DRAM 工藝

閱讀時間：15 分鐘

1. 3 秒看懂

DRAM 工藝從 1z 到 1c 的核心不是“奈米數縮小”，而是 HBM 單顆已知良品 die、12-16 層堆疊和 1,024/2,048-bit I/O 同時過線的良率乘法。123

2. 3 分鐘產業解釋

1z、1a、1b、1c 是 10nm-class DRAM 的連續代際，行業通常把 1z 視為第 3 代、1a 視為第 4 代、1b 視為第 5 代、1c 視為第 6 代；這些名稱不是公開標準化的精確線寬，不能直接等同於邏輯晶片的 7nm、5nm 或 3nm。34 對 HBM 來說，DRAM 工藝決定 3 個變數：單 die 容量從 16Gb/24Gb 走向 32Gb，I/O 速度從 HBM3E 的 9.2Gb/s 以上走向 HBM4 的最高 8Gb/s 標準口徑或廠商更高速樣品，功耗/漏電決定封裝熱預算。125

HBM 良率根因是前道 DRAM 良率與後道堆疊良率的乘法，而不是單點裝置瓶頸。6 以 12-high HBM3E 為例，若每片 DRAM die 已知良率為 Yd、TSV/微凸點/混合鍵合堆疊良率為 Ys、base die 與最終測試良率為 Yp，整顆良率近似為 Yd^12 × Ys × Yp；因此單片 die 良率從 98% 降到 96%，12 層部分的理論良率會從 78.5% 降到 61.3%，差距達 17.2pct。6 SK hynix 在 2025 年 HBM4 開發中明確選擇 1bnm 與 Advanced MR-MUF 來降低量產風險，Samsung 在 2026 年 HBM4 中選擇 1c DRAM 與 4nm logic base die 來追求效能與效率，這一差異直接說明“最先進節點”與“最高量產良率”並非同一個目標函式。34

3. 15 分鐘專家深入

DRAM 縮微進入 1z/1a/1b/1c 後，電容、電阻、漏電、重新整理和圖形化視窗同時收窄；EUV 能減少部分多重圖形化步驟，但會把隨機缺陷、overlay、stochastic variation 和計量控制變成新的良率變數。78 對普通 DDR5，單 die 良率損失可以通過 binning、冗餘修復和容量組合部分吸收；對 HBM，12-high 或 16-high 的封裝把每一片 die 的尾部風險放大，因為任何 1 層 DRAM、TSV、微凸點、underfill、翹曲或熱路徑異常都會拖累整顆堆疊。69

HBM3E 階段，Micron 揭露其 8-high 24GB HBM3E 使用 1-beta 工藝、TSV 和先進封裝，單顆頻寬超過 1.2TB/s、pin speed 超過 9.2Gb/s；SK hynix 揭露 12-layer HBM3E 為 36GB，並稱 Advanced MR-MUF 對翹曲控制、堆疊壓力降低和穩定量產關鍵。16 HBM4 階段，JEDEC JESD270-4 將介面寬度提升到 2,048-bit、最高 8Gb/s、單堆最高 2TB/s，供應商需要在 12/16 層堆疊、base logic die、客戶驗證和熱設計之間重新最佳化。234

產業對映上，DRAM 工藝不是孤立主題，而是 HBM 營收、毛利率和份額的前置變數。可計算口徑為：HBM TAM × 公司份額 × 相關節點產能利用率 × 合格堆疊出貨率 × ASP = HBM營收，再以 HBM營收 × 毛利率 × 稅後獲利率 = 獲利彈性 觀察業務傳導。101112 TrendForce 2025Q1 統計 DRAM 行業營收 270.1 億美元、季減 5.5%，SK hynix 以 97.2 億美元升至第 1，Micron 以 65.8 億美元列第 3，說明 HBM3E 出貨結構已足以改變 DRAM 營收排名。10 但公司未揭露單節點 HBM 良率、單顆 ASP 或單客戶份額，因此關鍵情景必須寫成公式或標 [未核實 — 待補 A/B 源]，不能把供應鏈估算寫成事實。1112

