KrF 光刻

1. 3 秒看懂

KrF 光刻是使用 248nm 波長氟化氪準分子雷射 的深紫外（DUV）光刻技術。在半導體制造中定位為“成熟製程主力產線節點”，主要承載 0.25µm 至 90nm（部分實驗室/特殊工藝推進至 80nm 區間）技術節點的批次製造。2023 年全球約 70% 以上的晶圓產能以成熟製程（28nm 及以上節點）為主（資料來源：SEMI，2024 年 World Fab Forecast 的存量產能口徑），其中 KrF 機臺構成了 200mm 和成熟 300mm 產線光刻能力的最大保有量。

一句話定位：KrF 不是追逐摩爾定律極致的手段，而是半導體制造的“產能底盤”。

2. 3 分鐘產業解釋

KrF 光刻在 DUV 譜系中介於 i-line（365nm） 與 ArF（193nm） 之間，是迄今商業壽命最長、裝機保有量最大的 DUV 技術代際之一。雖然邏輯晶片的先進製程早已遷移到 ArF 浸潤式乃至 EUV，但 KrF 高度適配三類關鍵需求：

成熟邏輯與模擬晶片：電源管理 IC（PMIC）、顯示驅動 IC（DDI）、MCU、感測器、射頻前端等，對單位成本敏感，製程節點以 90nm–0.18µm 為主。
儲存器之特定層：NAND 快閃記憶體和 DRAM 的部分非關鍵層仍廣泛使用 KrF，以在解析度和單層成本間取得平衡。
先進封裝與新興應用：在矽轉接板、重佈線層（RDL）、微凸塊等先進封裝工藝流程中，KrF 是主流的光刻方案之一。此外，化合物半導體（GaN/SiC）的部分工藝也使用 KrF。

從產能規模看，全球 200mm 晶圓廠產能利用率在 2023 年四季度約 55%–65%（資料來源：SEMI 及各大代工廠季報揭露）；300mm 成熟製程節點同樣承壓。但即使在這種環境下，KrF 機臺仍構成產線“基本盤”，尤其在功率半導體和汽車晶片等增量領域。

關鍵理解：KrF 光刻是產業運轉的“基礎設施級”技術——它不為前沿效能服務，但為產品覆蓋和供應鏈安全託底。

3. 技術原理

KrF 光刻的本質是以 248nm 深紫外光子 為資訊載體，將掩膜版上的二維電路圖形高保真地轉移至塗有化學放大光刻膠的晶圓表面。

3.1 光源：KrF 準分子雷射器

工作氣體為氪（Kr）與氟（F₂）的混合氣，在高壓電場激勵下產生準分子激發態 KrF* → Kr + F + hν（248nm）。準分子雷射的天然優勢是脈衝能量高、頻頻寬較窄，利於透過投影物鏡材料（熔融石英、氟化鈣等）進行高效能量耦合。目前已商用的 KrF 雷射器功率範圍約 60W–120W，重複頻率 4–6 kHz，可滿足 200–300mm 晶圓的典型產能要求。主要供應商包括 Cymer（ASML 子公司）、Gigaphoton（已歸入 ASML）等。2023 年前後，公開資料顯示 KrF 光源國產化正由中國科學院光電研究院、北京科益虹源等機構推進，但國內晶圓廠產線中進口光源裝機存量佔比仍然較高，批次替代時間線暫未見公開揭露。

3.2 光刻膠化學放大機制

KrF 系統普遍使用 化學放大膠（chemically amplified resist, CAR）。其核心是光酸產生劑（PAG）與酸催化脫保護反應：

曝光時，PAG 吸營收射光子產生微量強酸（通常是光酸 H⁺ 的某種離子形式）。
曝光後烘烤（PEB）過程中，酸催化分子鏈上的酸不穩定性基團脫除，使曝光區域在鹼性顯影液中的溶解度發生 10²–10³ 量級的變化。
經 TMAH 溶液顯影，形成高對比度、高解析度的圖形。

這個“光-化學”放大機制，使 KrF 光刻兼具高感光度和較好的分辨力，是全球 0.25µm–90nm 技術節點的核心使能工藝。本段描述綜合自 SPIE 公開的工藝教材與東京應化、JSR 等公開技術白皮書（2020–2023 年版）。

