CEI-112G
3 秒看懂
CEI-112G 是 OIF(Optical Internetworking Forum)定義的每通道 112 Gbps 通用電氣介面規範,採用 PAM4 調變(符號率 56 GBaud),是當前 800GbE / 下一代 1.6TbE 網路底層物理通道的核心速率基準。可以把它理解為:高速數字互聯的”車道標準”——每條物理通道跑 112G,8 條道湊成 800G,16 條道湊成 1.6T。
3 分鐘產業解釋
為什麼需要 CEI-112G?
在 AI 訓練叢集中,單個 GPU 機架可能消耗 數 Tbps 的互連頻寬(NVLink、InfiniBand、RoCE)。傳統 100GbE(4×25G NRZ)和 400GbE(8×53G PAM4)已經不能滿足萬卡叢集的通訊需求。網路側需要將單通道速率翻倍,在不等比增加通道數量的前提下實現頻寬倍增——這就是 CEI-112G 的產業定位。
產業角色一句話
| 層級 | 角色 |
|---|---|
| 規範定義 | OIF CEI-112G 工作組 |
| 乙太網路標準對映 | IEEE 802.3df(800GbE)/ 802.3dj(1.6TbE) |
| SerDes IP 供應商 | Broadcom、Marvell、Cadence(eSilicon 資產)、Synopsys、Alphawave Semi、Credo、Cisco 等 |
| 終端部署場景 | AI 訓練交換器、資料中心 Spine-Leaf、光模組(800G OSFP/QSFP-DD) |
資本市場視角
CEI-112G 本身不是一個”產品”,而是底層 IP 標準。真正的投資對映在於:誰能率先量產通過 CEI-112G 認證的 SerDes IP,並整合進交換晶片 / DPU / NIC / 光模組 DSP 中。每一代速率升級都是重新切蛋糕的視窗。
15 分鐘專家深入
1. 標準體系定位
OIF(介面規範制定)
└─ CEI (Common Electrical Interface)
├─ CEI-28G → 100GbE 時代的 NRZ 通道
├─ CEI-56G → 400GbE 時代的 PAM4 通道
├─ CEI-112G → 800GbE / 1.6TbE 時代的 PAM4 通道 ← 本文
└─ CEI-224G → 3.2TbE+ 時代(規劃中,PAM4 或 PAM6/PCS 編碼待定)
OIF vs. IEEE 的關係:OIF 定義的是”電氣通道長什麼樣”(電壓擺幅、眼圖模板、抖動容限等),IEEE 定義的是”乙太網路幀怎麼跑在這個通道上”(編碼、FEC、MAC 等)。二者協同但分工不同。
2. 112G 意味著什麼?
- 112 Gbps = 56 GBaud × 2 bit/symbol(PAM4)
- PAM4 將訊號分為 4 個電平(+3, +1, -1, -3),每個符號承載 2 bit,但代價是訊雜比下降約 9.5 dB(相比同波特率 NRZ),因此對模擬前端和 DSP 均衡要求極高
- 典型配合 FEC:RS(544,514) 或類似硬判決 FEC,糾錯能力約 ~8 dB 編碼增益 [估算,依據 IEEE 802.3 系列常用 FEC 配置]
3. Reach 子分類
CEI-112G 按傳輸距離(reach)定義不同子規範:
| 子規範 | 典型場景 | 通道長度(估算) | 介質 |
|---|---|---|---|
| CEI-112G-VSR | 晶片↔模組(chip-to-module) | ~25 mm | PCB 走線 / 聯結器 |
| CEI-112G-SR | 板內短距(on-board) | ~100 mm | PCB 走線 |
| CEI-112G-MR | 背板 / 中距 | ~500 mm+ | 背板 / 中板聯結器 |
| CEI-112G-LR | 長距 / 銅纜 | 數米 | DAC 銅纜 |
⚠️ 具體通道損耗預算、眼圖模板等引數定義於 OIF CEI-112G 規範文件(OIF-CEI-05.0),此處僅列定性分類,精確數值請參考 OIF 官方釋出。
4. 關鍵技術挑戰
在 56 GBaud 下維持訊號完整性是核心難題:
- 通道損耗:FR4 PCB 在 28 GHz 頻率下的插入損耗可達 ~1 dB/inch(估算,取決於板材等級),56 GBaud 的 Nyquist 頻率約 28 GHz,這意味著即使 1 英寸走線也有顯著衰減
- 串擾(crosstalk):通道密度越高,NEXT/FEXT 越嚴重
- 時鐘恢復(CDR):需要在極低 SNR 下實現亞 ps 級抖動容限