4. 技術原理

DRAM 單元由 1 個電晶體和 1 個電容構成，縮微時 bitline/sense amplifier、wordline、接觸孔、電容深寬比和漏電控制共同決定可用 die 面積與重新整理功耗。78 1z/1a/1b/1c 的改進通常來自 EUV 層數增加、cell array 規則最佳化、periphery 電路改進和冗餘修復演算法，而不是線寬數字單獨下降。78

HBM 在 DRAM die 上增加 TSV、微凸點、再佈線、base die 和封裝熱路徑，HBM3/HBM3E 使用 1,024-bit 寬介面，HBM4 標準把介面擴至 2,048-bit 並支援最高 2TB/s 單堆頻寬。12 良率根因可以拆成 5 類：前道 cell 缺陷密度、TSV 開短路、鍵合偏移與微凸點缺陷、堆疊翹曲/underfill 空洞、最終測試下的熱與訊號完整性失效。69 因此 1b 節點若成熟度高於 1c，短期 HBM4 可能優先選擇 1b；若 1c 的功耗和容量收益超過良率爬坡損失，長期份額才會向 1c 遷移。34

5. 上游依賴 / 下游影響

上游依賴

• EUV/ArF 光刻、薄膜沉積、刻蝕、計量和缺陷檢測決定 1b/1c 節點前道視窗；ASML 2025 年報揭露 EUV 系統仍是高階邏輯和儲存縮微的核心裝置類別，任何 EUV 交付或可用率下降都會推遲 1c 爬坡。13
• TSV、微凸點、underfill、臨時鍵合、熱壓鍵合或 MR-MUF 決定 12-high/16-high 堆疊良率；SK hynix 揭露 Advanced MR-MUF 用於降低堆疊壓力和改善翹曲控制，說明封裝工藝已與前道節點同等關鍵。6
• Known-good-die 測試和 burn-in 決定 Yd^N 公式中的單 die 輸入質量；若 HBM4 從 12 層走向 16 層，單 die 良率每下降 1pct 對整顆良率的影響會比 8 層時代更大。26

下游影響

• NVIDIA H200/Blackwell/Rubin 與 AMD MI300/MI350 級 AI 加速器把 HBM 容量和頻寬寫入平台 BOM，單堆 24GB/36GB/48GB 的容量階躍會直接影響 GPU 可售配置和訓練/推論吞吐。1214
• HBM 良率不足會先表現為客戶認證節奏延後、長約出貨偏向頭部供應商、HBM ASP 高位維持；若 1b/1c 良率同步改善，2026-2027 年毛利率壓力會從封裝良率轉向價格競爭。101112

6. 技術路線對比表

路線	速率	功耗/效率口徑	距離或維度	標準成熟度	量產機率 2026	反證指標
1z DRAM + HBM2E/早期 HBM3	HBM2E 約 3.6Gb/s、HBM3 標準最高 6.4Gb/s	成熟節點，功耗效率低於 HBM3E/HBM4	8-12 層、1,024-bit	JEDEC HBM2E/HBM3 成熟	10%	AI 新平台繼續採購 1z HBM 超過存量替換需求
1a DRAM + HBM3	最高 6.4Gb/s	良率較成熟，容量/功耗弱於 1b	8-12 層、1,024-bit	JEDEC HBM3 成熟	25%	HBM3E 價格跌破 HBM3 後仍未替代
1b/1-beta DRAM + HBM3E	Micron 揭露 > 9.2Gb/s、>1.2TB/s/堆	以 24Gb die 支援 24GB/36GB	8-high/12-high、1,024-bit	HBM3E 多廠量產	85%	12-high 客戶認證失敗或 36GB 良率低於 8-high 基線超過 2 季度
1b DRAM + HBM4	JEDEC 最高 8Gb/s、廠商可做更高樣品	以成熟節點降低 12/16 層量產風險	12-high/16-high、2,048-bit	JESD270-4 已釋出，客戶驗證中	70%	1c HBM4 在 2026 年良率和功耗同時領先且大客戶轉單
1c DRAM + HBM4	JEDEC 最高 8Gb/s，廠商目標高於標準	容量/功耗潛力更高，初期良率風險更大	12-high/16-high、2,048-bit	標準成熟，量產成熟度爬坡	45%	1c 缺陷密度或熱失效導致客戶認證連續延後
1c/後 1c + HBM4E/Custom HBM	待揭露	需同步解決 32Gb die、base die 與熱路徑	16-high、最高 64GB/堆情景	標準與客戶規格演進中	25%	2027 年主流 GPU 繼續採用 HBM4 而非 HBM4E/custom

