雷射退火（Laser Annealing）
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鏈-裝置chip-前道工藝core-熱處理/啟用
⚡ 1 | 3 秒看懂
雷射退火是一種利用高能脈衝雷射（以準分子雷射為主）在奈米級時間內完成半導體材料表層熔融與再結晶的超快速熱處理技術。其核心價值在於：能實現極高的區域性溫度以啟用雜質或轉化晶相，同時將基底（如玻璃、柔性聚合物或已形成的晶片結構）保持在接近室溫，避免熱損傷。這是生產高效能 LTPS/LTPO OLED 面板和先進邏輯晶片中形成超淺結的關鍵工藝。
🔍 2 | 3 分鐘產業解釋
| 維度 | 核心要點 |
|---|---|
| 解決的核心矛盾 | 傳統爐管退火（Furnace Annealing）需要將整個基板或晶圓在數百℃高溫下持續加熱數分鐘至數小時，這會嚴重損壞不耐熱的玻璃/柔性基板，或導致先進晶片中的雜質過度擴散、破壞奈米級精細結構。雷射退火通過選擇性加熱，僅熔融表層幾十到幾百奈米，完美解決了“高溫啟用”與“低溫基底”的矛盾。 |
| 主流技術路線 | ① 準分子雷射退火（ELA, Excimer Laser Annealing）：採用 308nm XeCl 或 248nm KrF 準分子雷射，是低溫多晶矽（LTPS）面板的絕對主流技術路線。 |
| ② 固態雷射退火（SLA, Solid-state Laser Annealing）：使用 532nm 或 355nm 等波長的固態雷射器，主要用於先進半導體前道工藝中的源漏極雜質啟用。 | |
| ③ 快速熱退火（RTA）：屬於廣譜加熱，常被作為對比項，不屬於雷射退火範疇。 | |
| 核心應用場景 | • 顯示面板：LTPS LCD 和 LTPO OLED 背板的 TFT 陣列製造，佔總應用市場的大部分份額。 |
| • 半導體制造：14nm 及以下 FinFET/GAA 工藝的源漏極（S/D）活化、超淺結（USJ）形成。 | |
| • 光伏製造：TOPCon、HJT 電池的雷射選擇性發射極（SE）的重摻雜區域退火。 | |
| 裝置價值量 | 一臺面板用 ELA 裝置系統單價在 3000萬至5000萬元人民幣 之間（2023年，Gen6+產線採購口徑）。半導體級雷射退火裝置因精度和潔淨度要求更高，單價通常在 5000萬元人民幣以上。 |
| 市場格局概貌 | 全球市場由日、美企業主導。在面板 ELA 領域，JSW（原日本電子）佔據全球約 70% 以上的份額（行業普遍估計，公開資料未見精確統計資料）；在半導體雷射退火領域，美國的 Coherent 是主要玩家。國內華工科技、帝爾雷射等分別在面板和光伏領域尋求突破。 |
🎓 3 | 技術原理
3.1 物理機制：納秒級“瞬間淬火”
雷射脈衝 → 材料表層吸收 → 瞬間升溫至熔點以上（>1410℃） → 非晶矽熔融形成液相 → 液相外延再結晶 → 凝固形成大晶粒多晶矽
典型脈衝寬度: 20 - 50 ns
單脈衝熔融深度: 50 - 200 nm
基底宏觀溫升: < 300°C- 選擇效能量吸收：以 ELA 為例，308nm XeCl 雷射的光子能量約為 4eV，非晶矽（a-Si）對該波段的吸收係數高達 ~10⁶ cm⁻¹，而玻璃基底幾乎透明。這保證了能量被精準限制在矽薄膜內，基底不受熱衝擊。
- 晶粒長大動力學：熔融的液態矽以未熔化的 a-Si 為“晶核”進行外延生長，晶粒橫向生長。通過精確控制脈衝能量密度（通常在 300-450 mJ/cm² 之間）和脈衝間的搭接率（90%-98%），可誘導形成近乎垂直的晶界，晶粒尺寸可達 200-500nm（2024年公開研究論文與行業報告口徑）。大尺寸晶粒使 LTPS 的載流子遷移率達到 50-100 cm²/Vs，遠超 a-Si 的 ~0.5 cm²/Vs。
