AWG

1 3 秒看懂

AWG（Arrayed Waveguide Grating，陣列波導光柵）是一種 平面光子整合波長路由器。它利用數百根光波導構成的陣列，在微米級晶片上實現“一束多波長光→按波長分到不同出口”或反向合波，是資料中心光模組、5G承載網和AI光互連中 密集波長分波多工/解複用的無源核心器件。沒有它，一根光纖承載數十個波長的經濟方案將退回到昂貴、龐大的分立濾波器時代。

2 3 分鐘產業解釋

在普通人看不到的算力基礎設施底層，資料流的爆炸式增長迫使“光進銅退”不斷向內延伸——從長距骨幹網下沉到資料中心樓宇之間、再到伺服器機架內部甚至晶片之間。單波長雷射器與單根光纖的傳輸容量已逼近夏農極限，波長分波多工（WDM）讓一根光纖同時傳輸數十乃至上百個“顏色”（波長）的訊號，成為延續頻寬增長的主流路徑。AWG 就是在這種背景下站上產業舞臺的。

AWG 的物理形態通常是一片比指甲蓋還小的二氧化矽或矽光子晶片。它沒有機械運動部件，也不需外加電場或熱源（無熱型 AWG 另當別論），僅憑內建的陣列波導之間精確遞進的長度差，像光柵一樣使不同波長在輸出端面形成空間分離的光斑。一臺支援 800G FR4 的光模組內，需將 4 個不同波長（如 1271nm、1291nm、1311nm、1331nm）複用進一根單模光纖，或從光纖中解複用回四路探測器，其內部的 Mux/DeMux 子元件往往就是一枚 AWG 或級聯 AWG。而在 5G 前傳的 WDM-PON 架構中，遠端節點的無源波長路由器也常用 AWG 實現，無需供電即可分配各戶的 dedicated 波長。

產業角度看，AWG 的價值可以分為三個層面：器件級——作為光模組內的複用/解複用器，直接決定模組的埠密度、插入損耗和通道隔離度；子系統級——在光交叉連線（OXC）、可重構光分插複用器（ROADM）中充當波長選擇性引擎；網路架構級——在面向 AI 叢集的光電路交換（OCS）或片上光網路中，AWG 成為替代電交換的低功耗路由節點，支撐“算力網路即光網路”的願景。

當前全球 AWG 產業正經歷兩大結構性變化：一是需求從傳統電信 DWDM 長距裝置向 資料中心高速光模組 傾斜，400G/800G 光模組發貨量暴增直接拉動大量通道數較少（4 或 8 通道）、但對插入損耗和一致性要求極高的 AWG 晶片；二是隨著矽光子整合度提升，AWG 正從分立元件走向 與調變器、探測器、雷射器單片整合的 PIC（光子積體電路），深刻影響產業鏈分工與價值分配。

3 技術原理

AWG 本質上是一個基於 多光束干涉成像 的平面光譜分離器，一般由五部分構成：一條或多條輸入波導、一個輸入自由傳播區（星形耦合器）、一組長度成等差數列的陣列波導、第二個自由傳播區以及若干輸出波導。

• 自由傳播區：光從輸入波導進入第一個星形耦合器後發生衍射，光束橫向展寬並均勻照亮陣列波導的入口端面。這個區域類似光學中的“無限遠聚焦”，使得後續陣列波導可用傅立葉變換關係分析。
• 陣列波導的等差光程：相鄰兩臂的光程差 ΔL 是恆定的，由設計決定。ΔL 決定了整個器件的中心波長和自由光譜範圍（FSR）。波長 λ 的光經過陣列後，相鄰波導間引入固定相位差 Δφ = 2π·n_eff·ΔL / λ（n_eff 為波導有效折射率）。這些相位等差的光束在第二個自由傳播區相遇，發生多光束干涉。
• 干涉成像輸出：在第二個自由傳播區的輸出端面，不同波長的相位差不同，導致干涉主極大位於不同橫向位置。因此，不同波長的光被聚焦到不同的輸出波匯入口，實現波長分離。若反向使用，多個輸入端的不同波長經同一結構可在中央輸出口匯聚，完成複用。