- 功耗:112G SerDes 每通道功耗是重要競爭力指標,業界目標在 5–10 pJ/bit 量級 [供應鏈估算範圍,各廠商差異大]
技術原理
SerDes 收發架構(112G PAM4)
┌─────────────────────── TX ───────────────────────┐
│ │
│ 資料輸入 ──→ [FEC Encoder] ──→ [TX DSP] │
│ (RS-544,514) (預編碼/FFE/ │
│ pre-emphasis) │
│ ──→ [DAC] ──→ [模擬驅動器] ──→ 通道
│ (數模轉換) (輸出緩衝) │
└────────────────────────────────────────────────────┘
┌─────────────────────── RX ───────────────────────┐
│ │
│ 通道輸入 ──→ [CTLE] ──→ [ADC] ──→ [RX DSP] │
│ (連續時間 (模數 (DFE/FFE/ │
│ 線性均衡) 轉換) CDR/FEC解碼) │
│ ──→ 資料輸出 │
└────────────────────────────────────────────────────┘
關鍵模組說明
| 模組 | 功能 | 112G 特殊性 |
|---|---|---|
| CTLE | 模擬域高頻增益補償 | 需要在 28 GHz Nyquist 頻率提供足夠 boost,類比電路設計在先進節點極具挑戰 |
| ADC | 模數轉換 | 典型 6-8 bit 解析度,取樣率需 ≥ 56 GSa/s [定性估計] |
| DFE(判決反饋均衡) | 消除 ISI(碼間干擾) | 反饋路徑時序極度緊張,要求極低延遲判決 |
| FEC | 前向糾錯 | 硬判決 FEC 引入的延遲 ~100 ns 量級 [估算],對延遲敏感場景需權衡 |
| CDR | 時鐘資料恢復 | 在 PAM4 低眼高條件下維持鎖定,抖動追蹤頻寬需仔細設計 |
PAM4 眼圖示意
NRZ (2 level): PAM4 (4 level):
┌───┐ ┌───┐
│ │ │ │ ← +3 level (11)
────┘ └──── ────┘ └────
┌───┐ ┌───┐
│ │ │ │ ← +1 level (10)
──┘ └──
┌───┐
│ │ ← -1 level (01)
────┘ └────
┌───┐
│ │ ← -3 level (00)
────┘ └────
PAM4 眼高約為 NRZ 的 1/3(垂直方向),
對噪聲和串擾的容忍度顯著下降。
技術演進史
| 時間線 | 事件 | 通道速率 | 調變方式 |
|---|---|---|---|
| ~2014 | CEI-25G 規範成熟 | 25 Gbps | NRZ |
| ~2017 | CEI-28G(100GbE 4通道 NRZ,每通道約25.78/28.05 Gbps) | 28 Gbps | NRZ |
| ~2018-2019 | CEI-56G 規範釋出 | 56 Gbps | PAM4 |
| ~2019-2020 | 400GbE 大規模部署(8×53G PAM4) | ~53 Gbps | PAM4 |
| ~2021-2022 | OIF 啟動 CEI-112G 工作組 | 112 Gbps | PAM4 |
| ~2023 | 多家廠商展示 112G SerDes 矽片 | 112 Gbps | PAM4 |
| ~2024 | IEEE 802.3df (800GbE) 標準推進,112G 進入量產視窗 | 112 Gbps | PAM4 |
| ~2025-2026 | 800GbE 交換器規模化部署;1.6TbE(16×112G)進入驗證 | 112 Gbps | PAM4 |
| 未來 | CEI-224G(可能採用 PAM4 @ 112 GBaud 或其他編碼) | 224 Gbps | 待定 |
⚠️ 上述時間線為基於公開產業報道的梳理,具體標準釋出日期以 OIF/IEEE 官方為準。
技術路線對比(量化表)
| 維度 | CEI-56G (PAM4) | CEI-112G (PAM4) | CEI-224G (規劃中) |
|---|---|---|---|
| 單通道原始速率 | 56 Gbps | 112 Gbps | 224 Gbps(目標) |
| 符號率(Baud) | 28 GBaud | 56 GBaud | 112 GBaud(目標) |
