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CEI-112G

CEI-112G

概念 ID
cei-112g
更新時間
2026-05-29
來源數量
待補

CEI-112G

3 秒看懂

CEI-112G 是 OIF(Optical Internetworking Forum)定義的每通道 112 Gbps 通用電氣介面規範,採用 PAM4 調變(符號率 56 GBaud),是當前 800GbE / 下一代 1.6TbE 網路底層物理通道的核心速率基準。可以把它理解為:高速數字互聯的”車道標準”——每條物理通道跑 112G,8 條道湊成 800G,16 條道湊成 1.6T。

3 分鐘產業解釋

為什麼需要 CEI-112G?

在 AI 訓練叢集中,單個 GPU 機架可能消耗 數 Tbps 的互連頻寬(NVLink、InfiniBand、RoCE)。傳統 100GbE(4×25G NRZ)和 400GbE(8×53G PAM4)已經不能滿足萬卡叢集的通訊需求。網路側需要將單通道速率翻倍,在不等比增加通道數量的前提下實現頻寬倍增——這就是 CEI-112G 的產業定位。

產業角色一句話

層級角色
規範定義OIF CEI-112G 工作組
乙太網路標準對映IEEE 802.3df(800GbE)/ 802.3dj(1.6TbE)
SerDes IP 供應商Broadcom、Marvell、Cadence(eSilicon 資產)、Synopsys、Alphawave Semi、Credo、Cisco 等
終端部署場景AI 訓練交換器、資料中心 Spine-Leaf、光模組(800G OSFP/QSFP-DD)

資本市場視角

CEI-112G 本身不是一個”產品”,而是底層 IP 標準。真正的投資對映在於:誰能率先量產通過 CEI-112G 認證的 SerDes IP,並整合進交換晶片 / DPU / NIC / 光模組 DSP 中。每一代速率升級都是重新切蛋糕的視窗。

15 分鐘專家深入

1. 標準體系定位

OIF(介面規範制定)
  └─ CEI (Common Electrical Interface)
       ├─ CEI-28G   → 100GbE 時代的 NRZ 通道
       ├─ CEI-56G   → 400GbE 時代的 PAM4 通道
       ├─ CEI-112G  → 800GbE / 1.6TbE 時代的 PAM4 通道  ← 本文
       └─ CEI-224G  → 3.2TbE+ 時代(規劃中,PAM4 或 PAM6/PCS 編碼待定)

OIF vs. IEEE 的關係:OIF 定義的是”電氣通道長什麼樣”(電壓擺幅、眼圖模板、抖動容限等),IEEE 定義的是”乙太網路幀怎麼跑在這個通道上”(編碼、FEC、MAC 等)。二者協同但分工不同。

2. 112G 意味著什麼?

  • 112 Gbps = 56 GBaud × 2 bit/symbol(PAM4)
  • PAM4 將訊號分為 4 個電平(+3, +1, -1, -3),每個符號承載 2 bit,但代價是訊雜比下降約 9.5 dB(相比同波特率 NRZ),因此對模擬前端和 DSP 均衡要求極高
  • 典型配合 FEC:RS(544,514) 或類似硬判決 FEC,糾錯能力約 ~8 dB 編碼增益 [估算,依據 IEEE 802.3 系列常用 FEC 配置]

3. Reach 子分類

CEI-112G 按傳輸距離(reach)定義不同子規範:

子規範典型場景通道長度(估算)介質
CEI-112G-VSR晶片↔模組(chip-to-module)~25 mmPCB 走線 / 聯結器
CEI-112G-SR板內短距(on-board)~100 mmPCB 走線
CEI-112G-MR背板 / 中距~500 mm+背板 / 中板聯結器
CEI-112G-LR長距 / 銅纜數米DAC 銅纜

⚠️ 具體通道損耗預算、眼圖模板等引數定義於 OIF CEI-112G 規範文件(OIF-CEI-05.0),此處僅列定性分類,精確數值請參考 OIF 官方釋出。

4. 關鍵技術挑戰

在 56 GBaud 下維持訊號完整性是核心難題:

  1. 通道損耗:FR4 PCB 在 28 GHz 頻率下的插入損耗可達 ~1 dB/inch(估算,取決於板材等級),56 GBaud 的 Nyquist 頻率約 28 GHz,這意味著即使 1 英寸走線也有顯著衰減
  2. 串擾(crosstalk):通道密度越高,NEXT/FEXT 越嚴重
  3. 時鐘恢復(CDR):需要在極低 SNR 下實現亞 ps 級抖動容限
  4. 功耗:112G SerDes 每通道功耗是重要競爭力指標,業界目標在 5–10 pJ/bit 量級 [供應鏈估算範圍,各廠商差異大]

技術原理

SerDes 收發架構(112G PAM4)

┌─────────────────────── TX ───────────────────────┐
│                                                    │
│  資料輸入 ──→ [FEC Encoder] ──→ [TX DSP]          │
│                  (RS-544,514)    (預編碼/FFE/       │
│                                  pre-emphasis)     │
│                        ──→ [DAC] ──→ [模擬驅動器] ──→ 通道
│                           (數模轉換)   (輸出緩衝)     │
└────────────────────────────────────────────────────┘

┌─────────────────────── RX ───────────────────────┐
│                                                    │
│  通道輸入 ──→ [CTLE] ──→ [ADC] ──→ [RX DSP]      │
│              (連續時間     (模數      (DFE/FFE/    │
│               線性均衡)    轉換)      CDR/FEC解碼) │
│                                    ──→ 資料輸出    │
└────────────────────────────────────────────────────┘

關鍵模組說明

模組功能112G 特殊性
CTLE模擬域高頻增益補償需要在 28 GHz Nyquist 頻率提供足夠 boost,類比電路設計在先進節點極具挑戰
ADC模數轉換典型 6-8 bit 解析度,取樣率需 ≥ 56 GSa/s [定性估計]
DFE(判決反饋均衡)消除 ISI(碼間干擾)反饋路徑時序極度緊張,要求極低延遲判決
FEC前向糾錯硬判決 FEC 引入的延遲 ~100 ns 量級 [估算],對延遲敏感場景需權衡
CDR時鐘資料恢復在 PAM4 低眼高條件下維持鎖定,抖動追蹤頻寬需仔細設計

PAM4 眼圖示意

NRZ (2 level):          PAM4 (4 level):
    ┌───┐                   ┌───┐
    │   │                   │   │  ← +3 level (11)
────┘   └────           ────┘   └────
    ┌───┐               ┌───┐
    │   │               │   │  ← +1 level (10)
                        ──┘   └──
                        ┌───┐
                        │   │  ← -1 level (01)
                    ────┘   └────
                        ┌───┐
                        │   │  ← -3 level (00)
                    ────┘   └────

PAM4 眼高約為 NRZ 的 1/3(垂直方向),
對噪聲和串擾的容忍度顯著下降。

技術演進史

時間線事件通道速率調變方式
~2014CEI-25G 規範成熟25 GbpsNRZ
~2017CEI-28G(100GbE 4通道 NRZ,每通道約25.78/28.05 Gbps)28 GbpsNRZ
~2018-2019CEI-56G 規範釋出56 GbpsPAM4
~2019-2020400GbE 大規模部署(8×53G PAM4)~53 GbpsPAM4
~2021-2022OIF 啟動 CEI-112G 工作組112 GbpsPAM4
~2023多家廠商展示 112G SerDes 矽片112 GbpsPAM4
~2024IEEE 802.3df (800GbE) 標準推進,112G 進入量產視窗112 GbpsPAM4
~2025-2026800GbE 交換器規模化部署;1.6TbE(16×112G)進入驗證112 GbpsPAM4
未來CEI-224G(可能採用 PAM4 @ 112 GBaud 或其他編碼)224 Gbps待定

⚠️ 上述時間線為基於公開產業報道的梳理,具體標準釋出日期以 OIF/IEEE 官方為準。


技術路線對比(量化表)

維度CEI-56G (PAM4)CEI-112G (PAM4)CEI-224G (規劃中)
單通道原始速率56 Gbps112 Gbps224 Gbps(目標)
符號率(Baud)28 GBaud56 GBaud112 GBaud(目標)
調變方式PAM4PAM4PAM4 或其他 [待定]
對應乙太網路400GbE800GbE / 1.6TbE3.2TbE+ [規劃]
每 800G 所需通道數16 通道8 通道4 通道(目標)
典型 SerDes 工藝節點7nm / 5nm5nm / 4nm / 3nm3nm / 2nm [預期]
SerDes 每通道功耗~3-6 pJ/bit [估算]~5-10 pJ/bit [估算]待驗證
PCB 通道損耗容限相對寬鬆更嚴苛極嚴苛 [預期]
主要 FECRS(544,514)RS(544,514) 或演進待定