7. 關鍵指標

• HBM 單 die 良率：以 Yd^8/Yd^12/Yd^16 追蹤堆疊放大效應，單 die 良率若低於 96% 且 12-high 需求上升，整顆良率會顯著承壓；公司不揭露時標 [未核實 — 待補 A/B 源]。6
• 12-high/16-high 出貨佔比：SK hynix 已在 2024 年揭露 12-layer HBM3E 量產，2026 年需追蹤 16-high HBM4 是否進入客戶平台。615
• 1b vs 1c 節點選擇：SK hynix HBM4 採用 1bnm 降低量產風險，Samsung HBM4 採用 1c DRAM 與 4nm logic base die；若客戶認證偏向 1b，說明良率優先順序高於節點領先。34
• HBM4 標準引數：JEDEC JESD270-4 的 2,048-bit、最高 8Gb/s、最高 2TB/s 是 2026 年 HBM4 規格底線；廠商樣品超過標準不等同於量產良率。2
• DRAM 行業營收份額：TrendForce 2025Q1 統計 SK hynix 97.2 億美元、Micron 65.8 億美元，HBM3E 出貨比重是解釋份額變化的關鍵變數。10
• 毛利率與現金流量：SK hynix 2025 年經營獲利率 49%、淨利率 44% [SKH]，Micron FY2025 GAAP 毛利率約 39.8%，若 HBM 良率改善但毛利率下行，說明 ASP 競爭開始主導。1112

8. 可算傳導表

8.1 市場閉環模型

驅動變數	SK hynix	Micron	Samsung Electronics	來源/公式
HBM TAM	HBM行業營收池，2025/2026 需 TrendForce/Yole/公司口徑補全	同左	同左	[未核實 — 待補 A/B 源]，只可用付費行業研究或公司揭露
HBM 出貨	晶圓產能 × 良品die/wafer × Yd^N × Ys × Yp	同左	同左	推算；N=8/12/16
ASP	HBM3E/HBM4 單價未揭露	HBM3E/HBM4 單價未揭露	HBM3E/HBM4 單價未揭露	[未核實 — 待補 A/B 源]
份額	2025Q1 DRAM 營收 97.2 億美元可作 DRAM 規模代理，HBM 份額待補	2025Q1 DRAM 營收 65.8 億美元可作 DRAM 規模代理，HBM 份額待補	2025Q1 DRAM 營收口徑待 TrendForce 原表補全	10
營收	HBM出貨 × ASP × 份額	HBM出貨 × ASP × 份額	HBM出貨 × ASP × 份額	推算
毛利	HBM營收 × HBM毛利率；若未揭露，用公司毛利率做下限代理	HBM營收 × HBM毛利率；FY2025 GAAP 毛利 148.73 億美元/營收 373.78 億美元 = 39.8% 代理	HBM營收 × HBM毛利率；Memory 毛利率待年報分項補	111216
市場倍數	2026-05-28 KRX close 未鎖定 hard value，不使用 2026-05-13 舊 C 級 PE [SKH]	2026-05-27 16:00 EDT TTM PE 43.67x，美元，price/EPS	2026-05-27 KST TTM PE 23.99x，韓元，price/EPS	171819
獲利彈性	HBM淨利 × 情景倍數，需扣除非 HBM 業務	HBM淨利 × 43.67x，需扣除 NAND/SSD	HBM淨利 × 23.99x，需扣除非 Memory/非 HBM	推算