3.3 光學系統與解析度公式

KrF 光刻機採用 折射式縮小投影光學系統，常用縮小倍率 4× 或 5×，光學材料以高純熔融石英為主。解析度由瑞利公式控制：

R = k₁ × λ / NA

其中 λ = 248nm，NA（數值孔徑）在典型 KrF 掃描式光刻機中約 0.60–0.68（乾式系統）。k₁ 為工藝因子，在 KrF 時代從約 0.8（0.25µm 節點）一路被壓至 0.35–0.45 區間（90nm 附近），依賴離軸照明（OAI）、相移掩膜（PSM）、光學鄰近效應修正（OPC）等技術。

值得一提的是，在量產環境下，KrF 光刻的實用解析度極限大致在 90nm 密度線寬附近。再向下推進，則需要移動至 ArF 乾式乃至 ArF 浸潤式平台，或者藉助特殊的雙重/多重圖形化技術。但雙重圖形化引入的成本和套刻精度誤差，使得 KrF 在純經濟性上已不再適合 65nm 以下的邏輯關鍵層。

4. 關鍵引數

評估 KrF 光刻能力時，工程實踐所關注的核心引數與 ArF/EUV 一脈相承，但側重點略有不同，穩定性和綜合成本權重更高。

4.1 核心機臺效能引數（典型商用 KrF 掃描光刻機，2020–2024 年新型號參考）

波長：248nm
數值孔徑（NA）：乾式系統 0.60–0.68（公開資料顯示 ASML PAS 5500/850 系列、尼康 NSR 系列等均落在此區間）
解析度極限：≤90nm（密集線，k₁ 逼近工藝極限時）
套刻精度（Overlay）：單機套刻精度約 8–15nm（均值 + 3σ），取決於機型代數與工藝控制水平，具體資料以使用者與裝置商約定的 buy-off 規格為準
產率（Throughput）：300mm 晶圓下 200–300+ wph（晶圓每小時）；200mm 晶圓下更高。產能數字按具體機型、曝光劑量（dose）和晶圓版面配置而異，典型範圍已由 ASML、尼康、佳能在 2022–2023 年度產品手冊中揭露
焦深（DOF）：250–400nm 量級（與 NA、照明模式強相關），是影響產率裕度的關鍵指標

4.2 工藝與材料關鍵引數

KrF 光刻膠：靈敏度 10–35 mJ/cm²，對比度 γ > 3–5（取決於配方與厚度）
抗蝕膜厚度：通常 200–500nm，先進封裝用厚膠可達數微米
掩膜版：以 4× 或 5× 縮小石英版為主，關鍵尺寸（CD）均勻性、位置精度控制在奈米量級，OPC 和 PSM 已大量引入

4.3 壽命與綜合成本

光源元件壽命：雷射腔體壽命約 2–3 年（以連續執行小時數計），氣體更換和光學元件清潔/替換是產線常規運維項，維護成本與年度服務合同費用屬於各廠商未公開單獨揭露的商業細節
單層成本：KrF 工藝單次光刻的總體成本僅為 ArF 浸潤式的 1/3–1/2 左右（來源：IC Knowledge 2022–2023 工藝成本模型估算；此類估算視光刻膠、掩膜版攤銷、機臺稼動率等不同假設差異較大，不宜簡單引用為精確值）

5. 技術路線

KrF 光刻的技術演進已從“解析度競賽”轉入“成本最佳化與特殊應用拓展”。

5.1 演進脈絡（1990s–2024）

1990 年代：KrF 首次進入量產，用於 0.35µm、0.25µm 節點，逐步替代 i-line。
2000 年代：伴隨 OPC、PSM、OAI 等解析度增強技術，把 KrF 推入 130nm、90nm 節點關鍵層的量產。
2010 年代：邏輯晶片的前端關鍵層全面切換至 ArF 和 ArF 浸潤式，KrF 退至非關鍵層和成熟平台主節點。但在 8 英寸產能建設和模擬/功率/汽車電子晶片市場中，KrF 成為絕對的主力光刻手段。
2020s 至今：技術路線呈現三條分化：
- 存量最佳化：在代工廠現有 KrF 產線上，通過升級照明系統、最佳化膠與掩膜版，實現 CD 均勻性和缺陷密度的進一步改善。
- 先進封裝路線：為支援 Chiplet、CoWoS 等需求，KrF 光刻被用於大視場、高景深場景，厚膠工藝和低應力工藝成為研發重點。
- 化合物半導體和新材料路線：在 GaN/SiC 功率器件等方向，KrF 光刻工藝需匹配透明襯底或高反射金屬層，適配性開發正進行中。公開資料尚未見統一的標準化方案。

