溼法去膠 (Wet Strip)
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溼法去膠是晶片製造中，使用特定化學藥液去除晶圓表面光刻膠及殘留物的關鍵清洗工藝。它直接決定了晶片電路的精度與良率，是連線光刻與刻蝕/注入等步驟的不可或缺的橋樑。
2 3 分鐘產業解釋
在晶片製造的光刻流程中，光刻膠如同一個精準的“電路圖臨時模板”，將設計圖形轉移到晶圓上。當刻蝕或離子注入等圖形轉移步驟完成後，這層光刻膠模板以及過程中產生的聚合物殘留便完成了使命，必須被徹底、無損傷地清除，才能進入下一道工序。溼法去膠 (Wet Strip) 正是承擔這一任務的主流技術方案。
其核心過程是利用特定的化學藥液（去膠液/剝離液），通過浸泡或噴淋等方式，使光刻膠發生溶脹、溶解、分解，最終從晶圓表面脫離，並用超純水沖洗乾淨。這並非簡單的“水洗”，而是一套高度精密的表面工程科學。它要求去膠液具備極高的選擇性——只攻擊光刻膠，而對下層已形成的精細電路結構（如金屬互連層、低介電常數介質層等）“秋毫無犯”。在7nm以下先進製程及3D封裝中，這一挑戰的難度被指數級放大。因此，溼法去膠是確保晶片潔淨度、可靠性和最終效能的核心環節，是整個“鏈(裝置材料)—芯(製造工藝)—片(晶片成品)”價值鏈條中承上啟下的關鍵錨點。
3 技術原理
溼法去膠本質上是一個表/介面化學反應與傳質過程，其技術原理可拆解為以下幾個層面：
1. 化學溶解與分解機制 主流去膠液針對不同型別的光刻膠，主要有兩種作用機理：
- 有機溶劑溶解型：光刻膠的主體通常為酚醛樹脂或丙烯酸酯類聚合物，這類高分子材料在特定的極性有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮/NMP、二甲基亞碸/DMSO，以及新型環保溶劑）中會發生溶脹和溶解，從晶圓表面被“剝離”下來。這是多數正性光刻膠和部分負膠的主流去膠方式。
- 氧化分解型：對於經過高溫烘烤、等離子體刻蝕或離子注入後高度交聯碳化的頑固光刻膠，單純溶解已不足以將其清除。此時需要使用強氧化性溶液，如熱的硫酸-過氧化氫混合物(SPM)，將有機聚合物徹底氧化分解為二氧化碳和水。這一過程對藥液配比和溫度控制要求極高。
2. 工藝輔助與傳質增強 僅靠化學浸泡，去除效率極低，尤其在圖形密度高、線寬小的區域。因此需要物理手段輔助：
- 兆聲波/超音波輔助：通過換能器在液體中產生高頻振動，形成“空化效應”微氣泡，有效轟擊晶圓表面，加速藥液滲透和殘留物剝離，是去除奈米級溝槽內殘留的關鍵技術。
- 噴淋技術：將加熱的藥液以一定壓力噴淋到高速旋轉的晶圓上，利用流體的剪下力與化學反應協同作用，實現單晶圓、高效率的去膠。
- 溫度與流場控制：化學反應速率與溫度強相關。精確控制去膠液的溫度（通常室溫至150°C）以及對槽式清洗中流場的模擬最佳化，能有效提升整片晶圓上去膠速率的一致性與均勻性。
4 關鍵引數
評估和選擇一套溼法去膠工藝，行業關注的量化指標主要有：
| 引數類別 | 核心指標 | 定義與意義 | 典型目標 (以2024-2025年主流先進製程為參考) |
|---|---|---|---|
| 去膠能力 | 去膠速率 | 單位時間內光刻膠膜厚的減少量。決定了工藝產能。 | 深層紫外線(DUV)光刻膠: > 1-5 μm/min (浸泡式)；極紫外(EUV)光刻膠: 因成分迥異，速率需專門最佳化，公開資料未見統一標準。 |
| 殘留缺陷數 | 去膠後晶圓表面殘留的膠粒、聚合物或其他不溶性顆粒物的數量。核心良率指標。 | 缺陷尺寸 > 19nm: 目標為0個/wafer。使用KLA等缺陷檢測裝置監控。 | |