8.2 節點良率敏感性

情景	單 die 良率 Yd	8-high 理論項 Yd^8	12-high 理論項 Yd^12	16-high 理論項 Yd^16	產業含義
樂觀	99%	92.3%	88.6%	85.1%	16-high HBM4 良率壓力可控，ASP 更快回落
中性	98%	85.1%	78.5%	72.4%	12-high 仍可放量，16-high 需要強測試與修復
壓力	96%	72.1%	61.3%	52.0%	16-high 出貨受限，頭部成熟節點供應商獲得溢價

9. 同業硬指標對比表

公司	營收	增速	GM	淨利	FCF margin	客戶集中度	技術代際	PE TTM	反證條件
SK hynix	2025 營收 97.1467 萬億韓元 [SKH]	2025 營收創歷史新高	經營獲利率 49% [SKH]	淨利 42.9479 萬億韓元、淨利率 44% [SKH]	字典不以二級估算填數 [SKH]	HBM 客戶集中度未揭露	HBM4 採用 1bnm + Advanced MR-MUF	2026-05-28 KRX close 未鎖定 hard value [SKH]	1bnm HBM4 客戶認證晚於 1c 競品 2 個季度
Samsung Electronics	2025Q4 集團營收 93.8 萬億韓元	2025Q4 DS 季增率營收 +33%	Memory 獲利率待年報分項	2025 全年經營獲利約 43.6 萬億韓元	待年報現金流量複核	HBM 客戶集中度未揭露	HBM4 採用 1c DRAM + 4nm logic base die	2026-05-27 TTM 23.99x，C 級	1c HBM4 良率不達標導致 2026 年 HBM 營收未能年增率 3 倍增長
Micron	FY2025 營收 373.78 億美元	FY2025 營收約 +48.5%	GAAP GM 39.8%	GAAP 淨利待 10-K 表格複核	FCF margin 待現金流量表複核	HBM 客戶集中度未揭露	HBM3E 使用 1-beta，HBM4 繼續推進	2026-05-27 TTM 43.67x，C 級	FY2026 HBM 產能售罄後仍未帶動毛利率上行
Nanya Technology	TTM 營收 1,084.9 億新臺幣，C 級行情	TTM +241.0%，C 級行情	待年報 A 源補	TTM 淨利 346.1 億新臺幣，C 級行情	待年報 A 源補	非 HBM 供應商	20nm/1x 以後通用 DRAM，HBM 暫無主流份額	2026-05-27 TTM 27.91x，C 級	通用 DRAM 緊缺不能傳導到 HBM 份額
Winbond	TTM 營收 1,076.7 億新臺幣，C 級行情	TTM +32.1%，C 級行情	待年報 A 源補	TTM 淨利 151.7 億新臺幣，C 級行情	待年報 A 源補	利基 DRAM/Flash 客戶分散	Specialty DRAM，非 HBM 主鏈	2026-05-22 TTM 38.25x，C 級	AI HBM 缺貨未帶動 specialty DRAM 價格

10. 產業變數 + 業績傳導

DRAM 工藝的產業變數是“成熟節點良率先兌現，先進節點效能後重估”。2025-2026 年，1b/1-beta 仍是 HBM3E 和部分 HBM4 的低風險量產底座；1c 若在 2026 年通過頭部 GPU 客戶認證，則 Samsung 的份額與毛利率彈性會高於只看 2025 年營收排名的線性模型。3410 反證閾值是 12-high/16-high 出貨放量但公司綜合毛利率低於上一代，說明節點收益被 ASP 或封裝損耗抵消。1112

1b/1c DRAM 良率 × TSV/堆疊良率
        ↓
8/12/16-high HBM 合格出貨
        ↓
HBM 出貨 × ASP × 客戶認證份額
        ↓
SK hynix / Micron / Samsung HBM 營收
        ↓
營收 × 毛利率 × 稅率
        ↓
營收 × 毛利率 × 稅率 = HBM 獲利彈性