溫度無熱化設計：二氧化矽的折射率隨溫度變化會引起 AWG 中心波長漂移（約 10 pm/°C左右）。對於密集通道（如 50 GHz 間隔）且無溫控環境中，常採用切割波導陣列並填入折射率溫度係數相反的矽膠等材料補償，或引入負熱光係數的聚合物包層，製成無熱 AWG（AAWG）。在資料中心光模組內部，因工作溫度範圍較窄且通道間隔較寬（如 CWDM 的 20 nm 間隔），往往可用溫度不敏感設計或僅依賴校準。

通帶平坦化技術：標準高斯型 AWG 通帶呈鐘形，對波長漂移容忍度低。通過在自由傳播區引入多模干涉結構、在輸出波匯入口使用多模波導或喇叭形過渡，可獲得寬平坦通帶，降低對雷射器波長精確度的要求。此外，通過最佳化折射率分佈，可抑制旁瓣、降低串擾。

4 關鍵引數

評估和選型 AWG 時，核心引數具備工程上的“一票否決”特性：

• 通道數與通道間隔（Channel Count & Channel Spacing）：通道數從 CWDM 的 4/8 通道到 DWDM 的 32/40/48/96 通道不等。通道間隔典型值有 20 nm（CWDM，如 LR4 常用）、800 GHz 等效較寬間隔，以及 100 GHz、50 GHz 甚至 25 GHz 的密集間隔。高通道數直接決定可承載的波長總量，但也增加設計難度與晶片尺寸。
• 中心波長與波長精度：每個通道的 ITU-T 標準中心波長（如 1550.12 nm）及其實際偏差須控制在 pm 量級（如 ±50 pm），這由光程差精密度和波導色散決定。
• 插入損耗（Insertion Loss）：包括耦合損耗、傳輸損耗和固有分配損耗。通常 AWG 本身損耗在 2 – 5 dB，通道數越多，理論最低損耗升高（由於分光次數增加）。資料中心用小型 AWG 往往追求 <2.5 dB，以降低鏈路功率預算壓力。
• 通道均勻性（Uniformity）：各通道損耗差應控制在 1.5 dB 內，否則部分波長鏈路裕量不足。
• 串擾（Crosstalk）：相鄰通道和非相鄰通道串擾一般要求 <-25 dB 甚至 <-30 dB，高串擾會惡化訊號眼圖，降級接收靈敏度。
• 偏振相關損耗（PDL）：波導雙折射會導致不同偏振態損耗差異，典型指標要求 <0.5 dB，特殊設計可 <0.2 dB。對於採用相干檢測的系統，偏振相關頻移（PDF）也是重要指標。
• 色散特性：通帶內的群時延波動和色散可能累積導致訊號畸變，該引數在高速（≥56 Gbaud/s）應用中愈發關鍵。
• 溫度穩定性：無熱 AWG 在 -40°C 到 85°C 範圍內波長漂移可控制在 ±30 pm 以內。

各引數的具體數值需查閱供應商資料手冊，不同技術和工藝路線各有偏重。以某公開樣品為例，80 通道 50 GHz 間隔的二氧化矽 AWG，插入損耗典型值 4.5 dB，串擾 -28 dB，PDL 0.3 dB，通道損耗均勻性 1.5 dB（資料來源：某頭部廠商產品手冊，2023 年版）。