| 調變方式 | PAM4 | PAM4 | PAM4 或其他 [待定] |
| 對應乙太網路 | 400GbE | 800GbE / 1.6TbE | 3.2TbE+ [規劃] |
| 每 800G 所需通道數 | 16 通道 | 8 通道 | 4 通道(目標) |
| 典型 SerDes 工藝節點 | 7nm / 5nm | 5nm / 4nm / 3nm | 3nm / 2nm [預期] |
| SerDes 每通道功耗 | ~3-6 pJ/bit [估算] | ~5-10 pJ/bit [估算] | 待驗證 |
| PCB 通道損耗容限 | 相對寬鬆 | 更嚴苛 | 極嚴苛 [預期] |
| 主要 FEC | RS(544,514) | RS(544,514) 或演進 | 待定 |
🔴 注意:功耗資料為行業供應鏈估算範圍,各廠商實現差異顯著,具體數值請參考廠商白皮書或 Hot Chips / ISSCC 論文。工藝節點歸屬基於公開報道,各廠商 IP 版本不同。
上下游
上游:IP/工藝/材料
EDA 工具鏈 (Cadence/Synopsys)
↓
SerDes IP 核 (Alphawave/Credo/Broadcom/Marvell/Synopsys/Cadence)
↓
先進製程代工 (TSMC N5/N4/N3, Samsung 4nm/3nm)
↓
先進封裝 (用於 SerDes 與數字邏輯的整合方案)
↓
高頻 PCB 材料 (低損耗基板: M7/M8 級 Megtron, 或類似高頻覆銅板)
↓
高速聯結器 (TE/Amphenol/Molex 等,112G 級聯結器)
下游:終端應用
AI 訓練叢集 (GPU 伺服器 ↔ 交換器 ↔ 儲存)
↓
800G / 1.6T 乙太網路交換器 (Broadcom Tomahawk 5/Jericho3-AI,
Marvell Teralynx, Cisco Silicon One)
↓
800G 光模組 (OSFP / QSFP-DD 800)
↓
DCI / 雲端骨幹網 / HPC 互連
價值分配(定性)
在整個 112G 產業鏈中:
- SerDes IP 是技術壁壘最高的環節,決定了晶片能否達到 112G 速率
- 交換晶片(整合大量 112G SerDes 埠)是價值量最大的環節
- 光模組 是出貨量最大但獲利率受擠壓的環節
- PCB 材料 / 聯結器 是容易被忽視但漲價彈性的環節
關鍵指標
評估 CEI-112G 技術成熟度和競爭力的核心指標:
| 指標 | 含義 | 重要性 |
|---|---|---|
| 單通道速率(Gbps) | 112G 為當前目標 | ★★★★★ |
| 能效(pJ/bit) | 每傳輸 1 bit 的能量消耗 | ★★★★★ |
| SerDes 面積(mm²/通道) | 整合埠密度的決定因素 | ★★★★ |
| BER(誤位元速率) | FEC 前/後目標:< 10⁻⁶ 前 / < 10⁻¹⁵ 後 [典型要求] | ★★★★★ |
| 通道損耗容限(dB) | 決定 PCB 走線長度和聯結器選擇 | ★★★★ |
| 抖動容限(UI rms) | 系統級時鐘同步能力 | ★★★★ |
| FEC 引入延遲(ns) | AI 場景中 RDMA 延遲敏感 | ★★★★ |
| 埠密度 | 單晶片可整合的 112G 通道數 | ★★★★★ |
供需與市場資料
需求側驅動力
- AI 訓練頻寬爆炸:NVIDIA H100/B200 單卡網絡卡頻寬需求已達 400G,下一代可能需要 800G NIC,對應 800G 交換器埠——全部基於 112G 通道
- 800GbE 交換晶片出貨:Broadcom Tomahawk 5 系列已支援 800G 埠(8×112G),Marvell Teralynx 系列同級別競品
- 800G 光模組放量:2024-2025 年為 800G 光模組滲透加速期,每隻模組內部 DSP 需處理 112G 電通道訊號
市場規模(定性/估算)
| 品類 | 2024 狀態 | 2025-2026 預期 |
|---|---|---|
| 800G 交換晶片 | 滲透率提升中 | 主流部署 |
| 800G 光模組 | 出貨量快速增長 | 進入放量期 |
| 112G SerDes IP 授權 | 多家廠商已量產 IP | 向 3nm 遷移 |
| 1.6T 光模組 | 早期驗證 | 原型/小批次 |
🔴 具體市場規模數字此處不編造。請參考 Dell’Oro Group、LightCounting、Crehan Research 等行業報告獲取精確資料。
供給側瓶頸