3.2 與替代工藝的關鍵效能對比
| 工藝 | 處理時間 | 熱預算（基底溫度） | 晶粒尺寸/啟用效果 | 對基底損傷 | 典型應用 |
|---|---|---|---|---|---|
| 傳統爐管退火 | 分鐘/小時 | >600°C，整體加熱 | 好 | 嚴重（對玻璃基板不可用） | 傳統 IC 前道 |
| 快速熱退火（RTA） | 秒級 | 高，~1000°C | 良好，但有擴散風險 | 較高 | 先進 IC 源漏啟用 |
| 準分子雷射退火（ELA） | 納秒級 | 極低，< 300°C（微觀表層除外） | 極佳（大晶粒 200-500nm） | 極低 | 面板（LTPS/LTPO） |
| 固態雷射退火（SLA） | 微/納秒級 | 低 | 極佳（啟用率高，擴散極小） | 很低 | 先進 IC 超淺結 |
⚙️ 4 | 關鍵引數
| 引數類別 | 關鍵引數 | 典型值/當前水平 | 重要性說明 |
|---|---|---|---|
| 雷射源 | 波長、脈衝能量、脈衝寬度、重複頻率 | ELA: 308nm，單脈衝能量 ~1J，脈寬 20-50ns，重頻 300-600Hz；SLA: 532nm，連續/準連續模式 | 波長決定吸收效率與熔融深度；能量與重頻決定產能與工藝視窗。 |
| 光束處理 | 光束整形、均化器型別 | 長線束：長度 465-1500mm，寬度 ~0.4mm；“平頂”能量分佈 | 決定大面積處理的均勻性。能量分佈不均會直接導致 TFT 閾值電壓漂移和麵板 Mura（色斑）缺陷。 |
| 運動控制 | 平台定位精度、掃描速度與同步 | 重複定位精度 < ±1 μm，掃描同步精度 < 1 ns | 在多脈衝搭接中，納秒級的光-機-電同步是形成均勻晶粒的關鍵，是裝置整合的核心技術壁壘。 |
| 工藝環境 | 氣體氛圍、腔室壓力、氧/水含量 | 氮氣/氦氣或真空環境，O₂、H₂O < 1ppm | 防止高溫熔融矽氧化。工藝氣體的均勻流場設計也影響長線束處理的一致性。 |
| 品質結果 | 晶粒尺寸、均勻性、TFT遷移率 | 晶粒尺寸 200-500nm，面板內遷移率均勻性 < ±5%（2024年高階產線要求） | 直接決定最終產品（螢幕/晶片）的效能與良率。 |
🛤️ 5 | 技術路線
5.1 準分子雷射退火（ELA）——面板路線絕對主力
此路線是當前成熟且大規模商業化的技術，專門服務於大面積電子玻璃或柔性 PI 基板上的 TFT 製造。其技術演進方向主要包括：
- 更大幅面：從 Gen6 (1850x1500mm) 的 465mm 長線束，向 Gen8.5+ (2200x2500mm) 的 1500mm 長線束演進，以覆蓋更大基板，提升產出效率。但線束越長，獲得 <1% 均勻性的技術挑戰越大。
- LTPO 工藝適配：LTPO 需要同時製備 LTPS（作驅動）和 IGZO（作開關）兩種 TFT。ELA 工藝需與氧化物半導體工藝相容，避免對 IGZO 層造成損傷，對工藝視窗和低溫要求更嚴苛。
- 固態雷射替代嘗試：業界有研究嘗試用波長為 355nm 的固態雷射器替代準分子雷射器進行 LTPS 退火，以規避準分子雷射器維護成本高、氣體消耗大的問題，但目前在大面積均勻性和晶粒尺寸上仍不及 ELA 成熟。
5.2 固態雷射退火（SLA）——半導體路線精準啟用
在先進邏輯和儲存晶片製造中，源漏注入後的雜質啟用需在極低的熱預算下完成，以防止短溝道效應和雜質擴散。固態雷射器（波長主要在 532nm 綠光或近紅外）是實現毫秒甚至納秒級退火的關鍵，代表裝置如應用材料（Applied Materials）的 Vantage Astra DSA 系統和 Coherent 的相關產品。
5.3 雷射選擇性發射極（SE）——光伏路線降本增效