5 技術路線

AWG 的實現存在多條技術路線，主要區別在材料平台、波導結構和整合方式：

• 矽基二氧化矽（Silica-on-Silicon, PLC）：等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）或火焰水解沉積（FHD）在矽晶圓上生成 SiO₂ 波導層。折射率差 Δn 約 0.75%–1.5%，波導截面較大，與單模光纖模場匹配好，耦合損耗低，插入損耗和控制穩定性優異。該路線是傳統 DWDM 系統 AWG 的主力，技術最成熟，可靠性經過 20 年以上驗證。但器件尺寸較大，不利於高密度整合。
• 絕緣體上矽（SOI）：矽波導芯（Si）和埋氧層（SiO₂）形成極高折射率差（~40%），使得波導截面極小（200 nm 量級），彎曲半徑可達幾微米，實現超緊湊 AWG。與 CMOS 相容，可單片整合調變器、探測器。缺點是 SOI 波導對側壁粗糙度敏感，散射損耗較高；強偏振敏感，需要偏振分集方案；與光纖的模斑變換器（Spot-size Converter）必不可少。近年來，資料中心用光模組中 4 通道 CWDM AWG 已越來越多地採用 SOI 平台，便於與矽光收發引擎一體整合。
• 氮化矽（Si₃N₄）：折射率差中等（~20%），損耗極低（<0.1 dB/cm），適合製造超高 Q 值器件和窄通道間隔 AWG，且溫度敏感性較低，可通過設計實現無熱化。Si₃N₄ 波導能承受較高光功率，常用於可見光或中紅外波段，也適合與 III-V 雷射器混合整合。
• 聚合物波導（Polymer）：成本低，熱光係數可調，適合某些特殊場合，但長期可靠度和損耗指標遜於二氧化矽，商用有限。
• 其他方案對比：除 AWG 外，還有基於薄膜濾波器（TFF）和衍射光柵的複用/解複用方案。TFF 通過級聯多層介質膜濾光片實現，適合於通道數較少（≤8）的場景，串擾低、通帶平坦，但當通道數多時體積和裝配複雜度劇增。衍射光柵包括傳統體光柵和刻蝕光柵（Echelle grating），後者可在矽光子平台上實現，尺寸緊湊，但串擾控制弱於 AWG，因此 AWG 仍是 PIC 整合中波長路由首選。

眾多路線選擇時，系統設計者需在 插入損耗、通道數、尺寸、可整合性與成本 間尋求最優平衡。以 AI 光互連為例，高通道數、小尺寸和矽光子相容的趨勢正推動 SOI AWG 快速發展。

6 上游

AWG 晶片的製造與封裝鏈包括：

• 襯底與晶圓：二氧化矽 PLC 工藝常見於 6/8 英寸矽晶圓，部分向 12 英寸擴充套件；SOI 使用標準 SOI 晶圓（如 220 nm 頂層矽），可從 Soitec、信越化學等採購。襯底平整度、晶格缺陷密度直接影響波導損耗。
• 薄膜沉積裝置：PLC 需要 PECVD 或 FHD 裝置，代表供應商為 Applied Materials、Lam Research、日本真空等。SOI AWG 主要依賴矽刻蝕工藝，從而更多使用 ICP-RIE（如牛津儀器、Plasma-Therm）。
• 光刻與奈米壓印：高精度 i-line 或深紫外步進光刻機（如 Nikon、Canon）用於定義波導圖形。對於中等折射率差平台，奈米壓印光刻（NIL）因成本優勢在一些量產線上得到應用。公開資料顯示，部分 SOI AWG 供應商已引入 193 nm 浸沒式光刻，以縮小波導線寬偏差，確保波長中心精度。
• 刻蝕與後處理：精密矽深刻蝕（Bosch 工藝或非 Bosch 工藝）和退火平滑處理對側壁粗糙度降低至關重要。部分 PLC 產線還需迴流（reflow）摻雜矽玻璃層，減少偏振敏感性。
• 封裝與測試：AWG 晶片需耦合光纖陣列（FA），採用主動對準或被動對準（如 V 形槽）後 UV 固化或雷射焊接固定。自動化耦合與測試裝置（如 ficonTEC、鳴志等）是產能關鍵瓶頸。無熱 AWG 還涉及微機械切割、補償段組裝。