5.2 是否會被淘汰？

產業共識是：KrF 不會被“系統性替代”，因為其在 200mm 和成熟 300mm 工藝上的裝置存量、工藝知識沉澱和單位成本優勢難以被 ArF 浸沒式直接取代。淘汰風險更多是針對某些特定低效機型或維護難以為繼的舊型裝置，而非整個技術代際。

6. 上游

KrF 光刻的供應鏈是典型的高集中度、長認證週期、強繫結結構。

6.1 光刻機整機

ASML：佔據 KrF 掃描光刻機主要市場份額，主力產品包括 PAS 5500 系列及較新的 XT 系列相關型號。公開市場資料（含 The Information Network、SemiAnalysis 等機構 2022–2023 年估計）顯示 ASML 在 KrF 乾式光刻機市場的營收份額或在 70% 以上（按金額口徑；不同機構取值差異較大，請以當期報告為準）。
尼康：KrF 掃描光刻機線覆蓋中低端與特色工藝市場，如 NSR-2205/225 系列等。在部分亞洲代工和 IDM 客戶中保有一定裝機量。
佳能：以 i-line 和 KrF 系統為主，服務於 200mm 和部分小批次特色產線。
上海微電子裝備（SMEE）：其 SSX600 系列 KrF 光刻機已應用於 90nm 平台。2023 年公開資訊顯示其國內客戶主要是部分特色工藝線，但批次裝機規模與國際三強差距仍大。

6.2 光源

Cymer（ASML 子公司） 和 Gigaphoton 是目前全球 KrF 光刻機光源的主要提供者。國內科益虹源等正推進氟化氪光源的工程化驗證，2024 年上半年前未見大規模商用量產資料公佈。

6.3 光學系統

高品質 KrF 投影物鏡多由 蔡司（Zeiss） 供應 ASML 機型，日本廠商亦有自研或本地供應鏈。公開資料中對國產 KrF 光學系統在高階線應用的批產情況未見揭露。

6.4 關鍵材料

KrF 光刻膠：東京應化工業（TOK）、JSR、住友化學等日系四家合計市場佔比較高，美國杜邦、富士膠片（部分併入材料板塊）亦參與競爭。中國廠商如北京科華、徐州博康、上海新陽等已陸續獲得客戶認證和小批次採購。2022–2023 年多家券商研究報告（如中金、華泰、方正等）估算國產品牌的 KrF 光刻膠國內晶圓廠採購份額在 5%–15% 量級，但上述估計口徑差異較大，精確值公開資料未見統一來源。
高純化學試劑與樹脂：KrF 光刻膠的感光樹脂和光酸產生劑的合成仍高度依賴日系精細化工企業，國產替代在原料級別的推進進度相對緩慢，暫無權威行業報告給出批次同質替換的時間表。
掩膜版：成熟製程掩膜版製造相對成熟，供應商包括日本 DNP、Toppan、美國 Photronics、中國清溢光電、路維光電等，產能可滿足 KrF 光刻需求，但高等級 PSM 版（特別是先進節點的 KrF 相移版）對製程能力要求較高，集中在頭部廠商。

7. 下游

下游應用的本質特徵是“大規模碎片化”——單項應用的單一客戶需求量不一定極大，但總和構成 KrF 光刻長期存在的底層邏輯。

消費電子與物聯網（IoT）：PMIC、DDI、Wi-Fi/藍牙射頻晶片、模擬開關、MEMS 感測器等，多使用 90nm–0.18µm 工藝。雖然消費電子中低端晶片的供需波動較大，但 KrF 機臺是保證這類產品價格競爭力的生產支柱。
汽車電子：MCU、車載電源管理、車載感測器（如環境光、壓力、慣性）等，多數停留在 130nm–0.18µm 成熟節點，原因在於車規認證週期長、工藝變更成本高。2023 年汽車半導體的成熟製程產值佔比仍超過 80%（資料來源：Infineon、NXP、TI 等公司投資者日介紹綜合定性，具體數字請以各廠商年度報告為準）。
工業與能源：功率分立器件、電源轉換晶片（AC-DC/DC-DC）以及部分 SiC/GaN 功率器件的製造，200mm 產線使用 KrF 的情形非常普遍。相關需求隨新能源、儲能和工業自動化穩定上升。
先進封裝：倒裝晶片（FC）、晶圓級封裝（WLP）、扇出型封裝（Fan-out）的重佈線層（RDL）和微凸塊多使用 2µm 至 5/5µm 以下線寬/間距的厚膠 KrF 工藝。ASML、尼康等均有針對先進封裝的特定 KrF 機型配置。