此路線並非對整片電池進行退火，而是利用雷射精準作用於柵線電極下的區域，實現局域重摻雜，從而降低接觸電阻、提升載流子收集效率。該技術已是 PERC、TOPCon 量產的標配。技術沿革是從早期的 532nm 納秒雷射發展到超快皮秒雷射，以追求更小的熱影響區和更低的損傷。
⛓️ 6 | 上游
6.1 準分子雷射器
這是 ELA 裝置中價值量最高的核心部件，約佔裝置成本的 30%-40%。
- 市場格局：高度壟斷。由日本 Gigaphoton 和美國 Coherent（原 Lumina-Lambda Physik 業務線）主導，兩者合計佔全球面板 ELA 用準分子雷射器市場份額超過 90%（2023年行業估算口徑）。
- 國產狀態：國內目前處於研發和小批次驗證階段。公開資料可見科益虹源等企業有相關產品開發，但在功率穩定性、氣體壽命、維護週期等核心指標上與海外龍頭仍有差距，尚未見進入面板廠主產線的公開確認。
6.2 光學模組與光束勻化系統
負責將原始矩形雷射束整形成能量均勻的極長線束，是決定工藝良率的核心。
- 關鍵技術：微透鏡陣列（MLA）、衍射光學元件（DOE）或導光管勻化器。技術難點在於：需承受高能量密度紫外雷射的長期輻照而不發生損傷和透過率衰減，且需保證在 1 米以上長度範圍內能量分佈標準差 < 1%。
- 供應格局：主要由裝置商如 JSW 內研或與德國 Jenoptik、LIMO（現屬 Focuslight）等專業光學公司合作定製。國內華工科技在研發中，公開資料稱其攻克了長線束勻化技術。
6.3 高精度運動平台與工藝腔室
- 運動臺：要求亞微米級定位精度和多軸同步控制。供應商包括美國的 Aerotech、日本的 Yokogawa 等。國內運動控制平台在半導體級應用上仍有差距。
- 工藝氣體：ELA 依賴稀有氣體，特別是 氙氣（Xe） 和 氯化氫（HCl） 混合氣作為雷射工作介質。氙氣的供應高度集中，2022年俄烏衝突導致全球氙氣供應鏈緊張，價格曾一度暴漲 5-10 倍（公開市場報價口徑），直接推高了雷射退火產線的運營成本。氣體純化與供應由 Air Liquide、Linde 等公司主導。
🏭 7 | 下游
7.1 顯示面板製造
最大且最穩定的下游市場。
- 應用：智慧手機（LTPS/LTPO OLED）、平板/筆記本（Oxide/LTPO LCD）、車載顯示。
- 主要客戶：三星顯示、LG Display、京東方（BOE）、TCL 華星光電（CSOT）、天馬、維信諾 等全球主流面板廠。
- 需求邏輯：只要需要高解析度、高重新整理率或低功耗的 OLED 和高階 LCD 背板，就必須使用雷射退火製備 LTPS。LTPO 技術的普及會新增一道 ELA 工藝需求，增加裝置單位面積投資。
7.2 半導體晶圓製造
高技術壁壘、價值量極高的下游市場。
- 應用：FinFET 和 GAA（全環繞柵極）電晶體的源漏極形成、超淺結啟用、DRAM 儲存節點的接觸退火。
- 主要客戶：台積電（TSMC）、三星電子、英特爾（Intel）、美光（Micron）、SK 海力士 及國內 中芯國際（SMIC）、華虹集團 等先進邏輯與儲存製造商。
- 需求邏輯：隨著技術節點向 3nm 及以下演進，需要在更小的空間內完成摻雜啟用，傳統 RTA 造成的熱擴散已不可接受，納秒級雷射退火成為關鍵工藝步驟。
7.3 光伏電池製造
增長迅速的新興下游市場。
- 應用：PERC/TOPCon/HJT 電池的雷射摻雜、雷射燒結、雷射開槽等。
- 主要客戶：隆基綠能、通威股份、晶科能源、天合光能、晶澳科技 等頭部一體化元件/電池廠商。
- 需求邏輯：以 TOPCon 電池為例，雷射 SE（選擇性發射極）技術已成為提高轉換效率（提效 0.2%-0.4%）的標準配置，帶動了專用雷射裝置的需求。
💰 8 | 受益公司
| 公司 | 產業鏈位置 | 受益邏輯 | 關鍵資料/進展（均為2023-2024年公開資訊） |
|---|---|---|---|