| 選擇性與相容性 | 選擇比 (對下層薄膜) | 去膠液對光刻膠的刻蝕速率與對底層材料(如銅、鈷、low- k介質)刻蝕速率的比值。 | 對金屬(銅/鈷): > 10,000:1 或無窮大(無可測量蝕刻)。對low-k介質: 矽(Si)損失< 1 Å/cycle，且不允許改變介電常數(k值)。 |
| 金屬離子析出控制 | 去膠過程是否會導致下層金屬佈線發生電化學腐蝕。 | 必須通過嚴苛的電化學測試，確保在去膠液環境中不發生伽凡尼腐蝕或點蝕。 | |
| 均勻性 | 片內/片間去膠均勻性 | 同一晶圓內不同位置及不同晶圓間去膠速率/殘留的一致性。 | 片內非均勻性: 通常要求 < 5% (1σ)。對於300mm晶圓，邊緣排除區 < 2mm。 |
| 材料壽命與環保 | 藥液浴壽命 | 一槽藥液在無需更換的情況下，能有效處理晶圓的批次數或時間。 | 槽式壽命: 視工藝而定，部分可通過線上補充和純化(dummy wafer處理)延長，目標> 24小時持續使用。 |
| 化學品耗量 | 單片/單批次晶圓消耗的去膠液及沖洗用超純水量。 | 單片式工藝: 目標< 50 ml/wafer。是降低擁有成本(COO)的關鍵。 |
注：上表具體數值隨整合器件製造商(IDM)/代工廠具體工藝節點、光刻膠型別和裝置配置不同而差異巨大，僅為行業追求的趨勢性標杆目標。
5 技術路線
溼法去膠技術並非鐵板一塊，根據配置與工藝需求，已演進為兩大主流路線，二者在先進工藝中往往配合使用。
路線一：槽式批次浸泡工藝
- 原理: 將多片(通常25片或50片)晶圓同時浸沒於盛有化學藥液的大槽中，輔以迴圈、過濾、兆聲波，進行批次處理。
- 優勢: 高產能、低單晶圓化學品成本。適用於剝離層數較簡單、圖形結構不那麼“脆弱”的工藝步驟，如離子注入後、刻蝕後初始清洗。
- 侷限: 藥液浴壽命有限，需要頻換液，藥液槽內濃度和溫度梯度易導致批次內去膠均勻性問題。在遇到高縱深比、極脆弱結構時，液體表面張力可能引發圖案塌陷。
- 關鍵供應商: 日本SCREEN (SU系列)，東京電子(TEL)等，在成熟製程中仍佔有大量市場份額。
路線二：單晶圓旋轉噴淋工藝
- 原理: 將單片晶圓置於高速旋轉卡盤上，通過移動式噴臂將新鮮且溫度精確控制的化學藥液直接噴淋到晶圓中心，藥液在離心力作用下掃過整個表面，與膠層反應後迅速被甩出，最終用超純水沖洗乾燥。
- 優勢: 極高的工藝可控性與均勻性。每片晶圓皆在“新鮮”藥液環境下處理，完美解決了槽式壽命和交叉汙染問題。可通過程式設計精確控制不同區域的噴淋時間，實現奈米級補償。是14nm/10nm以下FinFET及奈米片電晶體(GAA)結構的絕對主流選擇。
- 侷限: 單機產能(WPH， Wafer Per Hour)相對低，裝置及化學品單次使用成本高昂。
- 關鍵供應商: SCREEN (SU-3300系列)，TEL (CELLESTA™系列)，美國科林研發半導體(Lam Research, EOS系列)等，其平台集成了先進的流體力學和化學配方。
前沿趨勢：化學與幹法的結合。對於極高劑量的離子注入或極頑固的蝕刻殘留，幹法去膠(等離子體灰化)與溼法清洗的“組合拳”已成為標準流程。先用幹法將大部分膠體“灰化”，再用溼法精密去除無機聚合物殘餘。此外，為減少對超純水和化學品的消耗，超臨界二氧化碳清洗等綠色技術路線亦在持續研發中。
6 上游：核心原材料與裝置
溼法去膠供應鏈上游呈現技術、資本和認證壁壘三重集中的特徵。