- 先進工藝產能:112G SerDes 模擬前端對工藝 PVT(Process/Voltage/Temperature)變化極度敏感,需要成熟的 5nm/4nm/3nm 產能
- 高頻 PCB 材料:112G 級 PCB 需要超低損耗基板,成本顯著高於普通 FR4
- 測試裝置:56 GBaud 級訊號分析儀和誤碼儀價格昂貴,測試成本上升
代表公司與資本對映
| 公司 | 角色 | 112G 相關產品/IP | 上市程式碼 |
|---|---|---|---|
| Broadcom | 交換晶片 + SerDes IP | Tomahawk 5(800G)、Memory 系列 SerDes IP | AVGO |
| Marvell | 交換晶片 + SerDes IP + DSP | Teralynx 交換、Alaska PHY、光模組 DSP | MRVL |
| Cisco | 交換晶片 + 系統 | Silicon One 系列(整合 112G SerDes) | CSCO |
| NVIDIA | NIC + 交換(間接) | ConnectX-7/8、Spectrum-4/5 | NVDA |
| Credo Technology | SerDes IP + AEC | 112G SerDes IP、有源電纜(AEC)DSP | CRDO |
| Alphawave Semi | SerDes IP | 112G/224G 多通道 SerDes IP | AWE.L |
| Synopsys | EDA + SerDes IP | 112G PHY IP 授權 | SNPS |
| Cadence | EDA + SerDes IP | 112G PHY IP 授權 | CDNS |
| Intel | NIC + 交換 | Mount Evans DPU、Infrastructure 處理器 | INTC |
⚠️ 產品型號和上市狀態基於公開報道,具體以各公司官網/財報為準。部分公司的 112G IP 量產節點可能處於不同階段。
A 股 / 港股對映標的(概念性)
| 方向 | 標的(示例) | 邏輯 |
|---|---|---|
| 光模組 | 中際旭創(300308)、新易盛(300502) | 800G 光模組內含 112G 電介面 |
| PCB/高速材料 | 生益科技(600183)、華正新材(603186) | 高頻低損基板需求上升 |
| 聯結器 | 鼎通科技(688668)等 | 112G 級高速聯結器 |
| 交換/網路晶片 | 盛科通訊(688702)等 | 國產替代探索方向 |
🔴 以上標的僅為概念性關聯,不構成投資建議。A 股公司在 112G 核心 IP/晶片環節的參與深度有限,需具體甄別。
投資邏輯
核心敘事
CEI-112G 是 AI 算力基礎設施的”血管標準”。 每一次通道速率翻倍(25G→56G→112G→224G),都會引發一輪晶片、模組、材料的全棧換代週期。
三層投資邏輯
第一層:確定性最強——交換晶片 & 光模組放量
- 800G 交換晶片(Tomahawk 5 等)已進入量產,800G 光模組進入滲透加速期
- 驅動力:AI 叢集擴建對東西向流量的爆炸式需求
- 風險:產能是否跟得上需求節奏;價格競爭
第二層:隱性受益——SerDes IP 授權 & 先進工藝
- 每顆 800G 交換晶片/光模組 DSP 都需要 112G SerDes IP
- Synopsys、Cadence、Alphawave、Credo 等 IP 廠商受益
- 但 IP 授權營收體量相對較小,需關注增量彈性
第三層:上游卡位——PCB 材料 & 聯結器
- 112G 通道對 PCB 損耗敏感度急劇上升,推動高頻低損基板滲透
- 聯結器需支援 56 GBaud 訊號完整性,技術門檻提高
- 但這些環節的價值量佔終端裝置比例較小
風險提示
- 技術迭代風險:若 224G(CEI-224G)技術路徑提前成熟,112G 的生命週期可能縮短
- 需求節奏風險:AI 算力投資存在週期性,800G 部署節奏可能受宏觀影響
- 國產替代節奏:A 股公司在 112G SerDes 核心 IP 環節的突破程度尚需觀察
常見誤讀糾偏
誤讀 1:“112G 就是 800G 乙太網路”
❌ 不準確。 CEI-112G 定義的是單通道電氣介面速率為 112 Gbps。800GbE 是利用 8 條 112G 通道聚合實現的乙太網路標準(IEEE 802.3df)。但 112G 通道也可以用於 1.6TbE(16 條通道)、或非乙太網路協議(如 InfiniBand、PCIe 演進、專有互連)。112G ≠ 800G,前者是物理層通道規範,後者是乙太網路系統級標準。