| JSW | 中游裝置 | 面板 ELA 裝置絕對霸主，直接受益於全球 OLED 和高階 LCD 產線資本支出。 | 釋出 Gen8+ ELA 系統；2023財年（截止2024.3）半導體面板製造裝置業務營收年增率增長顯著（公司財報口徑）。全球面板 ELA 份額 > 70%（行業估算）。 |
| Coherent | 上游部件+中游裝置 | 同時掌握準分子和固態雷射器核心技術，在半導體和高端面板市場雙重受益。 | 完成對 II-VI 的收購整合，光學元件協同效應增強。其雷射退火系統在先進邏輯代工頭部客戶中份額領先（公開資料未見精確份額）。 |
| 華工科技 | 中游裝置（國產替代） | 國內首家宣佈突破核心 ELA 技術並交付整機至客戶驗證的企業，在國產替代浪潮下備受關注。 | 2023年年報揭露，首臺國產準分子雷射退火裝置進入國內面板客戶驗證階段。公開資料未見量產出貨確認。 |
| 帝爾雷射 | 中游裝置（光伏） | 光伏雷射 SE 裝置龍頭，幾乎壟斷 PERC 雷射摻雜市場，併成功拓展至 TOPCon 和 HJT 工藝。 | 2023年營收約 16 億元（年報口徑），其中光伏雷射裝置佔比極高。新籤的 TOPCon 雷射 SE 訂單支撐未來營收增長。 |
| 應用材料 (AMAT) | 中游裝置（半導體） | 全球半導體裝置龍頭，其 Vantage Astra DSA 動態表面退火系統在 FinFET 節點被廣泛採用。 | 在邏輯代工和儲存廠的雷射退火裝置招標中，與 Coherent 等形成競爭，客戶覆蓋全球主要先進製程廠商。 |
📊 9 | 市場規模
注意：雷射退火裝置是一個細分的利基市場，全球範圍內缺少獨立的權威統計，以下資料均為基於行業報告、公開業績和相關市場容量的估算。
| 細分市場 | 估計規模（億元人民幣） | 年份與口徑 | 增長驅動與備註 |
|---|---|---|---|
| 面板 ELA 裝置 | 40 - 50 | 2024年估算，行業綜合估算口徑 | • 核心驅動：LTPO OLED 在智慧手機的滲透率提升至 >40% (Omdia, 2024E)；Gen8.6 代 IT 用 OLED 產線（三星、京東方）的新增投資。 |
| • 單臺 Gen8.6 裝置價值量更高，估計可能 >5000萬元。 | |||
| 半導體雷射退火裝置 | 30 - 40 | 2023年估算，行業綜合估算口徑 | • 核心驅動：3nm/2nm 先進製程產能爬坡；DRAM 1γ/1δ 節點工藝採用度提升。 |
| • 這是“卡脖子”的關鍵裝置之一，單臺價值極高，但市場總容量受限於先進製程產能擴張節奏。 | |||
| 光伏雷射裝置（含SE） | 50 - 60 | 2024年估算，公司業績推演口徑 | • 核心驅動：N型電池（TOPCon）大規模擴產，雷射 SE 成為標配，新增裝置需求明確。 |
| • 帝爾雷射 2023年營收 ~16 億元，可大致推算其細分市場體量。 | |||
| 全球總計（估算） | 130 - 160+ | 綜合 | 該市場年複合增長率（CAGR）預計在 15%-20% 區間，主要由顯示和半導體先進製程投資驅動。 |
🆚 10 | 玩家對比
10.1 面板 ELA 領域：JSW vs. 挑戰者
| 對比維度 | JSW | 華工科技（國產代表） | Coherent |
|---|---|---|---|
| 技術成熟度 | 經歷 20 年以上迭代，高度成熟、穩定 | 研發/初期驗證階段，成熟度待驗證 | 核心部件能力強，但在面板整機份額低 |
| 市場份額 | >70% (行業估算) | 0%（未有量產線使用記錄） | < 15% |
| 核心優勢 | 全套 Know-how（雷射器+光學+工藝），全球標杆客戶的長期信任 | 國家專項支援，準分子雷射器自研，售後響應有潛在優勢 | 雷射器自研，同時版面配置半導體和麵板，技術底蘊深 |