🔴 注意:功耗資料為行業供應鏈估算範圍,各廠商實現差異顯著,具體數值請參考廠商白皮書或 Hot Chips / ISSCC 論文。工藝節點歸屬基於公開報道,各廠商 IP 版本不同。


上下游

上游:IP/工藝/材料

EDA 工具鏈 (Cadence/Synopsys)

SerDes IP 核 (Alphawave/Credo/Broadcom/Marvell/Synopsys/Cadence)

先進製程代工 (TSMC N5/N4/N3, Samsung 4nm/3nm)

先進封裝 (用於 SerDes 與數字邏輯的整合方案)

高頻 PCB 材料 (低損耗基板: M7/M8 級 Megtron, 或類似高頻覆銅板)

高速聯結器 (TE/Amphenol/Molex 等,112G 級聯結器)

下游:終端應用

AI 訓練叢集 (GPU 伺服器 ↔ 交換器 ↔ 儲存)

800G / 1.6T 乙太網路交換器 (Broadcom Tomahawk 5/Jericho3-AI, 
                            Marvell Teralynx, Cisco Silicon One)

800G 光模組 (OSFP / QSFP-DD 800)

DCI / 雲端骨幹網 / HPC 互連

價值分配(定性)

在整個 112G 產業鏈中:

  • SerDes IP 是技術壁壘最高的環節,決定了晶片能否達到 112G 速率
  • 交換晶片(整合大量 112G SerDes 埠)是價值量最大的環節
  • 光模組 是出貨量最大但獲利率受擠壓的環節
  • PCB 材料 / 聯結器 是容易被忽視但漲價彈性的環節

關鍵指標

評估 CEI-112G 技術成熟度和競爭力的核心指標:

指標含義重要性
單通道速率(Gbps)112G 為當前目標★★★★★
能效(pJ/bit)每傳輸 1 bit 的能量消耗★★★★★
SerDes 面積(mm²/通道)整合埠密度的決定因素★★★★
BER(誤位元速率)FEC 前/後目標:< 10⁻⁶ 前 / < 10⁻¹⁵ 後 [典型要求]★★★★★
通道損耗容限(dB)決定 PCB 走線長度和聯結器選擇★★★★
抖動容限(UI rms)系統級時鐘同步能力★★★★
FEC 引入延遲(ns)AI 場景中 RDMA 延遲敏感★★★★
埠密度單晶片可整合的 112G 通道數★★★★★

供需與市場資料

需求側驅動力

  • AI 訓練頻寬爆炸:NVIDIA H100/B200 單卡網絡卡頻寬需求已達 400G,下一代可能需要 800G NIC,對應 800G 交換器埠——全部基於 112G 通道
  • 800GbE 交換晶片出貨:Broadcom Tomahawk 5 系列已支援 800G 埠(8×112G),Marvell Teralynx 系列同級別競品
  • 800G 光模組放量:2024-2025 年為 800G 光模組滲透加速期,每隻模組內部 DSP 需處理 112G 電通道訊號

市場規模(定性/估算)

品類2024 狀態2025-2026 預期
800G 交換晶片滲透率提升中主流部署
800G 光模組出貨量快速增長進入放量期
112G SerDes IP 授權多家廠商已量產 IP向 3nm 遷移
1.6T 光模組早期驗證原型/小批次

🔴 具體市場規模數字此處不編造。請參考 Dell’Oro Group、LightCounting、Crehan Research 等行業報告獲取精確資料。

供給側瓶頸

  • 先進工藝產能:112G SerDes 模擬前端對工藝 PVT(Process/Voltage/Temperature)變化極度敏感,需要成熟的 5nm/4nm/3nm 產能
  • 高頻 PCB 材料:112G 級 PCB 需要超低損耗基板,成本顯著高於普通 FR4
  • 測試裝置:56 GBaud 級訊號分析儀和誤碼儀價格昂貴,測試成本上升