1. 化學材料商：高純去膠配方 此為“配方科學”的源頭，技術壁壘極高。主要參與者分為全球綜合化學品巨頭和專注於半導體材料的專精廠商。
- 全球領導者:
- Entegris， Inc. (美國): 全球半導體超純材料和流體控制的絕對龍頭。其溼法工藝化學品(包括多代去膠液)在邏輯晶片和儲存晶片的先進製程中市佔率極高。據其2023年財報，先進材料解決方案部門是其主要營收來源，服務於TSMC、三星、英特爾等。
- TOK (東京應化工業，日本): 世界頂級光刻膠供應商，憑藉對光刻膠成分的深刻理解，其配套去膠液產品在EUV光刻工藝等高階領域具備天然協同優勢。
- MGC (三菱瓦斯化學，日本): 在半導體用超純過氧化氫等關鍵氧化劑方面佔據絕對主導份額，是配製氧化型去膠液的核心供應商。
- Avantor (美國)、富士膠片(日本)、關東化學(日本)、巴斯夫(德國)等亦在不同細分領域扮演重要角色。
- 中國本土突破者:
- 安集科技: 國產CMP拋光液和光刻膠去除劑(去膠液)的領頭羊。其銅及銅阻擋層拋光液已打入領先代工廠，基於相同的溼化學能力平台，多款去膠液在成熟製程(45nm及以上)實現量產銷售，並正積極向28nm以下先進製程驗證匯入(依據其2023年報及投資者關係記錄)。
- 上海新陽: 圍繞“電鍍液+清洗液+光刻膠”版面配置，其在晶圓級封裝用電鍍液和清洗液領域進展迅速，亦涉足IC製造用去膠液/剝離液的開發。
- 晶瑞電材、江化微等：亦在部分功能性溼電子化學品領域有產品版面配置，處於從光伏、面板級向IC級高純產品升級的階段。
2. 核心裝置商：高精度去膠清洗裝備 去膠功能通常整合在“溼法清洗機臺”中，裝置商需掌握精密流體傳輸、溫度控制、兆聲波發生、傳輸與旋轉系統等多項核心技術。
- 全球主導者:
- SCREEN Semiconductor Solutions (日本): 單晶圓清洗裝置的全球頭號霸主，其SU系列代表了行業最高產能與工藝水平的融合。在儲存晶片(如NAND Flash)生產中擁有無與倫比的滲透率。
- Tokyo Electron (TEL， 日本): 清洗裝置另一巨頭，其CELLESTA™系列提供極高的靈活性，與自身的塗膠顯影一體機(Track)和刻蝕機協同效應強大，在邏輯晶片高階節點份額可觀。
- Lam Research (科林研發半導體， 美國): 憑藉在刻蝕和薄膜沉積的強大平台，其EOS系列在等離子體幹法去膠後銜接的溼法清洗步驟中有強大生態地位。
- 中國本土追趕者:
- 中國國產的溼法清洗裝置商主要集中在槽式(批次)裝置領域，並已具備較強競爭力，打入國內主流晶圓產線。代表公司包括至純科技（單片及槽式）、北方華創（通過收購Akrion進入該領域）和盛美上海（以獨創的空間交變相位移(SAPS/TEBO)兆聲波清洗技術差異化競爭，在特定高階清洗/去膠步驟獲得國際客戶認可）。
7 下游：應用場景與工藝要求
溼法去膠並非孤立工序，其下游應用貫穿整個晶片前道工藝與先進後道封裝，不同場景的需求差異巨大。
1. 前道製造(FEOL & BEOL)
- 離子注入後的去膠：這是最具挑戰性的應用之一。高能離子注入使光刻膠表層高度碳化、交聯，變得極其頑固。該步驟普遍採用“幹法灰化 + 溼法SPM氧化清洗”的組合工藝，是去膠液消耗量和廢液產生的最大頭之一。
- 刻蝕後清洗：反應離子刻蝕(RIE)後，刻蝕產生的聚合物和改性的光刻膠殘留物會附著在圖形側壁和底部。去除它們對去膠液的選擇性提出極致要求，尤其是後道製程(BEOL)中與銅（Cu）和超低介電常數（ULK）材料(如多孔SiCOH)接觸時。任何對ULK材料的侵蝕或對銅的腐蝕都直接導致器件效能劣化與成品率損失。