| 核心劣勢 | 裝置極其昂貴，交貨週期長，對中小客戶支援相對不足 | 缺乏產線“磨線”經驗，長期穩定性和良率對標 JSW 需要時間 | 面板整機整合和工藝應用經驗不及 JSW，非首選供應商 |
| 客戶進展 | 幾乎覆蓋全球所有 LTPS/LTPO 產線 | 2023年進入國內頭部面板廠驗證階段（公司公告） | 部分面板廠有少量採購 |
10.2 半導體領域：Coherent vs. AMAT vs. 新玩家
- Coherent：優勢在於雷射源和光束處理的光學整套方案，技術路線靈活。
- 應用材料（AMAT）：優勢在於與前端工藝（如離子注入、熱處理）的整合能力，其平台化戰略為客戶提供一站式解決方案。
- 國產化：在半導體級雷射退火裝置領域，國內尚處於完全空白狀態，無任何公開資料顯示有裝置進入晶圓廠驗證線。
⚠️ 11 | 風險
11.1 技術路線迭代風險
- MicroLED 的顛覆：MicroLED 理論上無需 TFT 背板或可用無機材料實現，若其實現低成本商業化，將全面衝擊 LTPS/LTPO 技術，導致 ELA 裝置需求斷崖式下滑。目前看，該風險在 5-10 年內機率較低，但長期存在。
- 雷射源的替代：在面板領域，用高功率固態雷射器（355nm）替代準分子雷射器是長期方向。一旦該技術成熟，將重塑以準分子雷射為核心的現有供應鏈格局。
11.2 供應鏈安全風險
- 準分子雷射器“卡脖子”：這是面板 ELA 裝置國產化最致命的瓶頸。Gigaphoton 和 Coherent 的供應壟斷地位，使國產裝置在核心部件上受制於人，且高階雷射器存在出口管制風險。
- 稀有氣體價格波動：氙氣（Xe）是 ELA 雷射器的關鍵消耗品。其作為鋼鐵尾氣的副產品，產量受限且產區集中（烏克蘭、俄羅斯）。地緣政治動盪可能導致氙氣價格再次出現 2022 年式的暴漲，侵蝕面板廠獲利。
11.3 國產化程序不及預期風險
- 華工科技等國產 ELA 裝置商的驗證週期可能長達 2-3 年甚至更久。在此期間，若無法攻克量產良率穩定性難題，或面板廠在國產替代上態度保守，將導致商業化進展不及預期。
- 在半導體雷射退火領域，由於缺乏產業生態和前期驗證機會，實現從 0 到 1 的突破難度極大，公開資料未見任何明確時間表。
🚫 12 | 誤讀糾偏
| 常見誤讀 | 實際情況與正確理解 |
|---|---|
| “雷射退火就是 RTA 的升級版” | 錯誤。RTA（快速熱退火）仍是整個晶圓/基板在亞秒級時間尺度的整體加熱，熱預算依然很高。雷射退火是區域性、選擇性、納秒級的超快過程，物理機制完全不同，能實現 RTA 無法達到的“零擴散”啟用效果。 |
| “國產 ELA 裝置很快能取代 JSW” | 過度樂觀。儘管華工科技在整機整合上取得了從 0 到 1 的突破，但產業界共識是，真正為客戶生產線創造穩定價值需要經過“驗證-小批次-爬坡-穩定量產”的漫長過程。在此過程中，裝置在對標 JSW 的良率、稼動率（Uptime）、顆粒控制等方面仍需大量“磨線”最佳化。 |
| “雷射退火裝置就是一臺雷射器” | 錯誤。這是一個複雜的系統工程。除了雷射器，還包括高精度光學勻化系統、奈米級同步運動控制平台、潔淨工藝腔室、氣體控制系統及成套工藝監測與控制軟體。系統整合能力是核心壁壘，這也是國產裝置需要攻克的關鍵。 |
| “LTPO 取代 LTPS，ELA 需求會減少” | 錯誤。LTPO 是 LTPS 和 IGZO 的結合，其製備過程中 增加了 一層 LTPS 層的製作和對準工藝，因此對 ELA 的需求不僅沒有減少，反而因工藝步驟增加而強化了其不可或缺性。 |
📰 13 | 最新事件