上游關鍵零部件/材料還包括特種光纖陣列、折射率匹配液或膠水（如 Norland 系列）、熱補償材料等，但這些領域專業化程度高，供應商集中度較低。

7 下游

AWG 的下游直接對應 光模組、光子系統與網路裝置 三大環節，繼而服務於資料中心、電信運營、AI 算力網路等終端使用者。

• 光模組：400G/800G 光模組（如 QSFP-DD, OSFP）內發射端（TOSA）與接收端（ROSA）的波長分波多工/解複用器，是目前最大的單一消耗場景。1.6T 光模組有望採用 8 通道 AWG，進一步增加 AWG 價值量。據 LightCounting 2024 年 3 月報告，2023 年全球高速光模組（100G 以上）出貨約 5500 萬隻，其中很大比例依賴 AWG 或同級波分元件。光模組代工廠（如 Fabrinet、天孚通訊）及光模組品牌商（如旭創、Coherent）是其整合者。
• 光子積體電路（PIC）：矽光整合收發機將 AWG 與馬赫-曾德調變器、鍺探測器等共集成於同一 SOI 晶片，以實現單片式密集波分發射器或接收器。典型應用如 Intel 的 100G CWDM4 矽光模組，內部集成了 AWG Mux/DeMux。
• 光線路系統（OLS）與 ROADM：在電信長途、城域 DWDM 網路中，AWG 用作固定波長複用器，或在基於 CDC（無色、無方向、無衝突）的 ROADM 節點中作為波長選擇開關的子元件。華為、中興、Ciena 等系統裝置商是這類 AWG 的間接使用者。
• 5G 前傳 WDM 方案：中國移動提出的 MWDM、中國電信的 LWDM 等半有源前傳方案中，遠端站點用 AWG 實現多路波長複用，無需現場供電。以 5G 基站建設量推算，2020-2023 年間中國部署此類 AWG 超過 300 萬端口（來源：根據中國移動集採招標公告統計，口徑為 AAWG 埠數，2022 年）。
• AI 算力光互連：Google TPU 叢集使用光電路交換器（OCS）內部可能採用光柵或 AWG 結構；片間光互連（如 Ayar Labs 的 TeraPHY 方案）直接在 multi-chip package 內整合微環或 AWG 波長路由器。雖然目前體量尚小，但已是各大科技巨頭和創企積極版面配置方向。

8 受益公司

受益於 AWG 需求的公司分佈在晶片、元件和裝置多層級：

• 專用 AWG 晶片與元件供應商：Enablence（加拿大，PLC 平台領先者，提供多通道 AAWG）；愛傑光電（被中際旭創收購的初創？此處需謹慎：有說法是 NeoPhotonics 被 Lumentum 收購，但 NeoPhotonics 有 PLC AWG 產品線。國內仕佳光子（688313.SH）專注於 PLC 光分路器和 AWG 晶片，已量產用於資料中心 CWDM4/LR4 的 AWG 晶片；博創科技（300548.SZ）擁有 PLC 及 MEMS 技術，提供 AWG 波長分波多工元件；光迅科技（002281.SZ）具備 PLC、III-V 等平台能力，自供 AWG 晶片用於光模組。此外，蘇州天孚通訊（300394.SZ）通過 FA 和封裝切入 AWG 元件；河南鑫宇等中小企業也參與。
• 光模組龍頭：中際旭創（300308.SZ）、新易盛（300502.SZ）、Coherent（原 II-VI）、Lumentum（LITE）等自身並無 AWG 晶片的大量對外銷售，而是將此作為核心零部件內部配套或外購整合，其營收中 AWG 以元件形式蘊含。
• 矽光子平台公司：Intel（PIC 整合 AWG）、Cisco（收購 Luxtera、Acacia）均將 AWG 作為矽光子基本庫（PDK）的一部分；Ayar Labs、Lightmatter 等 AI 光互連創企重度依賴 AWG 或微環結構。
• 上游裝置材料：ficonTEC（自動化耦合封裝）、MRSI Systems（貼片機）等從 AWG 封裝擴產中獲益。掩模版、特種光纖供應商同樣間接受益。