- CMP後清洗：在化學機械拋光(CMP)後，需用專用清洗液去除晶圓表面的大量研磨顆粒和化學殘留。雖然不稱為“去膠”，但它屬於同一溼法清洗技術平台，相關配方與工藝互通有無。
2. 先進封裝(ATP) 隨著人工智慧/高效能(AI/HPC)晶片對高速互連的需求，2.5D/3D先進封裝成為溼法去膠的新“戰場”。
- TSV矽通孔工藝: TSV中填充的光刻膠和電鍍掩模膠需要從高縱深比的深孔/溝槽中完全去除，對去膠液的浸潤性和傳質能力提出前所未有的挑戰。
- RDL重佈線層工藝: 在聚合物電介質(如聚醯亞胺PI，聚苯並惡唑PBO)上製作精細的銅RDL線路，先要去除線路電鍍用的光刻膠膠膜，同時必須避免對這些有機聚合物基底造成任何溶脹、開裂或分層。“零損傷”的溫和型有機去膠液在此至關重要。
3. 化合物半導體與新型顯示 在碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體和Micro LED製造中，由於襯底與工藝化學品特性與矽差異巨大，需要完全定製的去膠方案。這部分市場雖然專業化，但增長迅猛，是許多特色化學品公司的藍海。
8 受益公司
基於上述產業鏈分析，以下公司作為關鍵節點，其業務直接受益於全球晶片產能擴張及工藝複雜化對溼法去膠環節帶來的技術與用量雙重提升。
1. 全球核心材料與裝置供應商
- Entegris (美國): 邏輯/儲存/先進封裝全版圖受益。其製程化學品、流體處理系統和微環境汙染控制產品組成的平台化解決方案，使其成為半導體先進製程“軍火商”。2023年全年營收約35.2億美元，其中微汙染控制(MC)和先進材料處理(AMH)為兩大支柱。
- SCREEN (日本): 其半導體解決方案部門(主要是清洗裝置)是該集團最主要的獲利中心。得益於全球晶圓廠，特別是中國大陸成熟製程的強勁資本支出，其SU系列單晶圓清洗裝置訂單額連創歷史新高。2023財年(截至2024年3月)該部門營收超4,500億日元。
- TOK (日本): 雖然光刻膠是明星業務，但其配套高階去膠液和抗反射塗層去除劑是“隱形冠軍”產品，深度繫結全球一線邏輯和儲存晶片巨頭，增長確定性強。
- Lam Research (美國): 在三維器件結構(如GAA)中，其對選擇性刻蝕和精準表面處理的深入理解，轉化為溼法去膠步驟的工藝整合優勢。
2. 中國產業鏈核心突破者
- 安集科技 (688019.SH): 作為國內最接近“國際隊”水平的溼化學選手，是本土晶圓廠建立自主供應鏈的明確首選。去膠液產品是其第二大產品線，增長邏輯清晰，直接受益於總需求擴張和國產替代的雙重紅利。
- 盛美上海 (688082.SH): 其差異化SAPS/TEBO兆聲波技術，在特定高難度清洗/去膠場景(如3D NAND的深孔、先進封裝TSV)形成技術“利基”(niche)。據其2023年報揭露，已獲得國際主流儲存和代工廠的重複訂單，單晶圓清洗裝置是其營收佔比過半的主力產品。
- 至純科技/北方華創 (002371.SZ): 作為中國溼法清洗裝置(含去膠功能)的頭部平台型企業，其在成熟製程產能建設大潮中獲得批次化訂單，並正迭代開發效能更強、適用節點更先進的產品。
(注：上述公司僅為基於公開資訊的產業環節例舉，不構成任何投資建議。)
9 市場規模
溼法去膠市場可從其依附的兩個核心市場進行交叉估算：半導體溼法工藝化學品 與 半導體溼法清洗裝置。公開資料中未見完全以“wet strip”為獨立口徑的權威統計，行業慣例將其納入上述大類別中。