誤讀 2:“從 56G 到 112G 只是速率翻倍,難度差不多”
❌ 嚴重低估。 速率翻倍意味著:
- Nyquist 頻率從 14 GHz → 28 GHz,通道損耗翻倍以上
- PAM4 眼圖裕量進一步壓縮,對 ADC 精度、DFE 時序的要求更加苛刻
- 類比電路在先進節點的設計難度非線性上升
- PCB 材料和聯結器需要全面升級
這不是線性升級,而是一次系統級工程挑戰的躍遷。
誤讀 3:“CEI-112G 只跟光模組有關”
❌ 範圍遠不止光模組。 任何需要在電氣域傳輸 112 Gbps 訊號的場景都在 CEI-112G 範疇內:
- 晶片-to-晶片(片間互連)
- 晶片-to-模組(SerDes 到光模組 DSP)
- 晶片-to-背板(交換器線卡到背板聯結器)
- 有源銅纜(AEC / DAC)
光模組只是其中一個應用終端。
誤讀 4:“PAM4 是 112G 時代才引入的”
❌ 時間線錯誤。 PAM4 調變在 56G 通道速率(即 CEI-56G / 400GbE 時代)就已經引入。112G 時代沿用 PAM4,但將符號率從 28 GBaud 提升到 56 GBaud。真正引入 PAM4 取代 NRZ 的節點是 CEI-56G / 400GbE。
學習路徑
入門(0-2 小時)
- 瞭解 NRZ → PAM4 的演進原因(為什麼不能繼續用 NRZ?)
- 閱讀 OIF 官網關於 CEI 規範的概述頁面
- 閱讀 Broadcom / Marvell 的 800G 交換晶片產品頁,建立”112G 在系統中的位置”的直覺
進階(2-10 小時)
- 閱讀 IEEE 802.3df 標準草案或綜述,理解 800GbE 如何對映到 112G 通道
- 學習 SerDes 基礎架構(CTLE / DFE / CDR / FEC 模組)
- 關注 Hot Chips / ISSCC / OFC 等會議中 112G SerDes 論文
專家(10+ 小時)
- 研讀 OIF CEI-112G 規範文件(OIF-CEI-05.0 等),理解眼圖模板、抖動容限等詳細指標
- 對比不同廠商 112G SerDes IP 的 pJ/bit、面積、通道數引數
- 追蹤 CEI-224G 標準化進展,理解 PAM4 @ 112 GBaud vs. 其他編碼方案的取捨
- 結合 AI 叢集架構(Fat-tree / Rail-optimized 拓撲),分析 112G 頻寬如何影響訓練效率
推薦資訊源
- OIF 官網(oiforum.com):CEI 規範原文
- IEEE 802.3 工作組:800GbE / 1.6TbE 標準進展
- LightCounting / Dell’Oro / Crehan Research:光模組 & 交換器市場資料
- Anand ServeTheHome / Chips and Cheese:交換晶片 & SerDes 技術深度分析
- Hot Chips / ISSCC / OFC 會議論文:SerDes 架構前沿
一句話總結
CEI-112G 是將每條電氣通道的原始速率推至 112 Gbps 的介面規範,採用 56 GBaud PAM4 調變,是 800GbE 和 1.6TbE 網路的物理層基石,也是 AI 集組基礎設施升級週期中晶片-模組-材料全棧換代的核心技術驅動力。
延伸閱讀與來源
- OIF CEI 規範系列:OIF-CEI-05.0 及相關補充文件 → oiforum.com
- IEEE 802.3df:800 Gigabit Ethernet 標準 → ieee802.org
- Broadcom Tomahawk 5 產品頁:800G 交換晶片參考 → broadcom.com
- Marvell Teralynx 系列:競品交換晶片參考 → marvell.com
- LightCounting:800G/1.6T 光模組市場追蹤報告 → lightcounting.com
- Dell’Oro Group:資料中心交換器市場報告 → delloro.com
- OFC (Optical Fiber Communication Conference):年度光通訊與高速互連技術會議論文集
- Hot Chips / ISSCC:SerDes IP 架構與效能資料來源
本頁技術事實基於 OIF 規範定義和公開產業報道。具體產品型號、工藝節點歸屬、功耗資料等以廠商官方揭露為準。未充分標註來源的數字為行業估算,標註 [估算] 或 [定性]。撰寫日期:2025 年。