11. 常見誤讀糾偏

誤讀 1：1c 一定比 1b 更適合 HBM4。

實際情況：Samsung HBM4 選擇 1c DRAM 與 4nm logic base die，目標是效能和能效領先；SK hynix HBM4 選擇已驗證的 1bnm 與 Advanced MR-MUF，目標是降低量產風險。34 對 12/16 層 HBM，若 1c 單 die 良率低 2pct，Yd^12 的理論差距會被放大到 17.2pct，因此節點領先必須經過客戶認證和量產良率驗證。6

證據：SK hynix 2025 年 HBM4 新聞稿明確寫入 1bnm 與 Advanced MR-MUF；Samsung 2026 年 HBM4 新聞稿明確寫入 1c DRAM 與 4nm logic process。34

誤讀 2：HBM 良率主要由封裝廠決定。

實際情況：封裝決定 TSV、鍵合、underfill 和翹曲，但 12-high HBM 的前道單 die 良率以 Yd^12 進入整顆良率，前道 DRAM 缺陷密度和後道堆疊良率同樣關鍵。69 若只看 CoWoS 或封裝產能，會漏掉 DRAM cell、TSV 和 burn-in 的早期報廢。

證據：Micron 揭露 HBM3E 使用 1-beta、TSV 和先進封裝共同實現 24GB/36GB 與 > 1.2TB/s；SK hynix 揭露 MR-MUF 對穩定量產關鍵，說明前後道共同決定合格出貨。16

誤讀 3：HBM4 的 2,048-bit 介面自動意味著營收翻倍。

實際情況：JEDEC HBM4 將介面寬度從 HBM3/HBM3E 的 1,024-bit 提升至 2,048-bit、單堆最高 2TB/s，但營收仍由客戶平台採用、良率、ASP 和供應份額決定。2 如果 2,048-bit 帶來 base die、封裝和測試複雜度上升，短期毛利率可能先承壓。

證據：JESD270-4 是標準引數，不是量產合格率；公司財報也未揭露 HBM4 單顆 ASP 或良率。21112

12. 最新事件

• [已發生] 2024-02-26：Micron 宣佈 8-high 24GB HBM3E 量產，揭露 1-beta 工藝、>9.2Gb/s pin speed 和 > 1.2TB/s 頻寬。1
• [已發生] 2024-09-26：SK hynix 宣佈 12-layer 36GB HBM3E 量產，揭露 Advanced MR-MUF 對翹曲控制和穩定量產關鍵。6
• [行業預測] 2025-06-03：TrendForce 統計 2025Q1 DRAM 行業營收 270.1 億美元、季減 5.5%，SK hynix 以 97.2 億美元升至第 1，HBM3E 出貨結構成為主要解釋變數。10
• [已發生] 2025-09-12：SK hynix 宣佈 HBM4 開發完成並建立量產體系，採用 1bnm 與 Advanced MR-MUF 降低量產風險。3
• [已發生] 2026-02-12：Samsung 宣佈 HBM4 商業出貨，採用 1c DRAM 與 4nm logic process，並展望 2026 年 HBM 銷售額較 2025 年超過 3 倍。4

13. 來源 footnotes

1 Micron Commences Volume Production of Industry-Leading HBM3E Solution to Accelerate the Growth of AI — Micron Technology — 2024-02-26 — https://micron.gcs-web.com/news-releases/news-release-details/micron-commences-volume-production-industry-leading-hbm3e (B)

2 JEDEC Finalizes HBM4 Standard with Major Bandwidth and Efficiency Upgrades / JESD270-4 coverage — JEDEC / TrendForce — 2025-04-21 — https://www.trendforce.com/news/2025/04/21/news-jedec-finalizes-hbm4-standard-potentially-easing-pressure-on-hybrid-bonding-adoption/ (A)

3 SK hynix Completes World’s First HBM4 Development and Readies Mass Production — SK hynix — 2025-09-12 — https://news.skhynix.com/sk-hynix-completes-worlds-first-hbm4-development-and-readies-mass-production/ (B)

4 Samsung Ships Industry-First Commercial HBM4 With Ultimate Performance for AI Computing — Samsung Semiconductor — 2026-02-12 — https://news.samsungsemiconductor.com/global/samsung-ships-industry-first-commercial-hbm4-with-ultimate-performance-for-ai-computing/ (B)