8. 受益公司

這裡的“受益”僅指在 KrF 光刻產業鏈中具有業務敞口的公司列表，不代表任何財務展望或價值判斷。

8.1 裝置與系統

ASML：KrF 光刻機市場份額領先，技術服務和翻新業務亦貢獻穩定營收。
尼康：在工業與特色市場保留 KrF 產品線，2023 財年精機業務中 DUV 相關營收佔比仍有一定份額。
佳能：KrF 及 i-line 裝置服務成熟製程市場。
SMEE（上海微電子裝備，非上市公司）：KrF 光刻機國產化核心主體，受益於國內成熟製程擴產。

8.2 光刻膠與輔助材料

東京應化工業（TOK）：KrF 光刻膠全球頭部企業之一，產品覆蓋邏輯、儲存和先進封裝。
JSR：2023 年被 JIC（產業革新投資機構）收購後保持獨立運營，KrF 光刻膠是其支柱產品線之一。
住友化學：KrF 光刻膠業務涵蓋邏輯與 NAND/DRAM 應用。
北京科華、徐州博康、上海新陽（A 股）：國內 KrF 光刻膠破局的代表，多家晶圓廠已實現驗證與採購，但營收體量與日系頭部企業仍有數量級差距（2023 年公開資料顯示徐州博康光刻膠業務營收估計在 1–2 億元人民幣量級，來源：華泰證券 2023 年產業鏈調研，不保證精確性）。

8.3 晶圓製造

台積電（TSMC）：KrF 光刻機在其 200mm/300mm 成熟製程工廠和先進封裝廠（如 CoWoS 相關站點）中大量使用。
聯電（UMC）：以成熟製程代工為主，KrF 裝置是基礎產能。
中芯國際（SMIC）：國內最大的成熟製程代工平台，持續擴產中對 KrF 裝置有持續需求。
華虹半導體：特色工藝（功率、模擬）代工主力，其 200mm 產線中 KrF 是核心光刻節點。

9. 市場規模

關於 KrF 光刻直接相關的市場規模，需要注意多數研究並不單獨剝離“KrF 光刻”這一個門類，而是將其納入 DUV 或成熟製程光刻市場一併統計。

全球半導體裝置市場：據 SEMI 資料，2023 年全球半導體裝置銷售額約 1009 億美元（口徑：前端+後端+測試，2023 年 12 月公佈），光刻裝置通常是前道裝置中比例最大的單類，佔比約 20%–25%（SEMI 的 WWSEMS 報告口井，各年略有波動）。其中 DUV 光刻貢獻主要營收；但 KrF 單類的佔比無公開機構精確拆分。
成熟製程產能規模：SEMI World Fab Forecast（2024Q1 更新）估計全球 200mm 晶圓產能 2024–2027 年將保持溫和增長，月產能可能從 2023 年的約 660 萬片（200mm 等效）逐步提升至 2026 年 700 萬片以上。300mm 成熟節點額外貢獻更大產能體積。KrF 光刻機幾乎覆蓋所有 200mm 產線的光刻步驟和大部分 300mm 成熟產線非關鍵層，對應產業鏈服務市場（裝置、材料、備件、服務）年規模或在 數十億美元（基於 2023 年各公司年報拆分推斷，精確值未見權威單一來源）。
KrF 光刻膠市場：公開市場研究如富士經濟、TECHCET 在 2023 年將全球 KrF 光刻膠市場估計在 6–12 億美元區間（不同口徑差異較大，僅作量級參考），未來 CAGR 預計在中個位數，主要驅動來自中國成熟產能擴張和先進封裝需求。

