不走“me-too”模仿路线，而以原创的兆声波技术精准切入“传统方法清洗不干净/损伤大”的高价值利基市场。其策略是“技术差异化”，在先进封装、3D NAND深孔清洗/去胶等场景建立起技术护城河。挑战在于其平台整体的WPH和生产一次成功率，以及在全球头部客户的渗透率仍远逊于SCREEN。

综合对比总结：全球寡头们的护城河在于“平台定义权”和根植于时间的客户信任；中国企业在利用比较优势，从“单点突破”与“服务响应”这两条路径切入，正处在一个关键的价值链向上爬升期。

11 风险

湿法去胶产业的发展面临多层次的风险维度。

1. 供应链与技术制约风险

• 高端去胶液配方中的核心原料(如高纯溶剂、特种表面活性剂、螯合剂)晶圆厂工艺验证周期长(2-3年)，且被日、美、欧少数化工巨头牢牢掌握。地缘政治冲突可能导致对特定国家晶圆厂的供应中断，构成**“上游中的上游”**“断供”风险。
• 全自动高端单晶圆去胶/清洗设备的机械臂、高可靠性泵阀、核心传感器等子系统，精度与寿命要求极高，仍依赖日本SMC、Nikkiso或欧洲Burkert等企业，是设备交期中的潜在瓶颈。

2. 环境、社会和治理(ESG)与成本压力

• 废液处理: 硫酸/过氧化氢混合物(SPM)、含有机溶剂的去胶废液属于危险废物。以一座月产5万片12英寸晶圆先进逻辑厂为例，其湿法清洗/去胶系统每日产生的废液量级惊人。目前行业主要采用厂内回收稀释或厂外焚烧/水泥窑处置，成本高昂。公开资料未见行业统一的去胶液在线回收并再利用的规模化成熟技术，这成为达成2030年可持续发展目标面临的最大工艺挑战之一。
• 碳足迹: 高温工艺用于加热大量高纯化学品，是整个制程中庞大的电力消耗源。面对各国碳中和政策，开发更低温度、更短工艺时间的绿色去胶方案是刚性需求。

3. 技术迭代风险

• 干法去胶的替代威胁：尽管干法(等离子灰化)不能完全取代湿法清洗，但在特定碳化硬壳层的初处理上已100%成为主流。若未来原子层刻蚀(ALE)等技术能进一步衔接无残余物去除，则可能蚕食部分湿法预算。
• 新材料体系的不兼容：未来的原子级薄材料(如二维材料)、金属有机框架材料(MOF)等在器件中的应用，可能使当前基于传统树脂溶解机理的去胶液完全失效，引发底层技术颠覆。

12 误读纠偏

纠正几个关于湿法去胶的常见认知偏差：

误读一：“去胶和清洗，就是简单地‘洗干净’。” 纠偏：这是典型的实验室思维。量产中的湿法去胶是极高精度的材料选择性去除工程。它的目标不是“干净”，而是“在丝毫不损伤近乎完工的‘纳米大厦’的前提下，定点、定量、无残留地移除已完工的‘脚手架’”。任何1埃(0.1纳米)的铝、钴或low-k材料误蚀都会导致晶体管性能漂移或互连电阻增加，直接导致器件报废。

误读二：“槽式设备技术老旧，最终会被单晶圆全面取代。” 纠偏：二者是互补关系，而非完全的替代关系。在大量成熟的、非绝对关键层级的批量工艺中(如8英寸晶圆厂、非关键层的预清洗、部分先进封装工艺)，槽式设备的成本效益和产能优势依然无法被撼动。产业的未来格局将是单晶圆处理发挥最尖端精度优势，槽式则继续服务于广大性价比驱动的应用场景。

误读三：“一旦有了好的去胶液配方，就不需要先进的设备了。” 纠偏：化学配方与工艺硬件是紧密耦合的“板手一体”系统。没有高精度的温度控制、优化的喷淋机械臂运动轨迹、精密的兆声波能量分布，最佳的去胶液也只能形成不均匀、低效率的去除效果。全球领先的设备商与化学品商之间合作紧密，在开发阶段就会共同调校参数，这种“一体化”know-how才是真正的竞争壁垒。