代表公司與資本對映

公司角色112G 相關產品/IP上市程式碼
Broadcom交換晶片 + SerDes IPTomahawk 5(800G)、Memory 系列 SerDes IPAVGO
Marvell交換晶片 + SerDes IP + DSPTeralynx 交換、Alaska PHY、光模組 DSPMRVL
Cisco交換晶片 + 系統Silicon One 系列(整合 112G SerDes)CSCO
NVIDIANIC + 交換(間接)ConnectX-7/8、Spectrum-4/5NVDA
Credo TechnologySerDes IP + AEC112G SerDes IP、有源電纜(AEC)DSPCRDO
Alphawave SemiSerDes IP112G/224G 多通道 SerDes IPAWE.L
SynopsysEDA + SerDes IP112G PHY IP 授權SNPS
CadenceEDA + SerDes IP112G PHY IP 授權CDNS
IntelNIC + 交換Mount Evans DPU、Infrastructure 處理器INTC

⚠️ 產品型號和上市狀態基於公開報道,具體以各公司官網/財報為準。部分公司的 112G IP 量產節點可能處於不同階段。

A 股 / 港股對映標的(概念性)

方向標的(示例)邏輯
光模組中際旭創(300308)、新易盛(300502)800G 光模組內含 112G 電介面
PCB/高速材料生益科技(600183)、華正新材(603186)高頻低損基板需求上升
聯結器鼎通科技(688668)等112G 級高速聯結器
交換/網路晶片盛科通訊(688702)等國產替代探索方向

🔴 以上標的僅為概念性關聯,不構成投資建議。A 股公司在 112G 核心 IP/晶片環節的參與深度有限,需具體甄別。


投資邏輯

核心敘事

CEI-112G 是 AI 算力基礎設施的”血管標準”。 每一次通道速率翻倍(25G→56G→112G→224G),都會引發一輪晶片、模組、材料的全棧換代週期

三層投資邏輯

第一層:確定性最強——交換晶片 & 光模組放量

  • 800G 交換晶片(Tomahawk 5 等)已進入量產,800G 光模組進入滲透加速期
  • 驅動力:AI 叢集擴建對東西向流量的爆炸式需求
  • 風險:產能是否跟得上需求節奏;價格競爭

第二層:隱性受益——SerDes IP 授權 & 先進工藝

  • 每顆 800G 交換晶片/光模組 DSP 都需要 112G SerDes IP
  • Synopsys、Cadence、Alphawave、Credo 等 IP 廠商受益
  • 但 IP 授權營收體量相對較小,需關注增量彈性

第三層:上游卡位——PCB 材料 & 聯結器

  • 112G 通道對 PCB 損耗敏感度急劇上升,推動高頻低損基板滲透
  • 聯結器需支援 56 GBaud 訊號完整性,技術門檻提高
  • 但這些環節的價值量佔終端裝置比例較小

風險提示

  • 技術迭代風險:若 224G(CEI-224G)技術路徑提前成熟,112G 的生命週期可能縮短
  • 需求節奏風險:AI 算力投資存在週期性,800G 部署節奏可能受宏觀影響
  • 國產替代節奏:A 股公司在 112G SerDes 核心 IP 環節的突破程度尚需觀察

常見誤讀糾偏

誤讀 1:“112G 就是 800G 乙太網路”

不準確。 CEI-112G 定義的是單通道電氣介面速率為 112 Gbps。800GbE 是利用 8 條 112G 通道聚合實現的乙太網路標準(IEEE 802.3df)。但 112G 通道也可以用於 1.6TbE(16 條通道)、或非乙太網路協議(如 InfiniBand、PCIe 演進、專有互連)。112G ≠ 800G,前者是物理層通道規範,後者是乙太網路系統級標準。

誤讀 2:“從 56G 到 112G 只是速率翻倍,難度差不多”

嚴重低估。 速率翻倍意味著:

  • Nyquist 頻率從 14 GHz → 28 GHz,通道損耗翻倍以上
  • PAM4 眼圖裕量進一步壓縮,對 ADC 精度、DFE 時序的要求更加苛刻
  • 類比電路在先進節點的設計難度非線性上升
  • PCB 材料和聯結器需要全面升級