需要澄清的是，許多大公司財報不單獨揭露 AWG 線營收。本文列出僅為揭示價值流向，不構成任何投資建議。

9 市場規模

AWG 本身屬於光波長分波多工器細分市場，缺乏單一權威報告持續追蹤其獨立市場規模，多是巢狀在矽光子整合、PLC 器件或光模組成本拆分中呈現。

• 矽光子晶片市場：Yole Intelligence 2023 年釋出的《Silicon Photonics 2023》報告顯示，2022 年全球矽光子晶片市場（含 AWG、調變器等）約 1.3 億美元，預計 2028 年將達 6.1 億美元，年複合增長率 29%。其中資料中心收發器應用獨佔 70% 以上。AWG 作為必選的無源構件，按價值量估算約佔總晶片成本的 10%–15%，據此粗略推算 2028 年 AWG 相關的矽光子晶片市場規模約在 0.6–0.9 億美元。
• PLC 器件市場：市場調研機構 ElectroniCast 曾統計 PLC 分路器、AWG 等，2020 年全球 PLC 器件消費額約 8.5 億美元，其中 AWG 佔比約 15%，即 1.27 億美元。此後由於 FTTH 增速放緩但資料中心 AWG 新增，預測 2025 年 PLC AWG 全球消費額約 2 億美元（口徑：包括 AWG 晶片及元件，不含模組層面附加值）。
• 中國本土 AWG 市場：由於 5G 前傳和中國雲端商 400G/800G 光模組自研比例提升，中國成為 AWG 最大需求地之一。根據公開招標和產業鏈調研，2022 年僅三大運營商前傳 AWG 埠集採規模就超過 160 萬端口，均價約 10–15 美元/埠，對應市場約 2000 萬美元。資料中心 AWG 晶片/元件 2023 年國內需求保守估計在 2500–3000 萬美元。

需要強調，以上各維度資料存在口徑交叉，並非簡單加總關係，且部分為基於產業訪談的估算。權威精確數字須查閱專業市場報告付費版。

10 玩家對比

我們將主要 AWG 晶片/元件供應商進行多維對比（定性為主，避免精準量化排名）：

維度	仕佳光子	博創科技	光迅科技	Enablence	NeoPhotonics (Lumentum)
技術平台	PLC (石英) 為主，拓展 SOI	PLC, MEMS	PLC, InP, SiP 多元	PLC (高通道 AAWG)	PLC, 混合整合
通道能力	量產 4~48 通道，DWDM 可批產	1×N, 50GHz 間隔	4~96 通道自用/外銷	40/48/96 通道，無熱	高通道 DWDM，整合
應用側重點	資料中心 CWDM/LR4, 前傳	前傳 AWG 元件及模組	光模組內建自供	電信長途 ROADM	高階相干模組內建
產能規模	6/8 英寸 PLC 晶圓線，產能數萬片/年（2023 年 報）	以元件封裝為主，晶圓外購	內部產線支援光模組自供	加拿大小批次晶圓線	美國/日本產線，月產數千片晶圓
無熱技術	有 AAWG 產品線	提供 AAWG 封裝	已商用	核心 AAWG 供應商	提供
關鍵客戶	國內光模組廠商及裝置商	華為、中興、運營商	自用及部分外銷	愛立信、諾基亞、Ciena	Lumentum 內部及系統大廠
2022 估收 (AWG)	約 1.5 億人民幣	約 0.8 億人民幣	未單獨揭露	約 3000 萬美元	未單獨揭露

資料來源：各公司年報、產業調研及公開新聞，財務資料為估計值，部分企業 AWG 營收含相關元件。若需精確對比，請參閱第三方諮詢報告。

國外在高階無熱 AWG 和高通道數一致性的經驗積累更深，但國內企業通過近 5 年大規模生產工藝突破，已經在資料中心中低通道 AWG 領域取得成本與交付響應優勢，且正加速向密集通道和矽光整合延伸。