- 全球半導體溼化學品市場: 根據美國市場研究機構TECHCET 2024年釋出的報告預測，包括去膠液、刻蝕液、CMP液在內的全球半導體溼化學品市場總規模在2024年將超過160億美元，預計到2028年將超過210億美元。其中，光刻膠輔助化學品（包括去膠液、顯影液等）是其中重要組成部分，受EUV層數增加和3D NAND堆疊層數增加驅動，增速顯著高於行業均值。
- 全球半導體清洗裝置市場: 據Gartner 2023年第四季度資料，全球半導體清洗裝置市場約為110億美元，其中單晶圓清洗裝置份額持續提升，已超過70億美元。得益於全球範圍內數十座新建晶圓廠的裝置採購，以及技術升級帶來的裝置替換需求，該市場預測在2025年後將恢復強勁增長。
- 中國市場細分: 根據中國電子專用裝置工業協會(CEPEA)等本土機構資料測算，在中國國內年晶片製造化學品需求中，溼電子化學品佔比最大。2023年中國半導體溼化學品市場規模約45億美元，預計其在全球市場份額將隨本土晶圓廠產能比重一同攀升，於2027年接近30%。
- 增長驅動力: 一是 3D架構驅動，GAA電晶體、3D NAND堆疊和2.5D/3D封裝，使得去膠步驟數量和對化學品/裝置的要求倍數增長；二是 EUV光刻普及，複雜的光刻膠配方使去膠難度和引數單價同時提升；三是 供應鏈安全考慮，中國本土市場為國產供應商提供了額外、獨立於全球週期之外的匯入與增長視窗。
10 玩家對比
將溼法去膠產業鏈不同環節的代表性全球與中國企業進行橫向對比，可清晰辨識其競爭位勢。
材料環節: Entegris vs. 安集科技
- Entegris：具備“超純材料+流體控制+微汙染過濾”的三位一體平台能力。它對標的不是單一產品，而是為3nm/2nm的台積電、三星等巨頭提供整體解決方案。優勢在於數十年積累的材料科學know-how、全球數一數二的超純化學品生產設施，以及深度的客戶共同開發(customer co-development)關係。
- 安集科技：從CMP拋光液單點突破，正將能力複製到清洗/去膠配方。其優勢在於一是靈活的定製化服務和快速響應，緊密貼近本土重點客戶的產能與工藝開發節奏；二是原料自主可控程度相對較高，更受益於中國供應鏈安全主題。其差距在於品牌信任度和先進製程（14nm以下）大批次驗證資料的積累，以及全球化的應用技術支援網路。
裝置環節: SCREEN vs. 盛美上海
- SCREEN：其SU系列單晶圓裝置代表行業“金標準”。優勢在於超高的量產可靠性(Uptime > 95%)、極高的產能(WPH)，以及數十年與全球頂級儲存器廠在複雜液流動力學上磨合出的海量工藝資料庫。其策略是圍繞成熟可靠平台迭代，構築起極高的客戶轉移成本。
- 盛美上海：作為顛覆者，不走“me-too”模仿路線，而以原創的兆聲波技術精準切入“傳統方法清洗不乾淨/損傷大”的高價值利基市場。其策略是“技術差異化”，在先進封裝、3D NAND深孔清洗/去膠等場景建立起技術護城河。挑戰在於其平台整體的WPH和生產一次成功率，以及在全球頭部客戶的滲透率仍遠遜於SCREEN。
綜合對比總結：全球寡頭們的護城河在於“平台定義權”和根植於時間的客戶信任；中國企業在利用比較優勢，從“單點突破”與“服務響應”這兩條路徑切入，正處在一個關鍵的價值鏈向上爬升期。
11 風險
溼法去膠產業的發展面臨多層次的風險維度。
1. 供應鏈與技術制約風險
- 高階去膠液配方中的核心原料(如高純溶劑、特種表面活性劑、螯合劑)晶圓廠工藝驗證週期長(2-3年)，且被日、美、歐少數化工巨頭牢牢掌握。地緣政治衝突可能導致對特定國家晶圓廠的供應中斷，構成**“上游中的上游”**“斷供”風險。