13 最新事件

• 2024年Q1-Q2 - 中国大基金三期与供应链加速: 中国国家集成电路产业投资基金三期正式成立，注册资本3440亿人民币。市场普遍预期其投资重点将从前期制造设备向更上游的材料、化学品和零部件环节倾斜。这为国产去胶液及清洗设备龙头带来了获取大规模研发和扩产资金的确定性利好。
• 2024年 - AI芯片封装需求驱动: 英伟达、AMD、英特尔等对CoWoS等先进封装产能竞逐白热化。TSMC等代工厂大幅扩充先进封装产能，直接拉动了用于TSV/RDL的专项去胶化学品和高端清洗设备的大量订单，特别是对能处理大尺寸、薄晶圆的单晶圆清洗平台需求激增。
• 2024年 - 设备出口管制与日系设备在华策略: 日本继2023年7月23日实施尖端半导体制造设备出口管制后，企业如何执行中国大陆晶圆厂的“维修与售后服务”成为行业焦点。这会直接影响已装机和未来待装的SCREEN、TEL湿法去胶/清洗设备的稼动率和后续扩展能力，为国产品牌提供了潜在的替代性服务机会。
• 2024年 - EUV技术演化: ASML发布其新一代高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻机，2024年已向英特尔发出首套。新的光刻胶材料和更精细的图形，对缺陷控制的指标将严苛到原子级，这必将触发一轮全新的去胶液配方和清洗工艺的联合研发竞赛。

14 跟踪指标

要持续跟踪湿法去胶产业动态，可关注以下高频数据与先行指标：

1. 产能与资本开支指标 (来源：公司Capital Returns， 财报， SEMI)

• 全球晶圆厂设备资本支出季度变动：特别是TSMC、三星、英特尔三家合计支出的YoY(年同比)变化，这是湿法清洗/去胶设备需求的先导性核心指标。
• 主要代工厂月产能(千片/月等效12英寸)按工艺节点的划分数据：关注7nm以下先进制程和成熟节点（28nm-90nm）的产能各自的扩张比例，分别对应了高端和成本驱动型两种不同的去胶解决方案市场。

2. 关键公司业绩与指引 (来源：季度财报电话会议)

• Entegris 的“先进材料解决方案”部门营收：该部门的环比/同比增长直接反映全球高端化学品的真实消耗量。
• SCREEN、TEL、Lam Research清洗设备收入指引：设备收入是12-18个月后化学品消耗的预演。
• 安集科技、盛美上海的季度营收与新获订单额：用以衡量国产替代速率和在客户端份额的爬升。

3. 技术与政策指标

• EUV光刻胶技术路线图发布，及各公司配套去胶液认证公告。
• 各国环保部门针对芯片行业的新排放标准（尤其是硫酸雾、挥发性有机物、氟离子浓度），驱动无溶剂或水基去胶技术的研发投入。
• 中美日荷等国家的出口管制条例细则更新，特别是关于特定配方和零部件编码的调整。

15 信源

1. TECHCET LLC. (2024). Global Semiconductor Wet Chemicals Market Report. （全球半导体湿化学品市场年度报告）
2. Gartner， Inc. (2023, Q4). Semiconductor Wafer Cleaning Equipment Market Share and Forecast. （Gartner半导体晶圆清洗设备市场份额及预测数据库）
3. Entegris， Inc. (2024). Form 10-K， Annual Report for Fiscal Year Ended December 31, 2023. (美国证券交易委员会SEC备案的Entegris 2023年度报告)
4. SCREEN Holdings Co., Ltd. (2024, May). Financial Results for FY2023 (Ended March 31, 2024). (SCREEN集团2023财年决算报告及说明会资料)
5. 安集科技(688019.SH). (2024). 2023年年度报告及投资者关系活动记录表.
6. 盛美上海(688082.SH). (2024). 2023年年度报告及投资者关系活动记录表.
7. Tokyo Electron Ltd. (2024). Annual Report 2023.
8. 中国电子专用设备工业协会(CEPEA)官方网站及行业白皮书.
9. 国际半导体产业协会(SEMI). (2024). World Fab Forecast report. (SEMI全球晶圆厂预测报告)

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