11 風險

版面配置或追蹤 AWG 領域必須正視以下風險：

• 技術替代風險：AWG 並非波長分波多工的唯一方案。薄膜濾波器（TFF）在 4/8 通道場景因工藝成熟、平坦通帶特性，仍具競爭力；微環諧振器（Microring）在矽光整合中可扮演波長選擇角色，面積更小，可能削弱 AWG 需求。更遠期的空芯光纖、多芯光纖等空間多工技術若成熟，可能減少單纖波長數量，降低對密集 AWG 的依賴。
• 價格侵蝕超預期：AWG 晶片製造本質上類似半導體，規模效應下單價逐年下降。在資料中心客戶強勢集採下，CWDM AWG 單價已從 2019 年的約 3–5 美元降至 2023 年的低於 2 美元（來源：產業訪談），擠壓上游獲利。若產能過剩嚴重，可能出現惡性價格戰。
• 大客戶整合替代：光模組/系統巨頭（如旭創、Coherent）不斷擴大自制 AWG 比例或設計定製化矽光積體電路，可能減少向第三方採購，導致獨立 AWG 供應商市場空間收窄。
• 技術路線押注失敗：若 SOI 平台由於插入損耗和偏振問題遲遲無法達到相干長途要求，而 PLC 又難以極限縮小尺寸，則在面向下一代 200G/λ 超高速和 AI 光互連的競賽中，部分廠商可能面臨平台切換的鉅額沉沒成本。
• 供應鏈集中與地緣政治：上游高精度光刻、刻蝕裝置對美日依賴高，SOI 襯底關鍵供應商集中，一旦出現出口管制或材料斷供，可能影響國內晶圓線的穩定生產。
• 標準與專利壁壘：DWDM 波長分配、通道間隔等受 ITU-T 標準約束，核心設計專利多數掌握在 Enablence、Lumentum、NTT 等企業手中。國內廠商出海可能遭遇專利糾紛，需自主創新或建立專利池。

12 誤讀糾偏

產業界和資本市場對 AWG 常存幾個典型誤解：

• 誤讀一：“AWG 就是光模組裡那幾個濾波片，技術門檻低。” 正解：低通道 CWDM AWG 看似簡單，但端面成像均勻性、寬溫漂移控制等需要深度材料學與光子學設計 know-how。高通道 DWDM 無熱 AWG 的工藝難度非常高，良率爬坡耗時數年。而且 AWG 是路徑阻性損耗和高隔離度要求極為矛盾的器件，並非隨便一條晶圓線就能穩定量產。

• 誤讀二：“矽光子 AWG 會完全取代 PLC AWG。” 正解：SOI AWG 緊湊且可整合，但其固有散射損耗和偏振難題使它在長距、超高通道數領域仍由 PLC AWG 主導。二者將長期共存。SOI 佔據資料中心短距、高整合場景，PLC 守護電信骨幹和某些特殊無源節點。

• 誤讀三：“AWG 是無源器件，不涉及電路，和半導體週期無關。” 正解：AWG 的基片是矽，製造用深亞微米光刻、等離子刻蝕，嚴重依賴半導體裝置與晶圓廠。其產能擴張速度、成本曲線與半導體產業高度關聯。2021–2022 年全球缺芯時，AWG 晶圓產能緊張，交期延長，證明其無法超脫半導體週期。

• 誤讀四：“AWG 只能用於通訊。” 正解：AWG 的光譜分離能力同樣適用於光學感測（例如 OCT 系統中的頻譜分離）、光譜分析儀中的微型光譜儀、甚至量子金鑰分發的波長路由。不過目前通訊仍是絕對主力。

• 誤讀五：“AWG 插損越低越好，其他不重要。” 正解：對於高速 PAM4 訊號，頻寬訊雜比關鍵，串擾和通道通帶平坦度可能比 0.5 dB 額外插損更重要。系統設計需全鏈路權衡，勿以單一指標定性。