這不是線性升級,而是一次系統級工程挑戰的躍遷

誤讀 3:“CEI-112G 只跟光模組有關”

範圍遠不止光模組。 任何需要在電氣域傳輸 112 Gbps 訊號的場景都在 CEI-112G 範疇內:

  • 晶片-to-晶片(片間互連)
  • 晶片-to-模組(SerDes 到光模組 DSP)
  • 晶片-to-背板(交換器線卡到背板聯結器)
  • 有源銅纜(AEC / DAC)

光模組只是其中一個應用終端。

誤讀 4:“PAM4 是 112G 時代才引入的”

時間線錯誤。 PAM4 調變在 56G 通道速率(即 CEI-56G / 400GbE 時代)就已經引入。112G 時代沿用 PAM4,但將符號率從 28 GBaud 提升到 56 GBaud。真正引入 PAM4 取代 NRZ 的節點是 CEI-56G / 400GbE。


學習路徑

入門(0-2 小時)

  1. 瞭解 NRZ → PAM4 的演進原因(為什麼不能繼續用 NRZ?)
  2. 閱讀 OIF 官網關於 CEI 規範的概述頁面
  3. 閱讀 Broadcom / Marvell 的 800G 交換晶片產品頁,建立”112G 在系統中的位置”的直覺

進階(2-10 小時)

  1. 閱讀 IEEE 802.3df 標準草案或綜述,理解 800GbE 如何對映到 112G 通道
  2. 學習 SerDes 基礎架構(CTLE / DFE / CDR / FEC 模組)
  3. 關注 Hot Chips / ISSCC / OFC 等會議中 112G SerDes 論文

專家(10+ 小時)

  1. 研讀 OIF CEI-112G 規範文件(OIF-CEI-05.0 等),理解眼圖模板、抖動容限等詳細指標
  2. 對比不同廠商 112G SerDes IP 的 pJ/bit、面積、通道數引數
  3. 追蹤 CEI-224G 標準化進展,理解 PAM4 @ 112 GBaud vs. 其他編碼方案的取捨
  4. 結合 AI 叢集架構(Fat-tree / Rail-optimized 拓撲),分析 112G 頻寬如何影響訓練效率

推薦資訊源

  • OIF 官網(oiforum.com):CEI 規範原文
  • IEEE 802.3 工作組:800GbE / 1.6TbE 標準進展
  • LightCounting / Dell’Oro / Crehan Research:光模組 & 交換器市場資料
  • Anand ServeTheHome / Chips and Cheese:交換晶片 & SerDes 技術深度分析
  • Hot Chips / ISSCC / OFC 會議論文:SerDes 架構前沿

一句話總結

CEI-112G 是將每條電氣通道的原始速率推至 112 Gbps 的介面規範,採用 56 GBaud PAM4 調變,是 800GbE 和 1.6TbE 網路的物理層基石,也是 AI 集組基礎設施升級週期中晶片-模組-材料全棧換代的核心技術驅動力。


延伸閱讀與來源

  1. OIF CEI 規範系列:OIF-CEI-05.0 及相關補充文件 → oiforum.com
  2. IEEE 802.3df:800 Gigabit Ethernet 標準 → ieee802.org
  3. Broadcom Tomahawk 5 產品頁:800G 交換晶片參考 → broadcom.com
  4. Marvell Teralynx 系列:競品交換晶片參考 → marvell.com
  5. LightCounting:800G/1.6T 光模組市場追蹤報告 → lightcounting.com
  6. Dell’Oro Group:資料中心交換器市場報告 → delloro.com
  7. OFC (Optical Fiber Communication Conference):年度光通訊與高速互連技術會議論文集
  8. Hot Chips / ISSCC:SerDes IP 架構與效能資料來源

本頁技術事實基於 OIF 規範定義和公開產業報道。具體產品型號、工藝節點歸屬、功耗資料等以廠商官方揭露為準。未充分標註來源的數字為行業估算,標註 [估算] 或 [定性]。撰寫日期:2025 年。

source: 公開揭露與公開資料整理 本頁僅用於產業鏈學習、資訊檢索和研究輔助;不構成投資建議,不預測漲跌,不提供買賣、部位或目標價建議。
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