- 全自動高階單晶圓去膠/清洗裝置的機械臂、高可靠性泵閥、核心感測器等子系統，精度與壽命要求極高，仍依賴日本SMC、Nikkiso或歐洲Burkert等企業，是裝置交期中的潛在瓶頸。
2. 環境、社會和治理(ESG)與成本壓力
- 廢液處理: 硫酸/過氧化氫混合物(SPM)、含有機溶劑的去膠廢液屬於危險廢物。以一座月產5萬片12英寸晶圓先進邏輯廠為例，其溼法清洗/去膠系統每日產生的廢液量級驚人。目前行業主要採用廠內回收稀釋或廠外焚燒/水泥窯處置，成本高昂。公開資料未見行業統一的去膠液線上回收並再利用的規模化成熟技術，這成為達成2030年可持續發展目標面臨的最大工藝挑戰之一。
- 碳足跡: 高溫工藝用於加熱大量高純化學品，是整個製程中龐大的電力消耗源。面對各國碳中和政策，開發更低溫度、更短工藝時間的綠色去膠方案是剛性需求。
3. 技術迭代風險
- 幹法去膠的替代威脅：儘管幹法(等離子灰化)不能完全取代溼法清洗，但在特定碳化硬殼層的初處理上已100%成為主流。若未來原子層刻蝕(ALE)等技術能進一步銜接無殘餘物去除，則可能蠶食部分溼法預算。
- 新材料體系的不相容：未來的原子級薄材料(如二維材料)、金屬有機架構材料(MOF)等在器件中的應用，可能使當前基於傳統樹脂溶解機理的去膠液完全失效，引發底層技術顛覆。
12 誤讀糾偏
糾正幾個關於溼法去膠的常見認知偏差：
誤讀一：“去膠和清洗，就是簡單地‘洗乾淨’。” 糾偏：這是典型的實驗室思維。量產中的溼法去膠是極高精度的材料選擇性去除工程。它的目標不是“乾淨”，而是“在絲毫不損傷近乎完工的‘奈米大廈’的前提下，定點、定量、無殘留地移除已完工的‘腳手架’”。任何1埃(0.1奈米)的鋁、鈷或low-k材料誤蝕都會導致電晶體效能漂移或互連電阻增加，直接導致器件報廢。
誤讀二：“槽式裝置技術老舊，最終會被單晶圓全面取代。” 糾偏：二者是互補關係，而非完全的替代關係。在大量成熟的、非絕對關鍵層級的批次工藝中(如8英寸晶圓廠、非關鍵層的預清洗、部分先進封裝工藝)，槽式裝置的成本效益和產能優勢依然無法被撼動。產業的未來格局將是單晶圓處理發揮最尖端精度優勢，槽式則繼續服務於廣大價效比驅動的應用場景。
誤讀三：“一旦有了好的去膠液配方，就不需要先進的裝置了。” 糾偏：化學配方與工藝硬體是緊密耦合的“板手一體”系統。沒有高精度的溫度控制、最佳化的噴淋機械臂運動軌跡、精密的兆聲波能量分佈，最佳的去膠液也只能形成不均勻、低效率的去除效果。全球領先的裝置商與化學品商之間合作緊密，在開發階段就會共同調校引數，這種“一體化”know-how才是真正的競爭壁壘。
13 最新事件
- 2024年Q1-Q2 - 中國大基金三期與供應鏈加速: 中國國家積體電路產業投資基金三期正式成立，註冊資本3440億人民幣。市場普遍預期其投資重點將從前期製造裝置向更上游的材料、化學品和零部件環節傾斜。這為國產去膠液及清洗裝置龍頭帶來了獲取大規模研發和擴產資金的確定性利好。
- 2024年 - AI晶片封裝需求驅動: 輝達、AMD、英特爾等對CoWoS等先進封裝產能競逐白熱化。TSMC等代工廠大幅擴充先進封裝產能，直接拉動了用於TSV/RDL的專項去膠化學品和高階清洗裝置的大量訂單，特別是對能處理大尺寸、薄晶圓的單晶圓清洗平台需求激增。
- 2024年 - 裝置出口管制與日系裝置在華策略: 日本繼2023年7月23日實施尖端半導體制造裝置出口管制後，企業如何執行中國大陸晶圓廠的“維修與售後服務”成為行業焦點。這會直接影響已裝機和未來待裝的SCREEN、TEL溼法去膠/清洗裝置的稼動率和後續擴充套件能力，為國產品牌提供了潛在的替代性服務機會。