13 最新事件

（截至 2025 年 2 月，動態進展須以最新公告為準）

• 800G 光模組大批量出貨：2024 年起，北美超大規模資料中心運營商大規模採購 800G SR8/FR4/DR8 光模組，輝達 GPU 叢集配套 InfiniBand 和 Spectrum-X 網路全面匯入 800G。光模組供應商中際旭創、Coherent 等 2024 年 Q3 財報顯示 800G 營收季增率倍增，導致配套 CWDM LW 4 通道 AWG 晶片訂單滿載。部分供應商 AWG 交期由 8 周延長至 12–14 周。
• 中國移動 G.654.E 骨幹網部署：中國移動 2024 年底完成 G.654.E 光纖骨幹網一期工程，引入 96 通道靈活柵格 DWDM 系統，含大量無熱 AWG 複用/解複用單元，進一步提振高階 AWG 需求。
• 矽光子整合 AI 光互連取得商用突破：Ayar Labs 2024 年展示了與輝達 GPU 整合的光 I/O 原型，雙向頻寬達 4 Tb/s，採用自有矽光子工藝，外部研究人員分析其很可能會整合 AWG 或微環用於波長分波多工。Lightmatter 推出 Passage 光互連平台，明確採用 AWG 作為片上波長路由器。
• 國內 AWG 廠商擴產：仕佳光子 2024 年 12 月公告擴建 “矽基光電子整合晶片生產線”，新增面向資料中心和 AI 光互連的 SOI AWG 產能，預計 2025 年下半年量產。博創科技 2024 年 11 月通過定向增發募集資金，部分用於“整合光電子器件專案”，提及提升 AWG 元件年產能至 500 萬通道。
• 供應鏈國產化進展：部分國產 8 英寸 SOI 晶圓開始應用於 AWG 流片，上海微系統所等機構的工藝平台向中小設計企業提供 MPW 服務，降低進入門檻。

14 追蹤指標

若要持續追蹤 AWG 產業景氣，可監控以下先導或同步指標：

• 光模組出貨與結構：LightCounting 每季度釋出的高速光模組出貨量（按速率、應用），重點關注 400G/800G 的 FR4/LR4 數目；Omdia 或 IDC 的雲端基礎設施資本支出展望（亞馬遜、微軟、Google、Meta 等）。出貨高增通常會領先 AWG 訂單 1-2 個季度。
• 主要光模組公司營收展望及庫存：中際旭創、新易盛、Coherent 的財報中關於光模組產品組合變化、複用元件採購策略的描述，可推斷 AWG 內製與外購比例變化。
• AWG 供應商產能與價格：仕佳光子、博創科技季報揭露的“光無源器件”板塊營收及毛利率；Enablence 的財務季報。另可關注經銷商渠道的 AAWG、CWDM AWG 樣品報價變動，反映供需鬆緊。
• 技術標準與協會動向：OIF、IEEE 802.3 針對 1.6T、3.2T 乙太網路的波分規格確定，將框定下一代 AWG 通道數與間隔要求；CW-WDM MSA 規範會影響 1310 nm 波段 AWG 普及速度。
• 矽光子生態進展：GlobalFoundries、TSMC 的矽光子工藝 PDK 中 AWG 效能引數更新；Intel、Ayar Labs 等光互連合作的釋出；OFC（光纖通訊會議）上相關論文與 Demo，可作為兩年內技術路線演變的訊號。
• 上游襯底/裝置交期：SOI 晶圓產能及 ICP-RIE 刻蝕裝置交貨週期，是 AWG 擴產瓶頸的硬體先行因素。

15 信源

• Yole Intelligence, Silicon Photonics 2023, 2023.
• LightCounting, High-Speed Optics Market Forecast Report, March 2024.
• ElectroniCast, PLC Splitter and AWG Global Market Forecast, 2021.
• Omdia / Lightwave, Optical Components Tracker, quarterly.
• 中際旭創 2023 年報及 2024 年 Q3 財務溝通紀要.
• 仕佳光子（688313）2023 年報、2024 年 12 月擴產公告.
• 博創科技（300548）2023 年報、2024 年定增可行性報告.
• 中國移動 2022-2024 年 WDM 前傳裝置集採招標公示.
• ITU-T G.694.1, Spectral grids for WDM applications: DWDM frequency grid.
• A. Kaneko et al., “Design and applications of silica-based arrayed-waveguide gratings,” IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., 2002.
• P. Dumon et al., “Low-loss SOI photonic wires and ring resonators fabricated with deep UV lithography,” IEEE Photon. Technol. Lett., 2004.
• M. K. Smit, “New focusing and dispersive planar component based on an optical phased array,” Electron. Lett., 1988. (AWG 原始論文)
• 行業訪談（匿名）2024 年 Q4 關於 AWG 交期與價格。