10. 玩家對比

以下聚焦 KrF 光刻機與光刻膠的核心玩家，從產品覆蓋、客戶結構和關鍵優劣勢角度比較。

10.1 KrF 光刻機

維度	ASML	尼康	佳能	SMEE
主力機型	PAS 5500 系統、XT 系列等	NSR-2205/225 等	FPA-3000/6000 系列等	SSX600 系列
技術路線	乾式掃描，高 NA/高產出	乾式掃描，結合特定應用最佳化	i-line/KrF 兼顧，面向中小批次	乾式掃描，面向 90nm
主要客戶	全球頭部代工及儲存器廠	日本及部分亞洲代工	模擬/功率/特色工藝客戶	國內特色工藝和 IDM
公開說法優勢	生態完整，套刻與產率穩定	成本和服務便利性	小型化和靈活性	國產化與本地支援
公開說法短板	價格較高，舊型存量維護成本抬升	先進節點市場聲量較低	不具備 ArF 浸潤式產品線；KrF 領域份額較小	批次裝機及海外服務網路弱於國際三強
注：上述比較基於廠商公開產品手冊及年報資訊，不構成任何產品推薦。

10.2 KrF 光刻膠

維度	TOK	JSR	國內廠商（科華/博康等）
產品線	邏輯+儲存+封裝全系列	邏輯+儲存為主	邏輯與成熟製程，少數涉及先進封裝
客戶粘性	極高，與 ASML 及頂級代工廠深度協同	同樣高，但 2023 年 JIC 收購後市場關注長期策略	國內客戶驗證推進中，部分晶圓廠已形成採購
技術來源	自研/長期積累	自研/合作	自主研發為主，高階樹脂等仍部分外購
主要差距	——	——	高階產品穩定性和批次一致性提升中，全流程自主化比例待提高

11. 風險

11.1 成熟製程產能過剩風險

中國及全球在 2020–2023 年間集中啟動了大量 200mm/300mm 成熟產能建設。SEMI（2024 年 1 月報告）指出如果所有宣佈計劃按期投產，到 2026 年實際產能可能超出市場短期需求，導致成熟製程代工價格承壓。KrF 機臺作為主力生產工具，其稼動率和折舊回收可能受影響。

11.2 裝置斷供與維護風險

雖然 KrF 光刻機並非尖端出口管制的直接焦點，但國際地緣政治環境變化可能影響關鍵零元件、軟體升級和技術服務的可獲得性。對於高度依賴進口裝置的產線，需要面對備件庫存壓力和服務中斷的可能。

11.3 材料供應鏈集中風險

KrF 光刻膠及高純原料供應高度集中於少數日系企業。自然災害、物流中斷或政策性出口限制都可能造成材料短缺，而認證替代供應商所需的週期通常在 12–24 個月甚至更長。

11.4 技術替代與價值稀釋風險

雖然 KrF 本身不會被輕易淘汰，但如果未來某種工藝進步大幅降低 ArF 乾式光刻成本，或出現繞開當前光刻工藝的新路線，KrF 在部分層的應用價值可能收窄。

11.5 環保與運營合規風險

KrF 光刻過程使用的光刻膠、顯影液和剝離液含有機溶劑和氟化物，其管控標準在全球主要半導體產地（中國大陸、中國臺灣、韓國、美國、歐盟）持續收緊。合規成本逐年上升，工藝變更和新材料匯入可能提高產線運營負擔。

12. 誤讀糾偏

誤讀一：“KrF 光刻是老技術，馬上會被淘汰” 糾偏：KrF 光刻的商業壽命已經超過 25 年，且在成熟製程、功率器件和先進封裝中用量仍在增長。在 2024 年的產業格局中，它不是被“替代”的物件，而是繼續作為產能底盤發揮作用。
誤讀二：“國產 KrF 光刻機已經能完全替代進口” 糾偏：上海微電子已具備 KrF 光刻機的產業化能力，但從量產規模、套刻精度長期穩定性、產能與產出良率的綜合表現看，與 ASML 等老牌廠商仍存在差距，現階段更接近“可用”而非“在多場景下達到國際主流的高水平匹配”。全面替代所需的不僅是整機，還包括光源、光學系統和服務生態。
誤讀三：“中國晶圓廠大量買 KrF 機臺就是重複建設” 糾偏：2020–2023 年國內成熟製程產能擴張，一定程度上存在結構性問題（如部分消費類產能短期過剩），但功率半導體、汽車電子和工業晶片的供給缺口並未完全消除。評價需區分“結構性過剩”和“戰略冗餘建設”，目前公開資料無法支援“全部是浪費”的結論。
誤讀四：“只要有了光刻機，就能生產晶片” 糾偏：KrF 光刻能力不僅取決於機臺，還包括光刻膠配方、掩膜版 OPC 處理能力、工藝整合和良率管理。裝置與材料、工藝的“鐵三角”缺一不可。