- 三星、京東方啟動 Gen8.6 OLED 投資 (2023-2024)：三星顯示已宣佈投資 4.1 萬億韓元、京東方宣佈投資 630 億元人民幣建設面向 IT 應用的 Gen8.6 OLED 產線（公司公告口徑，2024年公開資訊）。這將直接帶動對相容更大玻璃基板的 ELA 裝置新需求，JSW 作為核心供應商將優先受益。
- 華工科技 ELA 裝置送樣驗證 (2023)：華工科技在 2023 年年報及相關公告中揭露，其自主研發的準分子雷射退火裝置已成功交付並進入國內主流面板廠進行驗證。這是國產 ELA 裝置從實驗室走向產業化的關鍵一步，但其驗證結果和後續訂單情況尚不明確。
- 帝爾雷射獲 TOPCon SE 雷射裝置大單 (2023-2024)：帝爾雷射公開揭露了來自頭部光伏客戶的多筆 TOPCon 雷射 SE 摻雜裝置合同，合同金額累計達數十億元級別（公司公告口徑），標誌著該技術路線已成為光伏電池擴產的工藝標配。這是雷射退火在降本增效應用上最成功的案例之一。
- Coherent 加速整合光學供應鏈 (2023-2024)：完成收購 II-VI 後，Coherent 持續整合並強化其從雷射源到光束處理光學器件的垂直一體化能力，在半導體和高階顯示雷射退火市場的技術方案更加完整。
📈 14 | 追蹤指標
- 高頻同步指標:
- 面板廠裝置搬入公告：京東方、三星顯示等頭部廠商的 Gen6/Gen8.6 專案裝置搬入、點亮、量產新聞，是 ELA 裝置出貨的明確先行指標。
- JSW、Coherent 財報：關注其“FPD 裝置”、“雷射系統”業務板塊的營收和在手訂單（Backlog）變化，可高頻追蹤全球市場動態。
- 氙氣（Xe）現貨價格：作為 ELA 工藝的關鍵消耗氣體，其價格波動能間接反映下游產線開工率和成本壓力。
- 中期驗證指標:
- 華工科技驗證進展：這是追蹤國產替代進度的核心指標。關注其是否獲得面板廠的“量產訂單”或“出貨確認”公告。
- 半導體裝置國產化專項進展：國家 02 專項或重點研發計劃中是否有半導體級雷射退火裝置立項或驗收資訊，代表了國家層面的攻關進展。
- 光伏技術路線大會：在 SNEC 等光伏展會上，關注帝爾雷射、海目星等公司公佈的新籤雷射 SE 裝置訂單，可作為光伏領域的需求側驗證。
- 長期結構性指標:
- LTPO 智慧手機面板滲透率 (來源：Omdia/DSCC 季度報告)：滲透率持續提升，直接拉長 ELA 裝置的需求景氣週期。
- MicroLED 量產化進度：關注Apple、三星等巨頭的 MicroLED 專利版面配置和產線投資新聞，以觀測可能顛覆 LTPS 技術的長期風險。
- 3nm 及以下先進製程產能擴張計劃 (來源：台積電/三星/英特爾法說會)：這是半導體級雷射退火裝置需求增長的底層驅動力。
🔖 15 | 信源
- 裝置商官方資訊：JSW AFTY 業務部官網及定期財報；Coherent, Inc. 投資者關係頁面、年報；華工科技股份有限公司年報及重大事項公告；帝爾雷射股份有限公司年報及中標公告。
- 行業協會與智庫：Omdia (
omdia.com)、DSCC (displaysupplychain.com)、Yole Group (yolegroup.com) 釋出的顯示面板與半導體裝置市場季度/年度追蹤報告。 - 學術與研究機構：IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters, SID Symposium Digest of Technical Papers 等權威期刊和會議關於 ELA 工藝、晶粒生長機制及裝置的最新研究論文。
- 技術與商業媒體：《中國電子報》、日經亞洲 (
asia.nikkei.com)、集微網 (jiwei.net)、PV Magazine (pv-magazine.com) 等對顯示、半導體及光伏雷射裝置產業的深度報道。
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