5 HBM3E Product Page — Micron Technology — 2026 accessed — https://www.micron.com/products/memory/hbm/hbm3e (B)

6 SK hynix Begins Volume Production of the World’s First 12-Layer HBM3E — SK hynix — 2024-09-26 — https://news.skhynix.com/sk-hynix-begins-volume-production-of-the-world-first-12-layer-hbm3e/ (B)

7 DRAM Memory Technology Overview — TechInsights — 2026 accessed — https://www.techinsights.com/technical-capabilities/overview/devices-analyzed/dram-memory (A)

8 Technology and Cost Trends at Advanced Nodes — IC Knowledge / TechInsights material — 2020 — https://semiwiki.com/wp-content/uploads/2020/03/Lithovision-2020.pdf (A)

9 High Bandwidth Memory technology overview — JEDEC — 2025 accessed — https://www.jedec.org/category/technology-focus-area/high-bandwidth-memory-hbm (A)

10 DRAM Revenue Drops 5.5% in the First Quarter of 2025; SK hynix Overtakes Samsung for Top Spot — TrendForce — 2025-06-03 — https://www.trendforce.com/presscenter/news/20250603-12603.html (A)

11 SK hynix Posts Record Annual Financial Results in 2025 — SK hynix — 2026-01-28 — https://news.skhynix.com/sk-hynix-announces-fy25-financial-results/ (B)

12 Micron Technology Reports Results for the Fourth Quarter and Full Year of Fiscal 2025 — Micron Technology — 2025-09-23 — https://micron.gcs-web.com/news-releases/news-release-details/micron-technology-inc-reports-results-fourth-quarter-and-full-8 (B)

13 ASML Annual Report 2025 — ASML — 2026 — https://www.asml.com/en/investors/annual-report (A)

14 AMD Instinct MI300 Series / HBM platform disclosures — AMD — 2024-2025 — https://www.amd.com/en/products/accelerators/instinct/mi300.html (B)

15 SK hynix Shows 16-Hi HBM4 Memory for AI Accelerators — Tom’s Hardware, based on SK hynix demo — 2026-01 — https://www.tomshardware.com/tech-industry/sk-hynix-shows-16-hi-hbm4-memory-for-ai-accelerators-48-gb-at-10-gt-s-over-a-2-048-interface (C)

16 Samsung Electronics Announces Fourth Quarter and FY 2025 Results — Samsung Semiconductor — 2026-01-29 — https://news.samsungsemiconductor.com/global/samsung-electronics-announces-fourth-quarter-and-fy-2025-results/ (B)

17 SK hynix P/E Ratio TTM — Atlantis Data Solutions — 2026-05-13 — https://atlantisdatasolutions.com/south_korea/000660/pe-ratio (C)

18 Micron Technology Financial Ratios — StockAnalysis — 2026-05-27 — https://stockanalysis.com/stocks/mu/financials/ratios/ (C)

19 Samsung Electronics Statistics & Valuation Metrics — StockAnalysis — 2026-05-27 — https://stockanalysis.com/quote/krx/005930/statistics/ (C)

20 Nanya Technology Financial Ratios — StockAnalysis — 2026-05-27 — https://stockanalysis.com/quote/tpe/2408/financials/ratios/ (C)

21 Winbond Electronics Statistics & Valuation Metrics — StockAnalysis — 2026-05-22 — https://stockanalysis.com/quote/tpe/2344/statistics/ (C)

22 Micron Form 10-K FY2025 — Micron / SEC — 2025 — https://www.sec.gov/ixviewer/doc/action?doc=/Archives/edgar/data/723125/000072312525000038/mu-20251125.htm (A)

23 HBM Industry Analysis 4Q25 Preview — TrendForce — 2025-10 — https://www.trendforce.com/research/download/RP251029MY (A)

24 Samsung Electronics Annual Report 2025 — Samsung Electronics — 2026 — https://www.samsung.com/global/ir/reports-disclosures/annual-reports/ (A)