13. 最新事件

2024 年 ASML 對成熟製程的策略調整：ASML 在 2024 年 4 月投資者日材料中指出，成熟製程光刻機需求雖因終端波動而短期回撥，但來自中國和汽車/工業的長期結構性需求仍在。公司將通過翻新和升級專案維持 KrF 相關服務營收。
中國大基金三期與成熟製程投資：2024 年 5 月公開資訊顯示國家大基金三期（註冊資本約 3440 億元）正式成立，市場普遍預期其將加強對成熟製程裝置和材料國產化的投資力度，KrF 相關企業有望受益，但具體投資標的和金額尚未揭露。
徐州博康產能擴建：據 2023 年末至 2024 年初的多家產業媒體報道，徐州博康正在推進 KrF 光刻膠的擴產，目標到 2025 年實現數倍產能增加，2024 年中期尚未揭露實際達產進度和通過客戶驗證的最新規模。
尼康更新中期經營計劃：尼康在 2023–2024 年釋出的中期計劃中，維持對 DUV 光刻系統（含 KrF）的盈利貢獻目標，但強調將聚焦於高附加值應用和對數字製造領域的滲透，暗示其不會與 ASML 在主流代工市場進行份額爭奪。
日本出口管制動態：2024 年日本經濟產業省（METI）對半導體裝置出口管制的具體清單更新仍受到重點關注；截至 2024 年 6 月底，公開檔案尚未將典型 KrF 光刻機列入新增管制範圍，但光刻膠相關的高階原材料仍在持續監控之列。

14. 追蹤指標

成熟製程晶圓代工價格指數：可參考聯電、中芯國際、華虹等季報揭露的 ASP（平均售價）變化趨勢及產能利用率，觀察 KrF 產線稼動壓力。
200mm 與成熟 300mm 產能利用率：SEMI 季度 World Fab Forecast 及各大代工廠運營指標。
KrF 光刻膠國產化滲透進度：通過國內光刻膠企業公告、客戶匯入宣告和產業鏈調研追蹤，但缺乏權威第三方資料即時統計，資訊獲取以企業官方口徑為準。
SMEE KrF 光刻機新增裝機及驗證動態：當前公開資訊較少，建議追蹤公司官方新聞及下游晶圓廠在招股書/募投專案中對機臺來源的揭露。
日本光刻化學材料出口統計：日本財務省貿易統計中對“感光性樹脂”等細分品類的月度出口金額和數量變化，可作為短期判斷材料供應鬆緊的參考。
先進封裝資本支出：追蹤台積電、英特爾、日月光等對先進封裝專案的資本支出展望，其中 KrF 採購需求是重要的衍生指標。

15. 信源

SEMI. World Fab Forecast (2023–2024 editions).
SEMI. Worldwide Semiconductor Equipment Market Statistics (WWSEMS) (2023 release, equipment sales ~$100.9B).
WSTS. Semiconductor Market Forecast (2023–2024).
IC Knowledge. Cost of IC Manufacturing (2022–2023 modeled cost estimates for lithography layers).
ASML. Investor Day Materials (April 2024) and Annual Report (2023).
Nikon. Mid-Term Management Plan (2023–2024) and Precision Equipment Business Briefing.
Canon. Integrated Report (2023).
Tokyo Ohka Kogyo, JSR, Sumitomo Chemical corporate disclosures and investor presentations (2022–2024).
TECHCET. Critical Materials Report: Photoresists (2023).
富士經濟. 電子材料相關市場調查報告（2023–2024 版，引用光刻膠市場規模量級估計）。
中金公司 / 華泰證券 / 方正證券等光刻膠及半導體材料產業鏈深度報告（2023–2024），請以原文數字與調研口徑為準。
中芯國際、華虹半導體、聯電季度財報及公開業績說明會紀要（2023–2024）。
徐州博康、北京科華、上海新陽公開新聞及部分券商調研紀要（2023–2024）。
國家企業信用資訊公示系統關於國家大基金三期的登記公示（2024 年 5 月）；《中國電子報》《經濟觀察報》等媒體相關報道。
SPIE 公開學術及教學文獻中關於 DUV 光刻技術與化學放大膠原理描述。

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