- 2024年 - EUV技術演化: ASML釋出其新一代高數值孔徑極紫外(High-NA EUV)光刻機，2024年已向英特爾發出首套。新的光刻膠材料和更精細的圖形，對缺陷控制的指標將嚴苛到原子級，這必將觸發一輪全新的去膠液配方和清洗工藝的聯合研發競賽。
14 追蹤指標
要持續追蹤溼法去膠產業動態，可關注以下高頻資料與先行指標：
1. 產能與資本支出指標 (來源：公司Capital Returns， 財報， SEMI)
- 全球晶圓廠裝置資本支出季度變動：特別是TSMC、三星、英特爾三家合計支出的YoY(年年增率)變化，這是溼法清洗/去膠裝置需求的先導性核心指標。
- 主要代工廠月產能(千片/月等效12英寸)按工藝節點的劃分資料：關注7nm以下先進製程和成熟節點（28nm-90nm）的產能各自的擴張比例，分別對應了高階和成本驅動型兩種不同的去膠解決方案市場。
2. 關鍵公司業績與展望 (來源：季度財報電話會議)
- Entegris 的“先進材料解決方案”部門營收：該部門的季增率/年增率增長直接反映全球高階化學品的真實消耗量。
- SCREEN、TEL、Lam Research清洗裝置營收展望：裝置營收是12-18個月後化學品消耗的預演。
- 安集科技、盛美上海的季度營收與新獲訂單額：用以衡量國產替代速率和在客戶端份額的爬升。
3. 技術與政策指標
- EUV光刻膠技術路線圖釋出，及各公司配套去膠液認證公告。
- 各國環保部門針對晶片行業的新排放標準（尤其是硫酸霧、揮發性有機物、氟離子濃度），驅動無溶劑或水基去膠技術的研發投入。
- 中美日荷等國家的出口管制條例細則更新，特別是關於特定配方和零部件編碼的調整。
15 信源
- TECHCET LLC. (2024). Global Semiconductor Wet Chemicals Market Report. （全球半導體溼化學品市場年度報告）
- Gartner， Inc. (2023, Q4). Semiconductor Wafer Cleaning Equipment Market Share and Forecast. （Gartner半導體晶圓清洗裝置市場份額及預測資料庫）
- Entegris， Inc. (2024). Form 10-K， Annual Report for Fiscal Year Ended December 31, 2023. (美國證券交易委員會SEC備案的Entegris 2023年度報告)
- SCREEN Holdings Co., Ltd. (2024, May). Financial Results for FY2023 (Ended March 31, 2024). (SCREEN集團2023財年決算報告及說明會資料)
- 安集科技(688019.SH). (2024). 2023年年度報告及投資者關係活動記錄表.
- 盛美上海(688082.SH). (2024). 2023年年度報告及投資者關係活動記錄表.
- Tokyo Electron Ltd. (2024). Annual Report 2023.
- 中國電子專用裝置工業協會(CEPEA)官方網站及行業白皮書.
- 國際半導體產業協會(SEMI). (2024). World Fab Forecast report. (SEMI全球晶圓廠預測報告)
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